I

I-line stepper
사진공정시 사용되는 가시광선의 광원중 자외선 영역의 365 nm의 파장을 갖는 사진장비

IC (Integrated Circuit)
집적회로라 부르며 2가지 이상의 회로소자를 기판내에 집적하여 상호배선을 연결시킨 회로로써 설계부터 제조, 시험, 운용에 이 르기까지 하나의 단위로써 취급되는 것으로 정의한다.

IC Memory
종래의 자성체 대신에 바이포라 TR이나 MOS 로 F-F를 구성하여 기본 Memory(cell)를 만든 IC회로.

IC Tester (집적회로 검사장치)
출하직전 IC의 전압이나 저항등의 전기적 특성을 검사하고 불량품을 제거하는 장치. 불량품과 양품을 자동적으로 구별하는 ATE (Automatic Test Equipment)가 주류를 이루고 있음.

Ids
MOS TR에서 동작시 Source와 Drain간에 흐르는 전류.

Ie (Emitter Current)
에미터 전류

IEC (Integrated Equipment Computer)
앞으로의 집적회로가 지향하는 추이로서 모든 장비의 기능이 하나의 반도체 집적회로로 구성되는 것.

(Integrated Injection Logic)
저항대신 Bipolar Transistor형태의 구조인 PNP형 Tr-ansistor부하와 역동작을 하는 NPN형 Transistor를 이용한 논리회로로 전 력소모가 적고 속도가 빠르다. Bipolar Logic IC의 일종. 횡형 PNP Transistor 를 이용한 역접속의 NPN Transistor가 N영역과 P 영역을 공유한 구조. Gate점유면적이 적고 소자를 분리시킬 필요가 없기 때문에 비교적 고집적화가 가능하다. Analog. Digital 혼재회로 내장 Bipolar IC의 Digital부에 사용하는 경우가 많다.

(Isoplanar Integrated Injection Logic)
의 개량된 기술로 이루어진 논리회로로 각 소자사이를 산화막으로 격리시켜 집적도를 상승시킨 것.

ILT (Infant Life Test)
초기 수명시험(신뢰성) 48시간. Burn-In과 같음.

Image Sticking(잔상)
동일 화면을 장시간 켜 두었을 때 화면이 바뀌어도 상이 남아 있어 오랫동안 없어지지 않고 남아 있는 것을 말하며 ghost효과라 한다.

Impact Ionization
고체격자 내에서 Electric Field에 의해서 가속된 Electron과 Atom이 충돌하여 Electronhole Pair를 생성시키는 현상을 말한다.

Implanter(이온 주입기)
불순물을 강제로 wafer에 주입시키는 장치로서 고전류, 중전류, 저전류 이온 주입기등 3종류가 있다.

Implanting (이온주입)
wafer내부로 B(붕소)나 P(인)등을 Implanter를 이용해 주입시키는 것을 말함.

Impurity
반도체의 전기흐름에 기여하는 각종 원소를 말하며, P형과 N형 불순물로 나눔.
P형: B, AI, Ga, In등
N형: P, As, Sb등

Index Feeding
작업대위에서 작업을 하거나 작업이 종료된 Lead Frame이나 이송되는 자재를 이동시키는 것.

Index Register
메모리내의 Address를 지정하기 위한 Register.

Induced Cholesteric Phase
네마틱상에 액정상을 갖는 광학 활성인 카이랄 분자를 가하면 콜레스테릭상이 나타난다. 이를 유도 콜레스테릭상이라 한다.

Induced Smectic Phase
혼합액정에 있어서 제각기 성분 단독으로 스메틱상을 만들지 않는 경우에도 혼합계에서는 어떤 성분비의 범위로는 스메틱상을 만드는데, 이를 유도 스메틱상이라고 한다.

Indum arsenide
InAs, III-V족 반도체중 하나.

Initial Oxide
Si과 Nitride가 상이한 열팽창계수를 갖고있어 이로인한 Tensite Stress(1×109 Dyne/cm2)로 인해 이후 열처리 공정에서 결정결함의 발생확률이 높으며, 이의 방지를 위해 사용하는 Buffered Oxide의 구실을 한다. 또, 이 Oxide의 두 께는 향후 Bird's Beak에 영향을 끼치기도 한다.

Injection(주입)
PN접합면에 있어서 각 영역의 다수캐리어가 반대쪽 영역으로 소수 캐리어로 되어 흘러 들어가는 현상.

Ink
불량을 표시할 때 사용되는 액체.

Inker
Wafer검사시 불량품에 Ink를 찍는 장치.

Inking
Package공정에서 양품의 제품에 대해서만 Package하도록 Wafer상태에서 불량인 제품에 대해 Inking을 하여 불량품을 나누는 공 정.

Inorganic Filter
특별한 파장의 빛에 광학적 간섭이 강하게 나타나도록 무기물을 사용하여 얇은 막을 만들어서 광을 통과시켜 착색하는 방법.

