M

Macro Cell
기본적인 논리회로를 금속배선을 구현한 Library로서 회로의 내부에 사용되는 Core Macrocell과 외부와의 Interface에 사용되는 Input/Output Macrocell로 구분된다.

Macro Function
Macrocell의 집합체로 Macrocell보다 복잡한 기능을 수행하며 고정된 Library로 구성된 것이 아니라 CAD software를 사용하며 기존의 Library를 조합해서 사용하는 Library.

Macro Loading Effect
Wafer 전체표면적에서 etch해야 하는 면적의 비에 의해 크게 영향을 받는 것을 말한다.

Magazine
Lead Frame을 한 Strip씩 받아 넣어 취급시 안정하게 보호하는 Carrier로서 재질은 알루미늄.

Magneto Diode (자기 Diode)
전기적 특성이 외부에서 가해지는 자계에 의해서 변화하는 Diode.

Main Frame
크기와 기억용량이 큰 컴퓨터. 컴퓨터 회로판.
컴퓨터의 중신부분으로서 중앙처리장치, 주기억장치, 입출력장치와 파워 팩으로 구성되는 것.

Magnetic Ink (지기잉크, 자석잉크)
자석에 붙는 성질을 가진 Ink, TR이나IC등을 Wafer의 상태로 특성체크를 할 때 양품과 불량품을 구별하여 이 잉크로 표시를 해 두었다가 스크라이브해서 분리할 때 이 표시를 해두었다가 스크라이브해서 분리할 때 이 표시에 의해서 불량품을 폐기한다.

Majority Carrier (다수 캐리어)
불순물 반도체에서 전기전도의 역할을 하는 캐리어인 전자와 정공의 어느 한 쪽의 수가 많다. 이 많은 수의 캐리어를 다수 캐리 어라 한다.

Manual Station
Handler로 검사 하지 않고 수동으로 제품을 검사하기 위하여 Tester에 부착된 장치.

Mask
반도체 소자 혹은 집적회로의 구조를 크롬이 칠해진 유리판 위에 형성한 것으로 사진술을 이용하여 유리판의 구조를 복사하여 반도체를 제조하기 위해 반도체 소자 회로가 인쇄된 유리 원판.
Mask Epitaxial Method
반도체 기판에 필요한 부분만을 선택해서 단결정층을 성장시키는 것을 Mask에피택설법이라고 한다.

Mask Layout
집적회로용 Mask를 만드는데 있어 소자, 재료, 분리개소, 도통개소등의 크기,형태,위치 등을 전기적, 자기적, 열적 및 기타 여 러 가지면에서 고려하여 가장 효과적인 배치가 되도록 mask를 설계하는 것을 말한다.

Mask Tooling Information
Reticle/Mask 제작을 위한 Information으로서 내용으로는 PG Data정보, Frame구성및PIE좌표 Scrbe Line네에 포함된 Align Key에 대한 Information을 포함하고 있어 Vendor에서는 이 정보에 따라 제작한다.

Master Drawing
전도성이나 비전도성 부품들의 위치, 크기, 형태, 홀의 위치 등을 포함하여 기판상의 모든 부품의 위치 및 기판의 크기를 나타 내는 문서.

MBE(Molecular Beam Epitaxy)
각종 피라미터를 정밀하게 제어한 고급진공증착법.

MCC(Motor Channel Center)
Motor의 가동, 정지를 손쉽게 하고 이상시 사전 차단시켜 손실을 방지키 위한 목적으로 설치한 Panel.

Mcdonnell Switch
저수위 차단장치. Boiler의 수면이 위험수위보다 낮아져 전열면이 화염, 고온 Gas에 노출되었을 때 과열되어 일어나는 사고를 미연에 방지하기 위해 Boiler가 위험수위에 도달하기 전에 신호를 발신하는 장치 .

MCM (Multi Chip Module)
다중칩 모듈이라고도 불리고 있는 이 모듈은 각기 다른 기능을 가지고 있는 여러 개의 칩들이 한 개의 플라스틱내에 패키지화된 것을 말함. MCM의 목적으로 시스템의 면적축소, 가격절감과 스피드 개선을 위하여 만들어 졌으나, 칩 동작시 발생되는 과도한 열 발생을 감소시키기 위한 노력이 시도되고 있다.

