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P
P-Channel
N형 기판에 P형 확산영역을 형성한 절연 게이트형FET에 있어서 소오드, 드레인간에 흐르는 전류의 통로인 채널이 정공에 의해서 형상 되는 것을 말한다.
P & R(Placement & Rounting)
Design Automation의 한 분야로 Chip Layout시 미리 준비된 Macro-Block및 Standard-Cell들을 자동으로 배치 또는 배선하여 최 적화하는 것을 말한다.
P/A(Process Area)
생산장비에서 Wafer의 가공공정이 행해지는 Area.
P-Type Silicon(Positive Type Silicon)
Major Carrier가 Hole인 Si를 말한다.
PA(Process Air)
Air Comp에서 생산된 압축공기를 Dryer 및 Filter를 통과하여 정체된 Air로서 생산장비에 사용된다.
Package
TR, Diode, IC등의 반도체 소자의 용기로서 Package는 재료면에서 Mold(수지) Type, Ceranic type, Cam(금속) type등이 있다. 또한 형상면에서 면실장 Type과 Pin삽입 Type이 있다.
Package Density
단위 체적속에 실장되는 부품 또는 소자의 수.
Panel Plating(판넬도금)
홀을 포함하는 기판의 전면을 도금하는 것.
Parasitic Effect(기생효과)
소형화된 IC에서 소자 사이가 근접하기 때문에 생기는 문제.
Passivation
회로가 외부의 먼지, 온도, 습도 및 긁힘으로 부터 Damage를 받는 것을 방지하는 위해서 보호층을 입혀주는 공정으로 주로 Plas ma CVD Oxide Nitride를 사용하며, PN접합표면을 습기나 불순물에 대해서 둔감하게, 즉 불활성으로 하는 방법.
Pattern
부품이나 디바이스의 배선 및 그들의 형태나 배치의 조합에 의해서 소요의 회로 기능을 구체화시킨 평면도형을 말한다.
PBH (Planer Buried Heterostructure)
가장 통상적으로 사용되는 반도체 레이저(LD)의 구조로서 발관부를 식각, 성장 등의 공정을 거쳐 다른 epi층으로 완전히 싸버리 는 구조이며 표면을 평탄화시킨 것이 특징이다.
PCB (Printed Circuit Board:인쇄 회로기판)
인쇄 배선판, 위에 저항, 콘덴서, 코일, TR, IC, LSI, 스위치등의 부품을 장치하고 납땜하여 회로기능을 완성시킨 것.
PCD (Plasma Coupled Device)
CCD등과 마찬가지로 일종의 집적형 Device.
PCM Data
RUN에서 추출되는 Data중 Test pattern을 측정하여 공정의 불량여부를 분석할 수 있는 Data.
PCM Test
Process control monitor하는 시험소자, 공정상의 특성을 알아보기 위애 실시하는 검사행위.
PCT(Pressure Cooker Test)
"증기압 시험"으로서 15PSI, 습도=100%, 온도=121±2 의 Pressure Cooker내에서 진행되는 내습성 시험을 말함.
PCW(Process Cooling Wafer)
공정용 냉각수로서 생산장비의 냉각을 위하여 사용된다.
PD(Photo Detector)
수광소자로서 해당영역의 파장의 빛을 받아들여 전기적인 신호로 바꾸어 주는 소자이며 동작원리에 따라 PIN-PD, APD등이 있다.
PDP(Percent Defect Panel)
대화면화에 용이한 자발광 소자로 개발 실용화 추진단계의 소자임.
PDIP (Plastic Dual In-Line Package)
Plastic으로 만든 Package Type의 한 종류이며 Package 양쪽에 Lead가 길게 나와 있어 Socker에 끼워 쉽게 사용할 수 있다는 장 점이 있으나 많은 면적을 차지하고 습기등에 약하다는 단점이 있다.
PECVD
(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)
강한 전압으로 야기된 Plasma를 이용하여 반응물질을 활성화시켜 기상으로 증착시키는 방법 또는 장치. TFT-LCD에서는 Insulato r층과 a-Si증착에 사용한다.
