F
FAB (Fablication) WaferÀÇ °¡°øÀ» ÀǹÌÇÔ.
FAB Process °íûÁ¤ »óÅ¿¡¼ Wafer°¡°ø ¶Ç´Â Á¦Á¶°øÁ¤À» ¸»Çϸç Å©°Ô diffusion, thin film, photo, etch °øÁ¤À¸·Î ³ª´«´Ù.
Factor ÀÎÀÚ, ½ÇÇè°á°ú¿¡ ¿µÇâÀ» ¹ÌÄ¡´Â ¿øÀÎÀ¸·Î ´Ù¸¥ ¼öÁØÀÇ ÀÎÀÚµéÀÌ ½ÇÇè³»¿¡ Æ÷ÇԵȴÙ.
Fail Memory ¸Þ¸ð¸® DeviceÀÇ Function Test½Ã Device¿¡¼ ÃøÁ¤µÈ °á°ú¸¦ Device¿¡ Àΰ¡ÇÑ ÆÐÅÏ°ú µ¿ÀÏÇÑ ½ºÇǵå·Î º¸°üÇÒ ¼ö ÀÖ´Â Å×½ºÅÍ ¸Þ¸ð¸®
Falg ÇʵåÀÇ °æ°è¸¦ ³ªÅ¸³»±â À§ÇØ ¹®ÀÚ³ª ´Ü¾î¿¡ ¹¯¾î ÀÖ´Â Á¤º¸ºñÆ®. ¾î¶² Á¶°ÇÀÌ ³ªÅ¸³ ÇÁ·Î±×·¥ÀÇ µÞºÎºÐÀ» ¼³¸íÇϱâ À§ÇØ ¾²ÀÌ ´Â Áö½Ã¾î. ¿©·¯ °¡Áö È¥ÇÕµÈ ÁýÇÕ¿¡¼ °°Àº Á¾·ùÀÓÀ» ±¸º°Çϱâ À§ÇØ »ó¿ëµÇ´Â ±âÈ£·Î¼ tag¿Í ºñ½ÁÇÑ ¶æÀ¸·Î »ç¿ëµÈ´Ù.
Fail Time(ÇÏ°½Ã°£) TRÀÇ ½ºÀ§Äª Ư¼ºÀ» ½ºÀ§Äª ½Ã°£À» ³ªÅ¸³¾ ¶§ º£À̽ºÀÇ ÀÔ·ÂÀÌ off·Î µÇ¾î collector¿¡ È帣´Â Ãâ·ÂÀü·ù°¡ on»óÅÂÀÏ ¶§ÀÇ 90%¿¡ ¼ 10%·Î µÇ±â±îÁöÀÇ ½Ã°£.
Fan coil unit coil³»·Î ³Ã¼ö ¶Ç´Â ¿Â¼ö·Î Åë¼ö½ÃÄÑ »ç¿ë¸ñÀû¿¡ ÀûÇÕÇÑ ¿Âµµ¸¦ À¯Áö½ÃÄÑ ÁÖ´Â ¼³ºñ.
Fan Out Capability Device°¡ dataÃâ·Â½Ã current drive´É·ÂÀ» ¸»ÇÔ.
Fan-In ½ºÀ§Ä¡ÀÇ ³í¸®È¸·Î¿¡¼ ÀÔ·ÂÃø¿¡ Á¢ÃËÇÒ ¼ö ÀÖ´Â °ÔÀÌÆ®ÀÇ ¼ö.
Fan-Out ³í¸®È¸·Î¿¡¼ ÀÔ·ÂÃø¿¡ Á¢¼Ó°¡´ÉÇÑ ºÎÇÏÀÇ ¼ö.
Farad Á¤Àü¿ë·®ÀÇ ´ÜÀ§. 1FÀÇ Äܵ§¼¿¡ °É¸®´Â Àü¾ÐÀÌ 1 volt/secÀÇ º¯È¸¦ ÇÒ ¶§ 1AÀÇ Àü·ù°¡ È帥´Ù.
