L

Labelling(명명)
Wafer에 RUN번호를 기록하거나 확산 Tube에 번호를 Diamond pen으로 기록하는 것을 말한다.

Laminar Flow Station
먼지를 제거한 순수한 공기만이 흐르게 되어 있는 작업대를 말하며 Filter를 통해 공기가 정화유입됨.

Laser Diode
반도체 레이저에서 레이저 발진을 일으키는 하나의 방법으로서 PN접합에 큰 전류를 흘려서 소수캐리어를 다량으로 주입하는 방 법이 있다. 이것을 반도체 접합형 레이저 또는 주입형 레이저라고 하며 이것에 쓰이는 PN접합을 레이저 다이오드 라고 한다.

Laser Interference Method
Etch 공정시 Wafer표면에 주사시키는 Laser의 반사파를 추적하여 반사파의 파장이 노출되는 박막의 종류에 따라 변화되는 신호 를 기준점으로 활용하는 방법.

Laser Repair
반도체 제품에서 Data저장소의 일부(혹은 회로일부)가 제조공정에 의해 그 기능을 제대로 발휘하지 못할 경우 laser를 사용해서 일정부분의 회로를 끊어 다른 data저장장소(혹은 다른 회로)로 대체하여 제품기능에 이상부위를 정상으로 동작 할 수 있도록 회 로를 교체해 주는 것.

Laser Scriber
반도체 Wafer로부터 Die를 잘라 내는데 레이저 광선을 금을 긋는 장치를 말한다.

Laser Test
Yield 향상을 위하여 Fuse를 Laser로 끊어 내는 작업

Lasera
유도 방출에 의한 빛의 증폭.

Latch
신호의 일시 기억용으로 사용되는 회로

Latch Up
CMOS구조에서 외부의 전압, 변동이나 전기적 잡음 또는 ionizing redation등으로 Turn on되어 소자의 동작을 방해 또는 파괴시 키는 동작을 말한다.

Layer
반도체 IC를 만들기 위해서는 Si-Wafer위에 순차적으로 층(Insulator, Conductor등)을 쌓아가면서 Photo/Etch공정을 거치면서 원하는 Pattern을 형성하게 되는데 이러한 층들을 의미한다.

Layout Plot
Layout을 육안검사하기 위해 전체 혹은 일부를 배율조정해서 Hard Copy로 출력한 도면으로 C-MOS LSI등에 있어 어떤 특정한 상 태에서 기생하는 THYRISTOR 또는 TRANSISTOR가 도통하고 전원 단자간에 대전류가 흐르며 회로동작이 고장상태가 되기도 하여 IC 가 전류에 의해 파괴되는 현상을 말한다.

L/B (Loadboard)
Test System에서 사용되는 일종의 Jig.

LC (Liquid Crystal)
물질이 가열되어 고체에서 액체로 변화될 때의 어떤 특정의 유기재료에 나타나는 중간상태를 말한다. 이 상태에서는 고체처럼 분자가 어떤 특정한 질서를 갖고 배열하며 점성이 낮은 액체와 같은 유동성을 겸비하고 있다. 이것이 액상결정 즉 "액정 "이다.

LCD(Liquid Crystal Display)
액정을 이용한 문자나 숫자 표시판으로 두 개의 유리판 사이에 액정을 넣고 전압에 의하여 원하는 문자를 표시하도록 한 장치.

LDD(Lightly Doped Drain)
Doping이 낮게되는 영역을 이용, Device의 동작 전압을 향상시킬 목적으로 사용되는 공법.

LDMOS(Lateral Diffused MOS)
고전압 회로에 응용하기 위하여 기존 MOSFET를 변형한 구조로 Source와 Drain 확산사이가 채널영역과 표동영역으로 분리되어 높 은 항복전압특성을 나타낸다.

Lead Finshing
반도체 제품의 Lead표면을 대기중 산화와 부식으로부터 모호하고 납땜 신뢰도를 높이기 위해 주석도금(Tin), 납땜 혹은 납도금 하는 공정.

Lead Frame
TR, Diode, IC등의 반도체 제품을 조립시 Sawing된 Die를 Attach시키는 머리빗 모양으로 정형된 얇은 금속판. 재질별로 Alloy42 , Copper, Kovar, Steel등으로 구분되며 형태별로는 IDF와 TTT형이 있다.

Leak
세그먼트와 세그먼트사이 또는 Pin과 Pin사이에 도전성을 지닌 이 물질등에 의해 이상전류가 흘러 불량이 일어나는 상태.

Leak Current
누설전류라고도 하며 원래 전류가 흐르지 않아야 할 곳에 전류가 흐르는 것을 말한다.

Leakage
보통의 Input나 tristated output은 open circuit같이 high impedence로 표현될 수 있다. leakage는 규정된 voltage가 인가되 었을 때 input과 triasted output에 누설되는 current양을 말하며 input leakage와 triasted leakage가 있다.

LED(Light Emission Diode)
반도체 소자로서 전류가 통과할 때만 빛을 발산하는 Diode. (PN접합형 반도체)

Legend(식자)
정상적으로 작동할 수 있도록 기판상에 글자나 숫자나 기호를 표시하여 부품의 위치를 표시하는 것.