Pellet
불순물 주입등의 공정이 완성된 Wafer에 들어 있는 각각의 소자를 잘라낸 개개의 소자.
Pelletize
compound를 사용하기 좋게 작은 덩어리로 만드는 작업.
Performance Board
Test System또는 소자로부터 나오는 전기적 신호를 대하여 Test System과 Probe사이를 연결시켜 주기 위해 PCB에 Coaxial Cable 로 Wiring한 Interface board.
Peripheral LSI
Test system에 CPU를 지원하는 LSI군.
PG(Pattern Generator)
CAD System에 의해 Digitizing된 설계 정보를 Mask위에 Pattern모양으로 형상화시키는 기계로 Reticle제작에 사용.
PG(Pattern Generation)
회로설계 Pattern이 Layout된 상태를 Reticle/Mask 제작장비가 사용할 수 있는 Data로 바꾸어 주는 작업.
PG Tape
설계완료된 Layout Data를 Reticle/Mask제작장비인 E-Beam Machine에 맞는 Format으로 변경한 Data를 PG data를 보관한 Tape를 말한다.
PGA(Pin Grid Array)
Lead가Package의 아래쪽에 길게 나와 있는 정사각형의 반도체 제품.
Phase(위상)
미리 규정한 위치에서 본 반폭파형의 1사이클을 기준으로 한 상대위치.
Photo Conductive Effect(광전효과)
반도체에 빛을 조사함으로서 일어나는 전기 전도도의 변화나 기전력의 발생현상을 총칭하여 광전효과라 말한다.
Photo Diode
반도체의 PN접합에 역 바이어스를 가하고 접합면에 빛을 조사하면 PN접합에 흐르고 있는 역방향 전류가 증가하는 현상을 이용한 것이다.
Photo Etching(사진 식각법)
에칭재료에 대해서 내성이 있는 재료.
Photo-Resist
사진 식각 공정을 위하여 사용되는 점액성 액체를 말하며 빛이 닿는 유무에 따라 상태가 변하는 감광물로서 Positive와 Negativ e 2종류가 있음.
Photo-Resist or Resist
감광물질로 Positive와 Negative의 두 종류가 있음.
Photo Volatic Effect(광기전력 효과)
반도체의 PN접합에 빛을 조사했을 때 PN접합의 양단에 전압이 나타나는 현상을 광기전력을 말함.
PI(Process Integration)
반도체 소자를 만들기 위해 Photo, Etch, Diffusion, Thin Film, Ion Implantation과 같은 단위공정이 필요한 데 각 공정을 소 자의 특성에 맞게 Process Flow를 설계하고 제어하는 기능.
Piezo Electric Effect(압전효과)
어떤 종류의 결정에 어떤 방향으로 압력을 가하면 정해진 방향으로 유전분극이 나타나는 현상.
Pin Hole
사진 감광액 속에 입자가 존재하거나 Mask나 WF표면에 결함이 있을 때 사진 작업후 형성된 감광액 Pattern에 생기는 작은구멍.
확산로에서 성장시킨 산화막에 생긴 작은 구멍.
Pit
동박을 완전히 관통하지는 않으나 표면에 생기는 작은 구멍.
Pixel(화소)
두 단어 "Picture Element"의 합성어로 화면을 구성하는 R,G,B의 3돗트를 1화소라 하며 정세도가 높다고 하면 화소수 가 많음을 의미한다.
Pixel Defect
LCD 화소단위의 표시결함으로 능동 매트릭스 방식에 전형적으로 나타난다.
PLA(Programmable Logic Array)
일반적인 논리 회로의 조합으로 기능별로 연결하거나 Program에 의하여 조작할 수 있는 논리조작 회로.
Planner용법.
기억소자에서 콘덴서를 만드는 FAB공정기술중의 하나로 Silicon기판과 평행하게 콘덴서가 형성되는 기술.