Fault Coverage Simulation ½Ç½Ã ÈÄ Àüü simulation vector°¡ Àüü ȸ·ÎÁß ¸î %¸¦ accessÇÏ¿© output´ÜÀÚ·Î ±× °á°ú¸¦ ¹Ý¿µÇÏ´Â Áö¸¦ ¼öÄ¡·Î ³ªÅ¸³½ °ÍÀ¸·Î¼ ¾ó¸¶³ª Ãæ½ÇÇÏ°Ô simulation vector°¡ ÀÛ¼ºµÇ¾ú³ª¸¦ ³ªÅ¸³» ÁÖ´Â ÁöÇ¥.
FCU (Fan Coil Unit) ¼Ûdz±â, ³Ã ¿Â¼ö ¹× ÇÊÅÍ µîÀ¸·Î ÇÔ²² ¸¸µé¾îÁø ½Ç³»¿ë °ø±â Á¤È±â.
FDM (function data module) Ç°¸íÀÇ ±â´ÉÀ» Á¡°ËÇϱâ À§ÇØ ±â´É µ¥ÀÌŸ(function data)¸¦ ½ÇÇà½ÃÅ°´Â module.
Fermi Energy °íü³»ÀÇ ÀüÀÚ´Â ¸ðµÎ ÀüÀÚ°¡ °°Àº energy¸¦ °¡Áö°í ÀÖ´Â °ÍÀÌ ¾Æ´Ï¶ó ¿©·¯°¡ÁöÀÇ energy°ªÀ» °¡Áø´Ù. ´Ï ÀüÀÚ°¡ °®´Â energy»ó Ÿ¦ Æ丣¹Ì-µð·ºÅ丮¶ó Çϴµ¥ ÀÌ°ÍÀº È®·üºÐÆ÷¸¦ ÇÏ°í ÀÖ´Ù. ÀÌ ºÐÆ÷´Â ¹°Áú°ú ¿Âµµ¿¡ µû¶ó¼ Á¤ÇØÁö´Â µ¥ ÀüÀÚÀÇ Á¡À¯È®·üÀÌ Á¤È®È÷ 1/2·Î µÇ´Â ¿¡³ÊÁö °ªÀ» Æ丣¹Ì ¿¡³ÊÁö¶ó°í ÇÏ¸ç ±âÈ£´Â F·Î ³ªÅ¸³½´Ù.
FET (ï³Í£üùÍý Transistor:Field Effect Transistor) Àü±âÀüµµ¿¡ ±â¿©ÇÏ´Â carrierÀÇ ¿ªÇÒÀ» ÀüÀÚ ¶Ç´Â Á¤°ø(ïáÍî)ÀÇ Çϳª°¡ ´ã´çÇÏ´Â Transistor. ÀüÀÚµµ Á¤°øµµ carrierÀÇ ¿ªÇÒÀ» ÇÏ´Â Bipolar¿¡ ´ëÇÏ¿© Unipola(Ӥп) Transistor¾Æ°í ºÒ¸®¿î´Ù. FFU (°øÁ¶¹æ½Ä) Fan Filter Unit °øÁ¶¹æ½Ä. fan°úfilterÀÇ ÀÏüÇüÀ¸·Î filter»óºÎ¿¡ ¼³Ä¡µÈ fanÀÌ °ø±â¸¦ clean¿¡ °ø±Þ
Field oxide active¿Í active¸¦ Àý¿¬½ÃÄÑ ÁÖ´Â »êȸ·.
FIL (Filament) À̿»ý¼ºÀ» À§ÇØ ÀüÀÚ¸¦ ¹æÃâ½ÃÅ°´Â ¼ÒÀç.
Fill Factor ¾î¶² ÁÖ¾îÁø ½Ã°£¿¡ Á¶»çµÇ´Â µð½ºÇ÷¹ÀÌ Àüü¸éÀûÀÇ ¹éºÐ·ü
Filter (¿©°ú±â) ¸ÕÁö ¹× ºÒ¼ø¹°µî ÇÊ¿äÇÑ °Í ÀÌ¿ÜÀÇ °ÍÀ» °É·¯³»´Â ÀåÄ¡
Final test (Á¶¸³/Class Test) Á¶¸³µÈ Á¦Ç°¿¡ ´ëÇÏ¿© Á¦Ç° ÃâÇÏÀü¿¡ ¸¶Áö¸·À¸·Î Àü±âÀû Ư¼ºÀ» °Ë»çÇÏ´Â °Í.