LF(Lead Frame)
Chip을 접착시킬 수 있는 금속.

Library
Gate array와 Standard cell방식으로 제품을 설계시 배치배선의 효율성을 높이기 위해 미리 준비된 각종 논리블록의 집합체.

LIM(Linear Induction Motor)
일반형 유도 전동기를 축에 따라서 분리하여 1차축 고정자, 2차축 회전자 및 공극을 각각 직선으로 펼친 비회전형 Motor이다.

Linear IC
계수형 IC와 반대되는 것으로 입력의 크기에 따라 출력이 선형적으로 변화하는 집적회로로, 증폭기, 정전압기 등이 있음.

LIPAS(Line Item Performance Against Schedule)
계획대비 항목별 달성율.

Liquid Crystal (액정)
액체의 유동성과 결정의 공학적 성질을 겸비한 액체나 고체의 중간적 성질을 갖는 물질이다.

Liquid Phase Epitaxy (액상에피태셜)
주로 화합물 반도체에 사용되는 에피택셜법이다. 고 온도속에서 Ga, Sn등의 용매 금속에 화합물 반도체를 용해시켜 두고 다음에 이것을 과포화상태로 하여 기판위에 단결정을 성장시키는 방법이다.

LN2(Liquified N2)
액화된 N2 GAS, 저온을 필요시 사용.

Loader
Stocker의 공정간 반송정지 Station사이에서 Cassette를 주고 받는데 사용되는 Unit.

Load Circuit
Test시 Device에 실제 Application 과 유사한 환경을 인위적으로 조성하기 위해 출력단에 저항, Cpacitance를 가해 주는 Circui t.

Loading
Wafer를 캐리어 혹은 Boat에 Tweezer 또는 기계를 사용하여 담는 것을 말한다.

Loading Effect(전계효과)
식각 공정시 발생되는 문제로 Pattern밀도의 차이 및 Pattern크기에 따라 식각속도가 달라지는 현상.

Loading fixture
Lead Frame을 성형할때 편리하도록 만들어진 기구.

Local Oxidization of Silicon
선택산화. 산소나 수증기의 확산에 대하여 큰 저지효과를 갖는 막을 남긴 영역과 제거한 영역들을 동일 silicon기판상에 형성하 고 이들 영역에서의 열산화막 성장속도의 차이를 이용하여 선택적으로 특정영역에만 두꺼운 산화 silicon막을 형성하는 방법으로 일반적으로 질화 silicon막의 아래에는 변형에 의한 결정결함이 발생하는 것을 방지하기 위하여 산화 silicon막이 설치된다.

Logic Circuit(논리회로)
취급신호를 전압이 높은 상태와 낮은 상태만으로 하여 이것을 2진수로 대응시켜 논리연산, 기억, 전송, 변환등의 조작을 하는 것이다.

Logic Simulation
IC설계과정중의 하나로 Functionality를 검증하기 위해 Logic Value값을 이용하여 수행하는 실험절차.

Logic Synthesis
HDL로 기술된 Netlist를 입력으로 하여 Logic Level Schemetic를 합성하는 설계의 한 방법. 설계하려는 시스템의 구성을 하드웨 어 기술언어의 일종인 VHDL을 이용하여 기술하여 주면 Logic이 생성된다.

Lot
Sampling 목적으로 균일한 조건하에서 누적되는 재료나 제품의 정의된 량.

Lot
Wafer의 한 묶음.

Low Power Part
정상적인 Power소모량보다 월등히 소모전략을 줄인 Device로서 Portable형 장비에 많이 사용된다.

LP(Lens Paper)
Lens 세척용 종이.

LPCVD(Low Pressure CVD)
상압보다 낮는 압력에서 Wafer위에 필요 물질을 Deposition하는 공정에서 사용 반응 Gas들의 화학적 반응방법을 이용하여 막을 증착시키는 방법으로서 확산공정에서 사용.

LRR (Lot Reject Rate)
Gate에서의 Lot Reject비율.

LSB (Least Significant Bit)
최소 유효자리 비트.

LSI (Large Scale Integration)
논리회로 기본 소자인 Transistor100개 이상으로 형성된 집적회로.

LTO (Low Temperature Deposition of Oxide, 저온 산화막 증착)
LPCVD방식으로 400~450℃의 비교적 저온에서 산화막으로 증착시키는 방법.

LTS(Low Temperature Storage)
"저온 보관 시험"으로서 저온(-40℃)의 Oven속에서 Device를 시험하는 환경시험.
Luminerous Effciency
시스템에 들어간 전력에 대해 빛의 출력으로 사용되는 전력의 단위를 말한다.

Luminescence
고온의 상태에 있는 물질은 그 온도에 특유한 스펙트럼을 가진 파장의 빛을 복사하는데 온도에 의해서 정해지는 스펙트럼과 다 른 파장의 빛을 나타내는 현상.

LVS (Layout Versus Schematic)
Layout이 회로설계도와 같이 동일하게 그려졌는지의 여부를 점검하는 것.

Lyotropic Nematic
농도에 의해서 등방상, 네마틱상의 상전이를 일으키는 액정을 말한다.