Planar Transistor
FAB공정에서 만든 반도체 Silicon Chip의 수직구조가 평평한 상태정도를 말한다.
Plasma
거의 같은 수의 양이온과 전자를 띤 가스.
Plasma Display
가스 방전에 의해 문자 또는 숫자를 표시하는 것으로 절연물을 통해 글로우 방전을 일으키는 외부 전극형 표시 방전판이다.
Plasma Etching
고주파가 인가되 반응실 내부로 Gas를 주입하면 높은 Energy상태로 활성화 되어 이온, 전자, 원자, 래디칼등이 생성되는 데, 이 것을 사용하여 식각을 하는 일반적인 건식 식각, 좁은 의미로는 화학적인 반응에 의한 건식 식각 방법.
Plating
도금.
PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)
Package의 일종으로 lead가 4방향으로 난 표면 실장형 반도체 제품.
Plenum
공기의 유통을 위한 공간.
PLL(Phase Locked Loop)
전압에 의해 조정되는 발진 주파수가 기준 주파수와 일치할 때까지 주파수의 위상차에 비례하는 전압을 발생시켜 발진 주파수를 기준 주파수에 맞추는 회로방식.
P-MOS
양전하 즉 정공에 의해 Channel전류가 형성되는 MOS Transistor.
P-N Junction
P-N Junction은 P형 영역과 N형 영역사이의 경계부분. 이러한 Junction 그자체는 정류기(rectifier) 혹은 Diode를 만들어 냄.
PNPN Diode
PNPN의 4층 구조로 된 Diode.
PNP Type Transistor
PNP접합의 구조를 가지고 있으며 P, N, P영역을 각각 에미터, 베이스, 콜렉터로 한 접합형 TR를 말한다.
Polarizer
자연광을 직선 편광으로 변화시키는 필터로서, 요소 또는 2색성 색소로 염색한 PVA필름을 연신 가공하여 TAC(Tri Acetyl Cellul ose)필름 사이에 넣은 판.
Poly-Crystal(다결정)
물질이 결정질의 것인 경우 하나의 덩어리속에 결정축의 흐트러짐이 있거나 결정축 방향이 다른 것이 포함되어 있는 것과 미세 한 단결정의 모임으로 되어있는 경우를 다결정이라 한다.
Poly-Crystal Silicon(다결정 실리콘)
결정 전체에 걸쳐서 원자 또는 원자 집단의 주기성이 유지되고 있을 때 이것을 단결정이라 하며 전체가 임의의 방향을 향하고 있을 때 이것을 비정질 또는 무정형이라 한다. 다결정은 이 중간의 상태이며 작은 단결정이 불규칙하게 모인 것이다.
Poly-Si
장범위에서는 결정성이 없지만, 단범위에서는 결정성을 가지고 있는 실리콘 물질. 결정 경계로 구분되어 있고 결정 경계 내부는 단결정이며 이러한 결정이 다수 존재한다.
Polyimide
이 막은 Rubbing공정을 통해 배향함으로써 액정이 일정한 방향으로 배열하게 한다.
Polymer
종합체. 수천개 이상의 단량체(Monomer)들이 서로 결합되어 이루어진 고분자 화합물.
Positive LCD
LCD에서 Normally White라고도 하며 흰 바탕에 검은 문자가 나타난다.
Post Burn-in
Burn-in후에 검사하는 것.
Post Laser Repair Test
Laser Repair수행 후 Wafer Chip의 Pass/Fail및 Laser Repair성공여부를 판별하는 전기적 성능검사법.
Pot
성형 금형내에 합선수지를 투입시키는 입구.
Power Regulator
Bipolar기술로 IC화 시킨 정전압용 IC로써 산업용 Linear IC의 한 종류이다.
PR(Photo Resist)
감광성 고분자로서 노광 공정시 빛을 받은 부분이 광반응을 하여 현상공정 후 Pattern울 형성한다. 광 감응제가 섞여 있는 유기 화합물로 빛에 의해 자체내에서 화학반응이 일어나 화학적 구조가 변하여 현상액에 의해 일정 Pattern이 형성되도록 하는 물질.