Finder Coat WaferÃë±Þ½Ã ÀÎü¿¡ ÀÇÇÑ ¿À¿°À» ¹æÁöÇϱâ À§ÇÏ¿© ¼Õ¿¡ Âø¿ëÇÏ´Â °Í.
Fire Damper (F.D) ÈÀç¹ß»ý½Ã Duct¸¦ ÅëÇÏ¿© ÈÀçÀÇ È®»ê ¹æÁö¿ëÀ¸·Î ¼³Ä¡µÈ damper·Î½á ±â·ù¿Âµµ°¡ 70µµ ÀÌ»óÀÌ¸é ³¯°³ ÁöÁö¿ë fuse°¡ ³ìÀÌ ÀÚµ¿ ÀûÀ¸·Î ±â·ù¸¦ Æó¼âÇÏ´Â damper.
Film Ware ÀåºñÁ¦Á¶È¸»ç°¡ ±× Àåºñ¿¡¸¸ ÀÀ¿ëµÇ°Ô Ưº°È÷ °í¾ÈÇÑ softwareÀÌ¸ç º¸Åë ROM¼Ó¿¡ µé¾î ÀÖ´Â °æ¿ì°¡ ¸¹À½.
First Acticle (»çÀü°Ë»ç) ¾ç»êÀÛ¾÷ Àü¿¡ »çÀü¿¡ ÀÛ¾÷Á¶°ÇÀ» Á¡°ËÇϱâ À§ÇØ ºÎÇ°À» °áÇÕÇÏ¿© ¼º´ÉÀ» ½ÃÇèÇÔ. First Minimum Gooch & Terry°î¼±¿¡¼ ù¹ø° Åõ°úÀ²ÀÌ 0ÀÌ µÇ´Â °÷À» ¸»ÇÑ´Ù.
Fixture °³º°¼ÒÀÚÀÇ ¼öµ¿°Ë»ç¸¦ À§ÇÑ ±â±¸.
Fixed Oxide Charge (Qf) Oxidation ºÐÀ§±â, ¿Âµµ, Cooling¿Âµµ ¹× silicon°áÁ¤¹æÇâ¿¡ °ü°èÇÏ´Â Oxide³» charge.
Flat Pack ICÀÇ °Ñ¸ð¾ç¿¡ µû¸¥ Æ÷ÀåÇüÅ·Π³³ÀÛÇÑ ÇüÅÂ.
Flat-Zone Aligner carrier¿¡ loadingµÇ¾î ÀÖ´Â waferÆò¸é(flat-zone)À» À§·Î ¸ÂÃß´Â ±â°è.
Flash EEPROM ÇÑ °³ÀÇ Æ®·£Áö½ºÅÍ·Î ÀÌ·ç¾îÁ® ¼¿ ¸éÀûÀÌ ÀÛÀº EPROM°ú Àü±âÀû ¼Ò°Å°¡ °¡´ÉÇÑ EEPROMÀÇ ÀåÁ¡À» Á¶ÇÕÇÏ¿© EPROMÀÇ ÇÁ·Î±×·¥ ¹æ ¹ý°ú EEPROMÀÇ ¼Ò°Å ¹æ¹ýÀ» ¼öÇàÅä·Ï ¸¸µç ¼ÒÀڷμ, EPROM, EPROM°ú À¯»çÇÑ ¼³°è¿Í °øÁ¤À» °ÅÃÄ »ý»êµÊ. ¿ÜºÎ¿¡¼ °íÀü¾ÐÀ» °¡ ÇØ µ¥ÀÌÅ͸¦ ±âÀÔÇϸç Àü±âÀûÀÎ ¼Ò°Åµµ Memory Device Àüü ¶Ç´Â blockº°·Î °¡´ÉÇÏ´Ù. ÀÌ flash memory´Â NORÇü, NANDÇüÀ¸·Î ´ë º°µÇ¸ç NORÇü EEPROMÀº Hot ElectronÀ» ÁÖÀÔÇÏ´Â ±âÀÔ¹æ½ÄÀ» Àû¿ëÇÏ°í, NANDÇüÀº ÅͳÎÇö»ó°ú ÆäÀÌÁö µ¿ÀÛȸ·Î±â¼úÀ» Á¶ÇÕÇϸç ÇÁ ·Î±×·¥ ¼Óµµ°¡ ºü¸£´Ù. ±â¾ïµÈ Á¤º¸´Â Àü¿øÀÌ ²¨Áö´õ¶óµµ ¾ø¾îÁöÁö ¾Ê¾Æ ºñÈֹ߼º ¸Þ¸ð¸®¶ó ºÒ¸®¿î´Ù. ÃÖ±Ù Memory ½ÃÀå¿¡¼ har d disk¸¦ ´ëüÇÒ ¼ÒÀÚ¶ó¼ ±â´ëµÇ°í ÀÖ´Ù.
