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R
R/A(Return Air)
실내에 공급되었다 회수되어 재사용되는 공기.
Rack
도금걸이. 도금물체를 받치거나 전류를 통하게 함.
Ram Height
랜덤 또는 플란저 하강기 이송 변속점에서 상부 금형의 하단까지의 거리.
Rambus DRAM
Rambus사에서 제창한 고속DRAM. Data전송 주파수를 500MHz정도의 초고속으로 실현시켜 data bus폭의 증대를 억제시킨다.
RAMDAC
Pixel Address 입력에 해당하는 RAM의 내용을 DAC를 통하여 R.G.B Analog출력으로 제공하는 Chip.
Raster
CRT화면상에 미리 정해진 수평선의 집합형태.
Recipe
장비가 어떤 Material을 Process하는데 필요한 Rule이나 Control data를 말한다.
Rectifier
주로 Diode와 같은 반도체 소자를 이용하여 교류를 직류로 바꾸는 전기적 장치.
Recombination
반도체에 전압을 가하거나 빛을 조사하거나 또는 소수 캐리어를 주입함으로써 열팽창 상태의 전도전자의 수보다 여분의 전자, 즉 과잉전자가 생긴다. 과잉전자가 충만대 속의 공레벨로 되돌아가서 소멸하는 현상을 말한다.
Rectifying Action(정류작용)
통전방향에 따라서 전류가 흐르기 쉬운 정도가 다른 성질.
Redundancy
어떠한 Cell이 어디가 고장나도 그에 대신하는 것이 있어서 Chip전체로서는 고장없이 동작을 계속할 수 있는 것을 말한다.
Redundancy
회로 Chip의 수율을 높이기 위해 여분의 Cell을 집어 넣어 Defect된 Cell을 여분의 Cell로 대치하여 사용하는 것.
Reference Check
표준 Device를 이용하여 System의 안정상태를 Check하는 것.
Reflectance(반사도)
Film의 표면 반사도로써 표면의 거칠음 정도를 표현한다.
Reflective Display
Backlight없이 자연광의 반사에 의해 표시하는 Display방식.
Refresh
DRAM에서 MOS FET의 게이트 용량에 축전된 전하에 의해서 WRITE-IN된 기억을 유지하는 데 이전하는 수밀리초내에 방전하여 없어 지므로 항상 기억을 재생하여야 하며 이것을 REFRESH라 한다.
Reject
생산용으로 더 이상 사용할 수 없는 Wafer나 Mask를 폐기 처분한다는 뜻.
Reliability
반도체 제조를 위한 어떤 장치 얼마 만큼 고장 없이 주어진 기능을 수행할 수 있는가를 또는 제품이 나타내는 것.
Repairable
Memory Chip내의 Fall Bit가 여분으로 만들어 둔 Redundancy수 보다 작아 Fail된 모든 Cell에 대해 Spare Cell로의 대치가 가능 한 경우 이를 Repairable이라고 한다.
Wafer상태에서 각 소자를 Test한 후 임의의 Row 또는 Column 또는 Cell에서 불량이 발생됐을 경우 여분의 Row또는 Column으로 대체하여 양품으로 만들 수 있는 소자를 일컫는다.
Repeating Defect(반복결함)
Wafer에 어떤 결함이 반복적으로 나타남을 말함.
Resin Recession
기판이 가열될 때 수지 성분이 수축되어 도통홀의 각 층과 벽을 현미경으로 볼 때 나타나는 현상.
Resisstor Retilcle
가장 기본이 되는 모판 Mask로서 보통 실제 반도체 Chip의 10배 크기인 기본 Mask로 Master Mask를 제작하는 데 사용.
Resistration
기판의 다른 층의 회로와 일치되는 위치의 정도.
Response time
단계별 응답이 있어서 출력신호가 최종치에서 특정 범위로 들어가기까지의 시간.
Retest
System 불안이나 Align실수로 잘못 Test된 Wafer를 다시 Test하는 것.
Reticle
Mask와 동일한 의미로 쓰임.(Stepper에 사용되는 Mask) Wafer에 반도체 회로설계 Pattern을 정착(가공)시키기 위해 사용되는 노 광용 원판(유리판)으로 한 장의 Wafer에 여러 번 나누어 노광한다.
Reverse Tilt
액정층에 전압을 인가해서 액정을 전장방향으로 배향시킬 때 그 배향 방향이 본래 목적하는 방향과는 역방향의 배향방향을 말한 다.
Reverse Twist
트위스트 구조의 비틀림 방향이 우회전, 좌회전으로 규정된 것의 역으로 되어 있는 것.
RF(Radio Frequency)
고주파를 말하며, 건식 식각 공정에서 반응 Gas를 활성화시키는 데 이 고주파 전압을 사용하며, 고주파를 발생하는 장치를 말한 다.
RIE(Reactive lon Etching)
건식식각의 한 종류. Plasma etching과 원리는 같으나 활성화된 Ion을 이용해서 화학적 및 물리적반응에 의해 식각하는 방법.
Ring Oscillator
Library의 지연시간을 외부조건에 관계없이 정확히 측정하기 위해 구성한 회로.
Rinse
초순수(DI Water)를 이용하여 Wafer표면의 화공약품이나 먼지등을 제거하기 위하여 헹구어 주는 것.
Rise Time(상승시간)
TR의 스위칭 특성을 나타낼 때 베이스에 입력 펄스를 가하여 Collector에 흐르는 출력펄스 전류가 최대 진폭(최종값)의 10%로 되었을 때부터 90%로 되기까지의 시간을 말한다.
Room Temperature Test
상온 상태에서 검사하는 것.
ROR(Ras Only Refresh)
RAS가 Low로 되면 Refresh가 이루어지는 형태.
Round Cut
Wafer절단방식의 하나로 Wafer를 따라가며 둥글게 절단하는 것.
Routing
PCB회로를 연결하는 것.
PCB의 외형 가공하는 방법의 일종으로 Drill로 PCB의 원하는 치수를 가공하는 방법.
Row성 Fail
Device Test 결과 일정한 X address, 변화하는 Y address를 갖는 cell들이 연속적으로 fail된 경우.
R.S(Resistivity)
초순수의 수질중 정기전도성을 나타내는 용어로서 초순수중의 불순물 함유량을 나타냄.
RTI(read time inspection)
FQA Sampling검사에서 걸리는 실제시간.
RTV(Room Temperature Vulanizing)
상온 고무화. 도포액의 경화방법의 하나로서 25도, 상대습도 60%이상 고온에서 방치하여 고화시키는 방법.
Rubbing
액정분자를 일정방향으로 배열시키기 위해 나일론이나 면등으로 포리이미드면을 문지르는 방법.
Run Split
Run진행시 제품의 특성개선문제, 문제공정의 제어등의 목적으로 기존 공정과는 다른 공정조건 및 장비 또는 다른 작업순서를 해 당 Run의 일부 Wafer에 분리하여 적용한 다음, 이를 합쳐서 추후 공정을 진행하는 공정진행방식.
RZ(Return to Zero)
신호의 전주기 내에 Pattern을 Data "1"과 "0"에 따라 신호의 전주기 동안 Palse가 생성되는 파형. |
: MS Excel 2007
: MS Powerpoint 2007 
: MS Word 2007 
: 한글뷰어 2007
: Adobe Acrobat Reader 
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: Autodesk Inventor View 
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