MDS (Microcontroller Development System)
MICOM 응용 Program 의 개발을 위해 지원하는 모든 종류의Tool.

Measling
기판내부의 섬유성분이 교차되는 부분에서 글라스 화이버가 분리되는 형태.

Mechanical Pump
저진공에 사용되는 진공 펌프로서 고정체에 대한 회전체의 회전에 의해 밀폐된 공간으로부터 Gas를 뽑아 내는 장치.

Mega Cell
RAM,ROM등의 Memory블록과 PC주변 연결회로인 82 Series와 같이 크기가 큰 Logic을 Macrocell과 같은 Library.

Mega function
Megacell와 같은 기능을 수행하는 Library를 Macrofuntion과 같이 CAD를 사용하여 조합하는 Library로서 Megafunction Library 를 사용하면 Disk의 공간을 줄이고 사용자가 원하는 형태로 만들 수 있다.

Memory Cell
Memory IC에서 Data정보를 축적한 부분. RAM에서는 SRAM, DRAM, SRAM Cell은 Latch로 구성되며, DRAM은 Condenser에 의하여 구 성된다. SRAM은 구조가 복잡하여 대용량 제품을 만드는 데 어렵지만, 반대로 Access사용방법의 용이함등의 장점을 갖는다. DRAM 은 Condenser의 전하유무를 Bit정보로 하고 있다,. 구조가 간단하기 때문에 대용량화가 가능하다. 전하가 Leak등으로 방전되기 때문에 수시로 Data를 읽어 내어 Rewrite하는 조작(Refresh)이 필요하며 그것을 위한 회로가 필요하다.
Memory Effect
액정표시에 있어서 전기 광학 효과등에 의한 표시상태가 외장을 제거한 후에도 유지되는 현상을 말한다.

Memory module
단일 Memory를 여러 개 조합하여 보다 큰 Memory제품을 말함.

Mesogen
액정분자에서 중간상 형성분자.

Metal Gate
게이트 전극으로(AI을 주로 사용)을 사용한 절연게이트형 전계효과 TR로서 일반적으로 흔히 볼 수 있는 MOS FET 또는 그와 같은 MOS FET을 소자로 하는 IC를 말한다.

Metallization
반도체 소자와 소자를 전기적으로 상호 연결시켜 주는 것.

MFC(Mass Flow Controller)
가스 유량 제어장치.

Micro Bridge
Pattern과 Pattern사이에서 생긴 Bridge로 아주 미세하여 일반 Scope을 이용하여 볼 수 없을 정도이며 일반적으로 Current leve l보다는 Scope상에서의 크기를 기준으로 한다.

Micro IC
마이크로파 영역에서 동작하도록 설계된 집적회로.

Micromulsion
양친매성 분자의 수용액에 기름(탄산수소)을 가용화시킨 계.

Mil
길이의 단위 1/1,000 Inch. 약 25.4μm.

Minority Carrier(소수 캐리어)
불순물 반도체에서 전자나 정공중에 작은 쪽의 캐리어를 소수 캐리어라 한다.

Mis-Align
감광 원판(mask)의 형상과 Wafer의 형상간에 부정확한 정열이 이루어진 것.

MLM(Multi-Layer Metal)
IC집적도가 증가함에 따라 Metal 1 Layer의 배선으로는 무리가 따른다.
따라서 절연층을 사이에 주고 금속 배선을 2중, 3중으로 하여 집적도를 증가시키는 배선기술을 다층배선을 한다.

MMIC(Monolithic Microwave Integrated circuit)
마이크로파 대역의 회로를 Wafer상에 집적시킨 IC로 기판상에 Inductor, Capacitor,저항, Transistor등을 만들어 마이크로파용 배선으로 상호 연결하여 제작한다.

MO Tape(MASK ORIGINAL TAPE)
설계가 완료되어 실제 Mask를 제작한 Data를 말한다.

Mobility
기체, 액체, 고체속의 전자, 음이온, 양이온등이 전계의 작동에 의해서만 이동할 경우 단위전계장도 10/m당의 평균속도이며 이 동도라고도 한다. 단위기호는 이다.