Flat Zone (ÆòÆòÇÑ ºÎÀ§) WaferÀÇ ¹æÇâ ¹× Á¾·ù¸¦ Ç¥½ÃÇϱâ À§ÇØ ÀÏÁ¤¹æÇâÀ¸·Î cutÇØ ³õ¾Ò´Â µ¥ ±× ¸éÀ» ÁöĪ.
FLC Ãþ»óÀ¸·Î ºÐÀÚ ¹è¿ÇÏ´Â ½º¸Þƽ ¾×Á¤À» ÀÌ¿ëÇؼ °À¯Àü¼º ±â´ÉÀ» °¡Áø °Í. ½Ö¾ÈÁ¤»óÅÂÀÇ ¸Þ¸ð¸® ±â´É°ú ½ºÀ§Äª ¼Óµµ°¡ ¸Å¿ì ºü ¸£´Ù. Å©·Î½º ÅäÅ©°¡ ¾ø°í ½Ã¾ß°¢ÀÌ ³ÐÀ¸¸ç ´Ü¼ø ¸ÅÆ®¸¯½º ±¸µ¿ÀÌ °¡´ÉÇÏ´Ù.
Flexible Strength ÈÚ, °¼º
Flip-Flop 2Áø¼ö¸¦ ±â¾ïÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ±âÃÊ ÀüÀÚȸ·Î·Î¼ µÎ°¡ÁöÀÇ ¾ÈÁ¤»óÅÂ(on ¶Ç´Â off)À» °®°í ÀÖÀ¸¸ç ³í¸®È¸·Î³ª ±â¾ïÀåÄ¡±¸¼ºÀÇ ±âº»È¸ ·ÎÀÓ.
Flicker ÅÚ·¹ºñÀüÀÇ ¼ö»óȸéÀ̳ª Çü±¤µîÀÇ ±ô¹ÚÀÓ°ú °°Àº ±¤µµÀÇ ÁÖ±âÀûÀÎ º¯È°¡ ½Ã°¢À¸·Î ´À²¸Áö´Â °ÍÀ» ¸»ÇÔ.
Floating Gata MOS TRÀÇ °ÔÀÌÆ® Àý¿¬Ãþ ¼Ó¿¡ ¸ÅÀÔµÈ ±Ý¼Ó ¶Ç´Â ´Ù°áÁ¤ ½Ç¸®ÄÜÀ¸·Î µÈ Àü±ØÀ» ¸»Çϸç Àü±âÀûÀ¸·Î ¶°ÀÖÀ¸¹Ç·Î Floating Gate¶ó°í ÇÑ´Ù.
Floor plan ¹ÝµµÃ¼ ¼³°è½Ã chipÀ» layoutÇϱâ Àü¿¡ °¢ blockÀÇ layoutÀ» ÀüüÀûÀ¸·Î ¹èÄ¡ÇÏ¿© layout»ó¿¡ blockÀÇ À§Ä¡¿Í ¹è¼±À» °áÁ¤ÇÏ´Â ÀÛ¾÷.
Flux ±Ý¼ÓÀ» ¼Ö´õ¿Í Àß Á¢¼Ó½ÃÅ°±â À§ÇÏ¿© ¹°¸®ÀûÀ̳ª ÈÇÐÀûÀ¸·Î È°¼ºÈ½ÃÅ°´Â ¹°Áú.
Forbidden Band (±ÝÁö´ë) ÀüÀÚ°¡ ÃëÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ¿¡³ÊÁöÀÇ ÆøÀÌ ¶ç¾ö¶ç¾öÀÖ°í ±× »çÀÌ¿¡´Â ÀüÀÚ°¡ ÃëÇÒ ¼ö ¾ø´Â ¿¡³ÊÁö ÆøÀÌ ÀÖ´Ù. ÀÌ ÀüÀÚ°¡ ÃëÇÒ ¼ö ¾ø´Â ¿¡³ÊÁö °ªÀÇ ¹üÀ§¸¦ ±ÝÁö´ë¶ó°í ÇÑ´Ù.