Pre Burn-in
Burn-in에 들어가기 전에 검사하는 것.
Predipitate
일정해야 할 지역에 (불순물 농도등), FAB제조 공정중 어떠한 이유로 핵을 중심으로 모이는 현상.
Preform Feeder
릴 상태로 감겨 있는 납 Preform을 일정한 길이로 잘라서 Lead Frame위에 접착시키는 장치로서 반시계 방향으로 환원.
Pretilt Angle
유리기판 표면에 대한 액정분자 장축의 경사각도.
Probe Card
Wafer내의 Chip의 전기적 동작상태를 검사하기 위해 Probe Tip을 일정한 규격의 회로 기판에 부착한 카드.
Prober
Test장비와 전기적 신호를 주고 받을 수 있도록 연결되어 있으며 Wafer를 X, Y, Z축으로 움직여 각 칩을 ROOM/HOT 온도상태에서 Wafer내의 지정된 Point 탐침을 접촉시켜 Test하는데 사용되는 장비임.
Probing
측정을 위하여 만들어 놓은 PAD에 Probe Tip을 정확하게 Contact시키는 것.
Process Minispec.
공정개발실에서 base line공정이 확정되어 FAB운영실로 이관될 때는 작성되는 SPEC으로서 각 공정 진행시의 작업순서,작업조건, 작업결과의 확인기준을 명시한 해당공정의 기술 표준.
Profile
지정된 공정에서의 필요온도를 장비내에 오차없이 입력시키는 일련의 작업으로써 확산공정에 쓰임.
Proximity Effect
Pattern이 조밀한 지역과 밀도가 아주 낮은 지역과의 경계면에서 Etch속도의 차이가 나는것을 말함.
PRT(Production Realiability Test)
공정 신뢰성 시험으로서 양산중인 제품에 대한 품질확인 검사를 말한다.
PSG(Phospho-Silicate-Glass)
인규산 유리. 산화막에 Phosphorous가 첨가된 것으로 절연특성이 양호하며 낮은 온도에서 Reflow되는 특성을 갖는 물질로서 반 도체 표면의 안정화등에 사용.
P/S(Prober Station)
Wafer를 검사하기 위해 테스터와 연결된 설비
PSRAM(pseudo SRAM)
DRAM의 장점인 동일면적에 있어서 기억용량의 극대화와 SRAM의 장점인 Refresh 불필요성을 결합시킨 것으로 DRAM의 장점과 SRAM 의 장점을 결합시킨 기억소자.
P-Type
N-Type 에 대응되는 것으로 반도체 재료에서 전류의 흐름을 형성하는 정공의 밀도가 전자의 밀도보다 훨씬 크도록 3가의 불순물 원소를 주입한 반도체.
P type semiconductor
콘스탄드 히팅에 반대되는 개념으로 지속시간이 짧은 전류를 본딩 팁에 흘려 순간적으로 열을 발생시키고 전류를 차단하면 동시 에 열도 차단되는 것.
Punch-Through Breakdown
Source/Drain Junction depletion region이 만나면서 생기는 Breakdown현상으로 Substrate농도가 낮거나, 또는 Short Channel일 경우 두 Junction의 Depletion이 만나면서 Source-Dain사이에 갑자기 많은 전류가 흐르는 현상을 말한다.
PV(Process Vacuum)
공정용 진공으로 진공 Pump에서 생산되어 라인으로 공급된다. 생산장비에서 웨이퍼의 고정과 이송용을 사용됨.
PVD(Physical Vapour Deposition)
CVD에 대비하여 쓰이는 말로 스퍼터링, 증착 등의 물리적인 박막 증착기술을 총칭하는 것.
PW(Polished Wafer)
연마 가공된 웨이퍼.
PWL(Pulsed Word Line)
ICC를 줄이기 위해 Reading시 Word Line의 Signal을 Pulse형태로 Control하게 설계한 Circuit개념이다. |
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