T

TAB(Tape Automated Bonding)
Tap에 Die를 자동을 붙인 것.

TAB
TR이나 IC의 케이스에서 가로로 1mm정도의 돌기가 나와 있는 것이 있는데 이 부분을 TAB 이라 한다.

Taping
Wafer를 Tape에 접착하는 행위(완전절단 하기 위해 하는 것임).

TCA Oxidation
산화공정시 TCA를 첨가하여 산화막의 품질을 향상시키는 방법.

TCP(Tape Carrier Package)
IC Chip을 Tape Film에 접속할 때 수지로써 밀봉하는 TAB(Tape automated bonding)기술을 활용한 Package.

TEG(Test Element Group)
집적회로의 Bread Board의 검토용으로 만든 TR, Diode, 저항따위를 말함.

Tenting
도통홀의 위를 막거나 회로주변을 Resist로 덮는 기판제조 공법.

TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)
산화막 증착시 Si Source로 사용하는 물질.
Terminal
lon주입 설비의 고전압이 걸리는 부분으로 Source쪽의 안전보호 Cover로 된 지역.

Test Head
Tester와 Handler또는 Prober Station이 연결되는 중간장치.
Test Mode
고집적 메모리 Device를 Test할 때 Test 시간을 줄이기 위해 동시에 여러 개의 메모리 번지를 Access할 수 있도록 고안된 회로 를 Device 내부에 장착하고, Test시 이 회로를 사용하여 Test Time 을 줄일 수 있도록 한 Test방법으로 multi-bit test와 동일한 의미임.

Test Pattern
개발제품의 양/ 불량을 판별하기 위하여 제작된 여러 종류의 도면이나 Wafer상의 Pattern.

Tester
제품의 양품과 불량을 판별하기 위해 사용되는 Computer가 내장된 전기특성 검사장비.

Test Option
Computer의 기본구조에 검사기능을 추가시키는 장치.

Test Plan
제품의 검사방법, 조건, 검사, Limit등의 기록된 내용서로 제품설계서에 제시.

Test Program
자동 측정기를 사용하여 Wafer의 전기적 특성을 측정하는 Program으로 제품설계SPEC에 맞게 Program 되어 있는 Software.

Test Schematic(Test Circuit)
Jig의 회로를 그린 것.

Test System
반도체 소자에 전기적 신호를 인가하여 소자로부터 전기적 신호를 받아서 소자의 전기적 정상 동작 및 오류 동작을 판단하는 장 비.

Test Vector
제품 Test를 위해 Simulation결과를 Test장비에서 사용할 수 있도록 변환된 Signal Set이다.
Test vehicle
소자 및 공정변수 추출 그리고 단위회로의 설계검증을 위해 설계된 Mask.

Test 장비
Test Program을 이용하여 각 제품의 Pass/Fail구분 및 전기적 특성 검사를 수행하는 장비.

Testability
Chip Level 회로 설계후 전체 회로도에서 어떤 특정 Block혹은 Sub Block의 회로를 부분적으로 직접 Test하게끔 회로 설계를 하 는 방식.

TF-EL Display (Thin-Film Electrolumines- cent Displays)
양 전극사이에 박막형태의 전계 발광물질을 넣어 전계가 가하여질 때, 발광하는 현상을 이용하여 표시하는 소자.

TFIC(Thin Film Integrated Circuit)
박막으로 만들어 집적화한 회로를 말하며 5미크론 이하까지가 해당한다. 그이상의 것을 후막이라고 한다.

TFT(Thin Film Transistor)
절연성 기체에 증착등으로 반도체 박막을 형성하여 능동소자를 만든 것으로 일반적으로 FET이다.

TFT Array
Matrix형태로 배선되어진 TFT을 가지는 화소집단.

Thermal Addressing
열 광학효과를 이용한 액장표시방식을 말한다.
Thermo-Optic Effect(열광적 효과)
액정에 온도변화를 주는 것에 따라 그 광학적 성질이 다르게 변화되는 효과를 말한다. 온도변화는 액정내의 분자의 배열에 영향 을 주게됨으로서 광학적인 성질을 변화시킨다.

