G

GaAs(Gallium Arsenide)
화합물 반도체로서 초고속 장치에 사용되며, 고주파에서의 이득과 대역폭 특성이 양호하여 차세대에 silicon대신 많이 이용되는 물질. III-V족 화합물 반도체의 대표적인 재료 Si에 비해서 결정내의 전자이동이 5~6배 빨라 초고속, 초고주파device에 적합하 다. UHF나 SHF의 GaAs FET, micro파 anlog IC, 적외선 발광 Diode, 반도체laser, 태양전지등에 이용되고 있다.

Gas Scrubber
공기나 gas중의 불순물 또는 분진을 물의 분사나 수막에 의하여 씻어 내리는 장치.

Gate
논리회로에서 몇 개의 transistor를 조립하여 만든 계수형 회로를 말하며, 2진 정보가 입력의 조합에 의해 형성되는 논리 회로 반도체 장치에서 MOS transistor에 입력을 가하기 위한 단자로서 bipolar transistor의 base에 해당하는 단자.

Gate Array
논리 소자인 NOT-Gate, AND-Gate, OR-Gate, NOR-Gate, NAND-Gate등의 구성이 되어 있거나 구성할 수 있도록 Transistor가 필요 한 양만큼 만들어져 있는 logic소자로서 주문형 소자로 많이 사용됨. 개발기간과 비용을 절감하여 다품종 소량의 수요에도 대응 할 수 있는semi-custom의 digital IC. 기본 cell을 가지고 배선 전단계까지 처리된 master wafer에 user의 논리 회로도와 Timing Chart를 접수 받은 Data를 CAD기술에 의해 배선을 연결시켜 단기간 내에 공급할 수 있다. 종래는 배선영역과 Gate영역이 분리 고정된 Type이었으나 최근에는 Chip전면에 Gate를 배치시키기 때문에 자유로이 배선영역과 Gate영역을 설정할 수 있는 SOG(Sea o f Gate)형 G/A가 주류로 될 것이다.

Gate oxide
TR이 형성되기 위한 제 2의 요소, insulator역할을 하며, MOS TR의Gate밑의 유전체로 사용

Gel
고분자 용액과 콜로이드 용액이 고화되어 제리상의 탄성을 갖는 고체로 된 것을 말한다.

Gettering
소수 캐리어의 수명개선, 접합에서의 누설전류를 줄이는 것, Si-SiO2계 면에서 여러 가지 전하의 영역을 줄이는 것 들을 말하며 아직 제대로 이해되지 않는 영역이다.

GIDL (Gate Induced Drain Leakage)
얇은 Gate oxide를 사용한 소자에서 breakdown voltage 이전에서 drain과 substrate간에 leakage current가 발생되는 것이 관찰 되는데 이는 gate와 drain사이의 field에 의해 drain부위가 deep depletion되면서 band의 급격한 휨이 일어나게 되고, 전자의 ba nd간 tunneling에 의해 drain junction을 빠져나간 후 inpact ionization에 의한 EHP를 생성시켜 전자는 drain에 hole은 substra te로 빠져나가 leakage current를 형성하게 된다.

Glass Substrate
아몰퍼스 실리콘용 트랜지스터 기판에는 무알칼리 유리가 이용된다. 알칼리 이온에 의한 트랜지스터의 오염을 방지하기 위해서 이다.

Gm (Transconduction)
Gate와 Source사이 전압변화에 대한 Drain 전류의 변화를 나타내는 양. = Bipolar TR의 증폭도(β)

GN2 (General N2)
용역동에서 생산되어 라인 장비에 직접 공급되는 N2. 주로 Purge용으로 사용됨.

GO/NO GO TEST
제품검사시 각 항목이 규격에 합격(pass)인지 불 합격(fail)인지 판정하여 다음 항목을 검사하고(GO), 불합격이면 다음 검사를 하지않고(NO-GO) 끝나는 검사방식으로 주로 양산검사시 많이 사용한다.
Wafer에서 Die나 Package를 이용하여 Device의 양/불량을 판단하는 Test를 말한다. 일반적으로 이때 사용하는 Test Program은 생산용 Program이다.

GOI (Gate Oxide Integrity)
Gate Oxide의 품질정도. 전압을 증가하면서 누설전류가 파괴전류가 될 때의 전압(BV,파괴전압)으로 나타낸다. GOI측정 System으 로는 In-Line Diffusion 공정中 Oxidation공정에 대한 Tube, Recipe, W/S등의 상태를 측정하는 Electrical Stress Test 이다.

Grade Junction
PN접합은 하나의 반도체 단결정속의 P형으로부터 N형으로 바뀌는 부분이다. 이 P형에서 N형으로 바뀌는 모양의 불순물 농도가 P 형에서 N형으로 완만한 경사를 가지고 변화하는 것을 경사상 접합이라고 하며 확산형 접합이 이것에 해당한다.

Grating
Clean 공조 방식중 Down Flow Lamimar Unit의 공조 흐름 유도용으로 floor에 구멍을 뚫어 공기가 빠져 나가도록 한 것. 이는 Ac cess Floor형식의 바닥구조에서 쓰일 수 있음. 일반 바닥 갤러리와는 달므로 구별되어야 함. 또한 이것은 Aluminum으로 되어 있 어 정전기를 방지함. 실내의 차압을 유지시키고 공기 유동을 원활하게 한다.

Grain (미세입자)
결정을 구성하는 가장 기본적인 조직을 의미한다.

Ground Gate (게이트 접지)
전계효과TR(FET)에는 트랜지스터나 진공관과 같이 3가지 접지방식이 있으며 Gate를 입출력의 공통전극으로 하는 회로를 공통 게 이트(Common Gate)라고 한다. 공통전극은 보통 교류적으로 접지하기 때문에 이것을 게이트 접지라고 한다.

Guard Ring
PNP실리콘TR을 플레이너 구조로 만들 때 P형 콜렉터 표면의 일부가 N형으로 변화하는 채널의 현상이 있어서 보호작용이 불완전 해지는 결점이 있어 모토롤라사가 이 문제를 해결하기 위해 정규의 콜렉터, 베이스 접합의 바깥쪽을 환상의 P형 영역으로 둘러싸 여 콜렉터에 채널이 생성되는 것을 차단하는 방법을 고안해 냈다. 이 P형 영역은 매우 높은 농도롤 확산함으로써 이 부분에 채널 이 생기지 않도록 하기 때문에 트랜지스터로서 동작하는 부분은 완전히 산화피막의 아래에 들어가 버려 노출하지 않게 된다. 이 방법을 가이드링 또는 BAND GUARD라고 부른다.

Guard Rings
CMOS경우 기생적으로 형성하는 Latch-up현상발생을 억제시켜 주기위해 넣어주는 Pattern으로 둘레를 따라 Ring처럼 만들어 준다 .

Guest-Host Effect
액정재료에 다색 색소를 혼입한 것은 액정분자가 전계 인간에 의해 그 배열 방향이 바뀌는 것을 이용해서 색소분자의 배향을 바 꿀 수 있다. 이것에 의해 전계 인가로 액정 셀의 색을 변화 시킬 수 있다. 액정재료를 호스트, 색소를 게스트라 한다.