Forming Die Forming I.C. ead frameÀÇ lead frameÀ» À§Ä¡½ÃÄÑ °î¼±À» µû¶ó ²©´Â ÀÛ¾÷À» ¸»Çϸç ÀÌ¿Í °°Àº ±ÝÇüÀ» Æ÷¿È ´ÙÀ̶ó°í ÇÑ´Ù.
Forming Gas 1) Die Attach ¹× wire bonding½Ã Àç·áÀÇ »êÈ ¸¦ ¹æÁöÇÏ°í ȯ¿øÀ» ¸ñÀûÀ¸·ÎH2¿Í N2¸¦ ÀÏ Á¤ºñÀ²·Î È¥ÇÕÇÑ Gas. 2) FABÁ¦Á¶°øÁ¤(È®»ê, ½Ä°¢)¿¡¼ º»·¡ÀÇ °øÁ¤ ÀÌ Á¤»óÀûÀ¸·Î Àß ÁøÇàÇϱâ À§ÇÏ¿© »ç¿ëÇÏ ´Â ºÐÀ§±â Gas.
Forward (¼ø¹æÇâ) PNÁ¢ÇÕÀÇ PÂÊ¿¡ +, NÂÊ¿¡ ÀÇ Àü¾ÐÀ» °¡ÇÏ´Â ¹æÇâÀ» ¼ø¹æÇâÀ̶ó ÇÑ´Ù.
Forward Current (¼ø¹æÇâ Àü·ù) PNÁ¢ÇÕ¿¡ ¼ø¹æÇâÀü¾ÐÀ» °¡ÇßÀ» ¶§ È帣´Â Àü·ù¸¦ ¸»ÇÑ´Ù.
Forward Voltage (¼ø¹æÇâ Àü¾Ð) PNÁ¢ÇÕ¿¡ ¼ø¹æÇâÀ¸·Î Àü·ù°¡ È帣°í ÀÖÀ» ¶§ ±× PNÁ¢ÇÕÀÇ ¾ç´Ü¿¡ °É·ÁÀÖ´Â Àü¾ÐÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
Four Layer Diode (4Ãþ Diode) PNPNÀÇ 4Ãþ ±¸Á¶¸¦ °®´Â Diode.
Four-Point Probe ¸·ÁúÀÇ sheetÀúÇ×À» ÃøÁ¤ÇÏ´Â Àåºñ.
FOX (Fast Oxidation) °í¾Ð(0~25±â¾Ð)¿¡¼ Áõ±â »êȹæ½ÄÀ» ÀÌ¿ëÇÏ¿© »êȸ· ¼ºÀå¼Óµµ¸¦ ºü¸£°Ô ÇÏ´Â ÀåÄ¡·Î¼ Hipox¶ó°íµµ ÇÔ. (High Pressure oxida tion)
FPGA (Filed Programmable Gate Array) ¹Ì¸® programÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï Á¦ÀÛµÈ chip¿¡ »ç¿ëÀÚ°¡ CAD¸¦ ÀÌ¿ëÇÏ¿© ·ÎÁ÷À» ±¸ÇöÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï ÇÑ Á¦Ç°. FPO (Finish Process Order) µ¿ÀÏ Ç°Á¾ÀÇ lot¸¦ µ¿ÀϼöÁØÀÇ Ç°ÁúÀ» °¡Áö°í ÀÖ´Ù°í ÆÇ´ÜÇÏ¿© ¿©·¯ lot¸¦ 1°³ÀÇ lot·Î ¹¾î °øÁ¤flow½ÃÅ°´Â °æ¿ì, Çϳª·Î ¹Àº lot¸¦ FPO lot¶ó ÇÑ´Ù. ÀÛ¾÷´É·ü Çâ»óÀ» À§ÇØ »ç¿ë.
FQ (Full Qualification) CustomerÀÇ ¿ä±¸Á¶°ÇÀ» ÃæºÐÈ÷ ¸¸Á·½ÃŲ ÈÄ ¾ç»ê.
