H

H.A.L(Host Solder Air Leveling)
P.C.B표면 도금방법의 종류.

Handler
Package화된 다량의 소자들을 동시에 Ttest하기 위해 소자와 Test system(Tester)과 연결시켜 주는 장비.

Half Cutting
Wafer를 70 ~ 80 % 절단하는 것을 말한다.

Halide
할로겐 원소와 이보다 전기 음성도가 작은 원소와의 2원 화합물. 플로오드.

Hard Fail
시험공정에서 규정된 여러 조건에 관계없이 불량이 나는 경우 보통 defect에 의한 경우가 대부분이며 이와 같은 불량현상을 말 한다.

HCT (High Speed C-MOS TTL)
고속의 C-MOS TTL이며 기존의 LSTTL제품이 지니는 단점 (고 소비전력)을 보완한 것으로서 Com-puter 및 computer기술을 필요로 하는 각 전자부품내의 CPU, Menory, 주변기기 주요 IC들과 함께 내장되어 각 기능을 상호 연결시켜 주는 역할을 수행하는 제품.

Heat Sink Plane (방출판)
기판표면이나 내층에서 열에 민감한 부품들로부터 열을 제거하여 주는 역할을 하는 평판.

HEMT (High Electron Mobility Transistor)
고전자 이동도 Transistor라 부르며, GaAs을 응용한 초고속, 저소비전력의 FET반절연성 GaAs기판상에 undoped GaAs층,그 위에 N 형 AIGaAs층을 성장시킨 구조로서, AIGaAs층에서 영역으로 이동하여 전류 Channel을 형성시켜 고전자이동도를 실현하고 있다.

Hepa Box
Clean공조의 말단에 Room내에 Hepa Filter를 장치한 Box.

HEPA Filter (High Efficiency Particulate Air Filter)
Clean Room에 설치된 고수율정밀 Filter오서 기류가 수직방향으로 흐른다. (0.1μm - 99.9995 %)

Hetero Junction
하나의 반도체 결합속에서 P형으로부터 N형으로 바뀌어 가는 부분이 있을 때 그 접합 부분을 PN Junction이라고 한다. 대부분의 경우 P형부분이나 N형부분 모두 같은 종류의 반도체로 되어있다. 그러나 하나의 단결정이면서 2개의 종류가 다른 반도체를 포함 하는 경우가 있는 데 이것을 HETERO Juction이라고 한다.

High Power Inspection
Wafer가공상 생긴 Die 표면과 각 회로상의 불량을 고배율 현미경을 사용하여 검사하는 작업

Hfe(DC Current Gain)
Emitter접지 상태에서 직류 전류 이득.

Hierarchy
LSI Design시 주요 뼈대부분부터 세밀한 부분까지 차례로 Design해 나가는 방법.

High Pressure Cleaner
절단된 Wafer세정장비로서 CO2가 함유된 고압의 D-I Water로 세정하는 것.

Hillock
산화막 위에 금속 박막박을 증착시켜 열처리 할 때 열 팽창 계수차에 의해 생겨나며 상어등 지느러미 모양의 솟아오른 형태를 가짐.

HMDS(Hexa Methyl Di Silazane 처리)
감광액과 Wafer표면의 접착력을 높이기 위해 감광액 도포전 Wafer에 주는 Primer(접착강화제)중의 대표적인 한 종류.

H-MOS(High-performance MOS)
단자 소자의 크기를 줄임으로서 MOS IC의 속도를 증가시키는 고성능 N-NOS제조기술 또는 이것으로 이룩된 고성능 MOS.

Hold Time
기준신호에 대하여 data가 최소한 유지되어야 하는 시간으로 기준신호에 따라 tCAH(Column Address Hold Time) tRAH(Row Addres s Hold Time), tDH (Data Hold Tome)등이 있다.

Hole
정공. 반도체속에서 가전자대에 있는 전자의 이동으로 생기는 비어있는 전자의 준위를 말함.

HOPL(High Temperature Operating Life Test)
"고온 동작 수명시험"으로서 125℃ Oven속에서 7.5(V) Bias, 1000시간을 가하여 시험하는 "수명시간"을 말 한다.

Hot DI water
뜨거운 DI water(85℃), Wafer세정시 사용.

Hot Run
RUN(lot)들 중에서 특별한 목적을 의해 다른 RUN에 우선하여 진행시켜야 하는 것을 말함. 작업의 신속화를 위해 Normal RUN보다 빨리 공정을 진행함이 요구되는 RUN.

Hot Test
제품을 고온상태에서 Test하는 것.

Hot Electron
결정에 전계를 가하면 결정 속의 전자가 전계해서 에너지를 얻는다. 보통의 상태(전계가 그다지 강하지 않는 상태)에서는 전자 가 얻는 에너지를 결정을 구성하고 있는 원자에 줌으로 전자와 결정의 원자는 같은 정도의 에너지를 갖게 된다. 그러나 전계가 강해지면 전자는 얻은 에너지를 원자에 나누어 줄 수 없게 되어 결정보다 전자에 에너지쪽이 높은 상태로 된다. 이러한 상태에 있는 전자를 Hot Electron이라 한다.

HP4145
Wafer level반도체의 DC특성을 여러 가지 조건을 변화 시켜 주면서 그 결과를 Graphic 또는 도표로 표시하여 주는 Bench Test T ool.

H/S (Heat Sink)
방열판. 즉 PKG에 붙어 있어 열을 방출시키는 작용을 하는 판.

HTO (High Temperature Oxidation)
고온산화. 실리콘 표면에 산화막을 형성하는데 있어서 가장 많이 쓰이는 방법중의 하나이다. 고온 속도(900℃)에서 Si Wafer를 넣고 이것에 산소, 수증기와 같은 산화성 가스를 보내서 Si Wafer표면에 산화하여 SIO2를 만드는 방법.

HTRB (High Temperature Reverse Biase)
"고온 역Bias시험"으로서 Device에 Bias를 인가하여 고온의 Oven속에서 진행되는 시험을 말한다.

HTS (High Temperature Storage)
"고온 보관시험"으로서 고온 (125℃)의 Oven속에서 Device를 저장하는 환경시험을 말한다.

HVAC (Heating Ventilation and Air Conditioning)
실내공기의 온,습도 조절 및 통풍(순환)을 포함한 공기처리 시스템.

Hybrid-Circuit
한 기판위에 여러 종류의 능동조사, 수동조사 또는 집적회로등을 부착시킨 전자회로를 말하며, 혼성집적이라고도 한다.
Hybrid I.C
반도체 기술과 박막(THIN FILM) 또는 후막(THICK FILM)기술의 양쪽을 혼성하여 만들어지는 I.C를 말하며 반도체 기술에 의해 다 이오드나 트랜지스터등을 만든 기판 위에 다시 절연층을 만든 후 박막기술 및 후막기술에 의해 배선이나 저항,콘덴서 부분등을 만들어 내는 혼성형I.C를 말함. 반도체 IC로써는 곤란한 고정밀도,고주파수, 고내압, 대전력을 요구하는 분야에 이용된다.