Input Buffer
외부 Signal에 대하여 반도체 소자내부의 voltage level에 맞도록 조정하여 받아들이는 회로.

Input Level
Device에 가해주는 외부 파형들의 전위로De-vice가 특정 상태(High, Low)를 인식하게 된다.

Insulator
도체와 도체를 연결시켜 주는 부도체 물질을 말한다.

Inter-bay
Bay와 Bay간 물류이동을 말하며 Clean Way (AGV, Track)가 많이 사용되고 있다.

Interface
Amp및 Computer등에 사용되는 것으로서 주변기기를 서로 연결할 때 동일한 조건으로 상호교류가 가능하도록 해주는 일종의 신호 변환 장치.
Inter Metallic Compound(금속간 화합물)
두 종류이상의 금속이 결합하는 일종의 화합물로서 그 결합비율이 일정한 비로 되는 점이 합금과 다르다.

Intra-bay
Bay안에서 장비간 물류이동을 뜻하고 AGV나 Track이 사용된다.

Intrinsic
P형 혹은 N형의 전지적인 성질을 나타내지 않는 것을 나타내며, 이러한 영역에는 P형 혹은 N형의 불순물이 없거나 동일한 양의 불순물이 있어 서로 상쇄되어 전기적인 성질의 나타나지 않는 영역을 나타낸다.

Inversion
MOS FET에서 Gate전압에 의해서 생긴 P→N Type 변환이나 N→P Type 변환을 말함.

Inversion Wall(반전벽)
열평형 상태에서도 질서상이 체계 전체에 걸쳐 존재하지 않고 어느 정도 축적된 상태가 공존하여 존재하는 경우가 많다. 이러한 상태간의 경계를 벽이라 하는 데, 여기의 좁은 뜻으로는 위상만큼 차이 나는 상태간의 벽을 의미한다.

Inverted Staggered(역전층)
비정질 실리콘 박막 트랜지스터에 주로 이용되는 구조로 게이트전극이 제일 밑에 있고 source와 드레인 전극이 활성층 위에 존 재하는 구조를 말한다.

Inverter
Digital Circuit에서 1→0 으로 또는 0→1로 변환시키는 회로.

Ion Beam Lithography
기존의 Optic, X-ray, electron beam을 이용하는 방법보다 더 발전된 현태의 Lithography방식으로서 보다 정밀한 해상도를 얻을 수 있음.
Ion Implantation
반도체 소자가 원하는 전기적 특성을 가지도록 반도체 기판위에 필요한 부분에만 고전압으로 가속된 이온을 물리적으로 주입시 키는 것.

Ion Injection
Silicon등에 확산법에 의해 불순물을 넣어 주는 것이 아니라 lon을 쏘아서 원하는 개수만큼의 불순물을 주입하는 것.

Ion Shell (이온각)
최외각 전자를 제외한 나머지 전자와 원자핵의 결합.

IPA (Iso Propy Alcohol)
세정하거나 휘발성을 이용하여 건조시킬때 사용되는 화학물질임.

IPO (Inter Poly Oxide)
도체인 Poly Si과 Poly Si사이의 절연을 위한 Oxide.

ISO-Planar
Planar보다 평탄하게 형성시킬 수 있는 기술.

Isolation
반도체 집적회로는 한 Chip속에 TR, Diode저항등의 회로소자를 조립해 넣으므로 소자를 먼저 각각 분리하여 고립된 상태를 만들 어 놓는 데 이를 Isolation이라 한다.

Isolation Diffusion
일반적으로 N형의 Epi층을 통하여 P형 Sub-strate까지 통하도록 진행함. 같은 유형의 Epi층위에서 다른 전기적 성질을 갖는 영 역들을 고립시키도록 하는 목적으로 사용됨.

Isotropic Etching
등방성 식각. 식각 반응이 수직 및 수평(측면)양 방향으로 진행되는 식각 형태.

Isotrophic Phase (등방상)
물질이 거시적인 물리적 성질이 방향에 따르지 않을 경우 그물질은 물리적 성질에 대해 등방적이라고 하며 외부의 장이 존재하 지 않고 열 평행 상태에 있는 모든 물리적 성질에 대해 등방적일 때 등방성이라 한다. 이는 가늘고 긴분자 구조에서 분자의 축 방향광 직각 방향에서 물리적 성질을 달리하기 때문이다..

Isolation in IC
반도체 집적회로에서 소자끼리 전기적으로 영향을 받지 않도록 하는 것.

Isotropic
물질의 성질이 방향에 따라 다르지 않는 것

ITO(Indium Tin Oxide)
전기전 도성을 가진 투명도전막. 인듐과 산화주석의 화합물(In2O3, SnO2)로 된 막으로 주로 스파터링 방법으로 만듬.