FR (Failure Rate) "Á¦Ç°ÀÇ ºÒ·®À²" ·Î¼ Á¦Ç°À» °è¼ÓÇؼ »ç¿ëÇßÀ» ¶§ ºÒ·®ÀÌ ¹ß»ýÇÒ °¡´É¼ºÀ» ³ªÅ¸³¿.
FRAM (Ferroelectric RAM) °À¯Àüü ºÒÈֹ߼º ¸Þ¸ð¸®. °À¯Àüü´Â Àü°è¸¦ °¡ÇÏ´õ¶óµµ ÀüÇÏ°¡ ³²¾Æ Àֱ⠶§¹®¿¡ ÀÌ·± ¿ø¸®¸¦ ÀÌ¿ë, memory cell¿¡ °À¯Àü ü¸¦ »ç¿ëÇÑ ºÒÈֹ߼º RAMÀ¸·Î½á SRAMÀ̳ª DRAM°úÀÇ Â÷ÀÌÁ¡Àº Àü¿øÀ» ²÷´õ¶óµµ data³»¿ëÀ» °¡Áö°í ÀÖ´Ù. ¶ÇÇÑ EEPROM°ú ºñ±³ÇÏ¿© data±âÀç½Ã°£Àº ÈξÀ ª°í ±âÀç °¡´É Ƚ¼öµµ ¸¹Àº Á¡µîÀÇ ÀÕÁ¡À» °®°í ÀÖ´Ù.
Frame Reticle/mask¸¦ AlignmentÇÒ ¼ö ÀÖ°Ô °øÁ¤¿ëPattern¹×Process»ó ÇÊ¿äÇÑitemµéÀ» SawingÇÒ ¼ö ÀÖ´Â Scribe line¿¡ »ðÀÔÇÏ¿© Alig nmentÇÒ ¼ö ÀÖ°Ô ¸¸µç ÇüƲÀÌ´Ù. ¼³°èµÈ Á¦Ç°ÀÇ ³ë±¤À» À§ÇØ Çѹø¿¡ ³ë±¤ÇÑ Á¦Ç°À» ¹è¿ÇÑ ÇüƲ·Î¼ Á¦Ç°°ú Á¦Ç°»çÀÌÀÇ Scibe li ne³»¿¡¼ ³ë±¤Àåºñ¿¡¼ »ç¿ëÇÒ¶§ Align key¹× Process inspection¿ë PatternÀ» Æ÷ÇÔÇÏ°í ÀÖ´Ù.
Frame Ring Wafer¸¦ ¿ÏÀü Àü´ÞÇϱâ À§ÇØ tape¿¡ Á¢Âø½Ãų ¶§ ÁöÁöÇÏ¿© Áִ Ʋ.
Free Election (ÀÚÀ¯ÀüÀÚ) ÀüÀÚÁß¿¡ °áÇÕ·ÂÀÌ ¾àÇÏ¿© °áÁ¤ °ÝÀÚÀÇ ±¸¼º¿¡ °ü¿©ÇÏÁö ¾Ê°í °áÁ¤ ¼Ó¿¡¼ Àü°è¿¡ ²ø·Á ÀÚÀ¯·ÎÀÌ ¿òÁ÷ÀÏ ¼ö ÀÖ´Â ÀüÀÚ
Freon °í¿ÀÌ ¹ß»ýÇÏ´Â ºÎºÐÀÇ ¿À» ³Ã°¢½ÃÄÑ ÁÖ±â À§ÇÏ¿© »ç¿ëµÇ´Â ³Ã°¢Á¦.
Freedericks (ÀüÀÌ) ÀÚÈÀ² À̹漺ÀÌ ¾çÀÎ ³×¹Ìƽ»ó¿¡¼ Àڰ踦 Àΰ¡ÇÏ¸é ¾×Á¤ºÐÀÚ¸¦ ÀÚ°è¹æÇâÀ¸·Î ¹èÇâÇÏ·Á°í ÇÑ´Ù. ±×·¯³ª Ç¥¸é¿¡¼ÀÇ ¾×Á¤ÀÇ ¹è ÇâÀ» ÀÏÁ¤ÇÏ°Ô ±ÔÁ¦ÇÏ´Â °Í °°Àº 󸮸¦ ÇàÇÑ ±âÆÇÀÇ ÆòÇàÇÑ À¯¸®±âÆÇ¿¡ ¾×Á¤À» ³Ö°í °¡ÆÇÀÇ ¹èÇ⠼ӹڷ¿¡ ÀÇÇؼ ¾×Á¤ºÐÀÚ¸¦ ÀÏÁ¤ÇÑ ¹æÇâ¿¡¼ ¹èÇâµÈ »÷µåÀ§Ä¡ ¼¿À» ¸¸µé°í ¼öÁ÷ Àڰ踦 °¡ÇÑ °æ¿ì Hc¿¡¼ ÀÚ°è ¹æÇâÀ¸·Î ¹èÇâÀÌ ÀϾ´Â °ÍÀ» ¸»ÇÔ.