Thermotropic LC
어떤 온도범위에서 액정사이 변하는 액정으로 표시소자에 관계있는 것으로 일반적으로 액정을 의미함.

Thermal Relief(열방출)
솔더링하는 동안에 발생하는 블리스터나 휨을 방지하기 위하여 그물모양으로 회로가 형성된 것.

Thermal Shock Test(열충격시험)
급격한 온도 변화에 대해 TR, Diode, IC등이 충분히 견딜수 있는가를 확인하는 시험이다.

Thermo Electric Effect(열전효과)
열현상과 전기현상의 상호관계를 갖는 효과로서 제어백 효과, 펠티어 효과, 톰슨 효과의 세가지가 있다.

Thick Film IC(후막 집적회로)
절연물의 기판위에 얇은 막모양의 회로소자를 만들고 그들을 서로 배선하여 하나의 회로기능을 갖게 한 것을 막 집적회로라고 하며 이중 막의 두께가 5미크론 정도보다 두꺼운 것을 후막 집적회로라고 한다.

Thin Film
Thick Film과는 달리 진공증착등의 방법으로 기판위에 얇은 두께의 박판(두께 약 5 micro이하)을 형성하는 것으로 저항콘덴서등 의 소자나 혼선 집적회로를 형성하기 위한 것.

3D Circuit Device
평면적인 LSI를 입체적으로 적층, 중첩시킨 구조의 초고집적 전자DEVICE로써 최하층에 먼저 LSI을 만들고 그 상부에 절연층을 두고 그 위에 Silicon단결정을 성장시키며 그 결정층에 다음의 LSI를 형성한다. 이러한 행위를 반복하여 각 층간의 배선을 연결 하면 3차원 회로가 구성된다.

Threshold Level
Input에 인가되는 전위의 한계로서 Device로 하여금 적절한 상태를 가하게끔 한다.

Thyristor (다이리스터)
PN접합을 3개 이상 내장하고 주 전류전압특성의 적어도 하나의 상한에 있어서 ON/OFF의 2개 상태를 가지며 OFF상태에서 ON상태 로의 전환 또는 그 반대로 전환을 할 수 있는 반도체 소자를 말한다.

Tie bar
PKG Lead끝부분을 연결하는 가로축 Bar.

Tilt
러빙등으로 배향처리 한 경우, 액정분자의 장축 방향은 전극면과 같게 평행하게 되지만 엄밀하게는 약간 경사지게 배향되어 있 다. 모니터에서는 평탄하여야 할 하면이 기울어져 있는 것을 말한다.

Tilt Angle
액정의 표면이나 용기벽에서 계면 법선 방향과 액정 방향 벡터가 이루는 각.

Timing
Device를 동작시키는데 필요한 Comtrol Clock, Address, Data등의 외부 파형들의 조합으로서 타이밍의 조류에 따라 특정한 모드 의 동작이 이루어짐.

Tin Plating
Sn을 전기를 이용해서 Frame에 도금을 함.

Tip
직접 Chip에 닿는 부분으로 주사바늘 끝에 끼워진 데프론 호스.
TiSiX (Titanium Silicide)
Titanium과 silicon이 결합하여 생성되는 물질로서 contact 저항을 낮추기 위해 사용된다.

Tj(junction Temperature)
접합온도.

TN LCD (Twisted Nematic Liquid Crystal Display)
90도 비틀어진 네마틱 액정을 사용하는 LCD.

TN-FE LCD (Twisted Nematic Filed Effect LCD)
액정분자의 장축을 상하 기판사이에서 90도 연속적으로 Twist배열시켜 전기장을 가하였을 경우 빛의 편광상태에 따른 투과도가 다름을 이용한 LCD.