MOCVD
(Metal-Organic Chemical Vaper Deposition)
MOVPE라고도 부르며 Epi층을 성장시키는 장비이다. 원리는 성장에 필요한 Source들을 함유한 기체를 열 분해시켜 반응물질을 기 판에 달라붙게 하는 것으로서 통상적으로 원자5층 이하의 두께까지 조정 가능하다.

Mode
최빈수. 변수중 가장 빈번히 나타내는 수.
하나의 기계, 장치, 회로 시스템등이 Operation의 방법에 따라서 다른 상태가 되는 것.

Model Parameter
회로Simulation을 위한 목적으로 공정을 통해 제작된 소자의 전기적 특성을 추출하여 계수화한 값의 집합.

Module
규칙성과 분리성을 가진 몇 개의 부품 또는 소자로 구성되며 어떤 정해진 기능을 다하는 단일 부품단위로 간주되는 조립 회로이 다.

Module 공정
제품특성을 분석하기 위하여 특정 단위 공정을 연속적으로 하는 공정.

Molding
성형을 말하며 플라스틱을 일정한 형틀(금형)에서 성형하여 제품을 만드는 것이다. 반도체 공정에서는 Wire Bonding된 각각의 제품을 플라스틱 몰딩 컴파운드(성형재료)로 성형하는 성형하는 공정이며 package성형시 컴파운드는 고주파 가열기로 예열시킨 후 사용.

Molding Compound
Wire Bonding 된 반제품을 성형하는 성형재료로서 고분자 화합물인 수지에 각종 배합제를 가하여 쉽게 만든 열 경화성 수지.

Molding Die
규격치 모형에 형을 만들어 놓고 열 경화성 합성수지를 압입시켜 경화된 형 모형에 제품을 만들어 내는 틀.

Monitoring
공정흐름을 감시 및 점검하는 경우.

Monolithic IC
1개의 반도체 결정핀으로 된 회로를 가리킨다.

MOP(Metal Oxide Passivation)
금속 산화막에 의한 표면 안정화.

MOS(Metal Orcide Semiconductor)
Silicon기판등의 반도체표면에 산화막을 입히고 그 위에 금속을 부착시킨 구조의 Device.

MOS FET(MOS Field Effect Transistor)
Source, Drain Gate3개의 전극을 갖고 있으며 Gate전극에 가해진 전압에 따라 Source와 Drain간의 Channel전류를 제어한다.

MOS IC
MOS FET를 사용한 IC.

Movement
한 Run이 하나의 단위공정으로 진행된 것을 말함.

MPR(Micro Peripheral)
주변 LSI라 부르며 Micro Computer주변장치나 메모리와 Microprocessor를 접속하는데 필요한 LSI를 말한다.

M-Pyrol
금형내에 존재한 수지 찌꺼기, 이 형체의 성분, 기타 유지성분을 제거하기 위하여 사용되는 화공약품.

MRB(Material Review Board)
제품의 신뢰성을 통하여 일정한 Criteria로부터 벗어날 경우, 제공및 Stock된 제품등을 포함하여 전반 공정의 Shut-down를 의미 하여 24시간이내 Corrective action을 요구.

MSI(Medium Scale Integration)
100개 이하 또는 10개 이상의 논리 Transistor로 구성된 집적회로.

MTO(Medium Temperature Deposition of Oxide)
LPCVD방식으로 약 800 정도의 온도에서 산화막을 증착시키는 방법.

Multi-Processing
여러 개의 마이크로 프로세서가 한 개의 시스템에 장착되어 각각 서로 다른 일을 독립적으로 시행하는 상태를 말한다.

Multiple Diode
하나의 케이스속에 2개이상의 Diode를 포함한 것.

Multiplexer
병렬로 입력된 데이터를 제어입력(선택입력)에 의해 Control하여 직렬로 변환해서 출력으로 꺼내는 회로이다.

Myelin Figure
스메틱A상의 상태에 있는 어떤 양친매성 분자의 2분자층이 원주상 구조로 되어 있는 구조체 조직.