From/To chat Inter-bay¹× intra-bayÀÇ ÀÛ¾÷ÁøÇàÀ» simulationÇϱâ À§ÇÏ¿© °øÁ¤ ÁøÇà ¿¹Á¤Ç¥¸¦ ÀÛ¼ºÇÏ´Â chart.
FSTN(Film Super Twist Nematic) DSTN°ú À¯»çÇÏ°Ô Ä®¶ó º¸»ó ¾×Á¤¼¿ ´ë½Å Æú¸®¸ÓµÈ ¸Å¿ì ¾ãÀº ¸·À» »ç¿ëÇÑ´Ù. FSTNÀº DSTN¿¡ ºñÇؼ ÄÜÆ®¶ó½ºÆ®´Â ¶³¾îÁöÁö¸¸ Å« ½Ã¾ß°¢À̶óµçÁö Àú ¼Òºñ·ÂÀ̶ó´Â Å« ÀåÁ¡À» °®°í ÀÖ´Ù.
FTA (Fixed To Attempt Ratio) ÇÑ WaferÀÇ repairable ¼ÒÀڵ鿡 ´ëÇØ fuse cutting ÇÑ ÈÄ ¾çÇ°È µÇ´Â ¼ÒÀÚÀÇ ¼ö¸¦ ¹éºÐÀ²·Î ȯ»êÇÑ °ªÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
Full-Auto Àåºñ°¡ hostÀÇ ÅëÁ¦¸¦ ¹ÞÀ¸¸é¼ AGV°¡ CST LOAD/UNLOAD¸¦ ¼öÇàÇÏ´Â »óÅ ¹× ±× Ç¥½Ã.
Full Custom Á¦Ç° ÀÚµ¿ÈµÈ ToolÀ» »ç¿ëÇÏÁö ¾Ê°í ¿øÇÏ´Â ChipÀÇ Æ¯¼ºÀ» ¸Â¾Æ ¼³°èÇÏ´Â IC¼³°è¹æ¹ý. ȸ·Î¼³°è½Ã MOS tran-sistor levelºÎÅÍ ½ÃÀÛ Çؼ ȸ·Î±¸¼º. Simulation, opti-mizationÀ» ½Ç½ÃÇÑ ÈÄ ChipÀüüÀÇ Area¸¦ ÃÖÀûÈÇϱâ À§ÇØ ¼öÀÛ¾÷À¸·Î layoutÇÏ¿© ¿Ï¼ºµÈ ¹Ýµµ ü Á¦Ç°. Full Cutting ¿ÏÀüÀý´Ü, Å×ÀÌÇÁ Àý´Ü(tape cutting)°ú °°Àº ¸»·Î Wafer¸¦ ¿ÏÀü Àý´Ü(95~100%)ÇÔÀ» ¹ßÇÔ.
Function Test. DeviceÀÇ µ¿ÀÛÀÌ Áø¸®Ç¥¿¡ ¸í½ÃÇÑ ´ë·Î µ¿ÀÛÇÏ´Â Áö¸¦ °Ë»çÇÏ´Â °ÍÀ¸·Î Å×½ºÅÍ¿¡¼ ÆÐÅÏÀ̳ª º¤Å͸¦ Formater³ª Device¸¦ ÅëÇØ Àΰ¡ÇÑ´Ù.
F.W.W(Flouric Waste Water) ºÒ»êÆó¼ö·Î¼ ¾àÇ°Áß ºÒ»êÀ» »ç¿ëÇÏ´Â Àåºñ¿¡¼ ¹èÃâµÇ´Â Æó¼ö¸¦ ¸»ÇÔ. |