TNI. Clearing Point
액정자료가 액체와 고체의 중간적인 상태에서 액체로 변화하고 투명하게 되는 온도.

Tooling Hole
기판의 제작이나 결합에 이용되는 홀.

Topology (위상)
Wafer표면의 높고 낮은 층의 상태를 말한다.

TQFP(Thin Quad Flat Package)
두께가 1.0 mm 또는 1.4mm이하인 QFP제품.

TR(Transformer)
전기를 고압에서 저압으로 낮추는 변압기.

Transfer
LCD에서 앞유리와 뒷유리를 전기적으로 도통시켜 주는 물질을 의미하고, 반도체 공정중에 Carrier 혹은 Boat에 담긴 Wafer를 다 른 Carrier나 Boat로 옮겨 담을 때 사용하는 기구를 부르는 말.

Transfer Collect
Tape에 부착된 Die를 흡착시켜서 포켓마저 이송시키는 기구 테프론.

Transfer Print
Ni-beads를 유리기판에 인쇄하는 공정.

Transfer System
반송장치. RUN이 담긴 SHOE BOX를 이동시키는 장비로서 공정이 끝난 Wafer를 다음 공정으로 이동시킬 때 사용.

Transition time
Device에 사용되는 파형들이 특정 level에서 반대 level로 전환시 걸리는 시간으로 A.C 특성 등을 측정후 측정치를 보정하는 데 사용.

Transistor
Emiter와 Collector사이 base에 불순물의 농도에 차이를 두어 base속에서 carrier를 가속시키는 존계를 두어 고주파 특성이 좋 아지게 만든 반도체 소자.

Transition
입자가 어떤 에너지 상태에서 다른 에너지상태를 양자 역학적으로 이동해 가는 것.

Trap
carrier를 일시적으로 잡아두는 금지대속 에너지 준위.

Trench 용법.
기억소자에서 콘덴서를 만드는 FAB공정기술중의 하나로 좁은 면적에 용량을 극대화하기 위하여, 도량처럼 Silicon기판을 아래 로 파서 표면적을 확대하여 콘덴서를 만드는 방법.

Triangular Voltage Sweep Method
Gate에 삼각형모양의 전압을 인가하여 온도상승상태에서 mobile ion이 oxide내에서 계면으로 이동되는 것에 의한 current에 의 해 gattte bias에 따른 전류 곡선모양이 변화하는 것으로 oxide 오염상태를 check하는 방법.
Triger
어떤 동작을 하는 능력이 있는 회로가 어떤 안정상태에 있을 때 이 회로를 동작시키기 위해 가해주는 자극펄스.

Trim/Form
Package의 각각의 lead를 분리하고 90도 굽혀 I.C원형을 만드는 공정.

Tristate output
출력단의 전압신호Level의 High나 Low상태가 아닌 High Impedance 상태.

TSOP(Thin Small Outline Package)
Package두께가 1.0mm이하인 SOP(SOIC)반도체 제품으로 P-DIP에 비하여 PACKAGE가 얇고 크기도 작아져 소형의 SYSTEM에 널리 사 용됨.

TS(Tensile Strength)
장력으로 끊어지는 정도를 표시.

TTL(Transistor Transistor Logic)
논리회로의 한 종류. 트랜지스터와 트랜지스터를 직접 연결하여 구성하는 논리회로 방식.

TTV(Total Thickness Variation)
최대 편차 두께(wafer)

Tunneling
역Bisas된 PN집합면이나, 얇은 Oxide 절연체 위에 강한 전계에 의해서 Energy Band Gap을 Electron이나 Hole이 통과되는 현상을 말한다.

TV RUN
Test Vehicle을 사용하여 공정이 진행된 Wafer.

Tweezer
Wafer를 잡는 집게(통상 Vacumn Tweezer를 많이 사용함)

Twist angle
배향처리된 액정 Cell의 한쪽 면 표면상의 액정분자의 다이렉터와 대응면상의 액정분자의 다이렉터와 이루는 각.