D

D(Demerit)
Quality score의 가중치를 얻기 위한 수단을 제공하기 위해서 사건이나 사상의 구분을 위해 정해 놓은 가중치.
D-A 변환기(Digital to Analog Converter)
디지털 신호를 입력하여 Analog신호를 출력으로 꺼내는 회로를 말한다.

DA(Die Attach)
Die를 Lead Frame에 접착시키는 공정

DAC(Digitaaal to Analog Converter)
Digital 신호를 Analog신호로 변환되는 변환기. Hi-Fi음악용 CD player에도 16bit D/A convertor가 사용되고 있다.

D.C Characteristic
Device의Status에 따라 흐르는 Current특성을 말하며, Device동작 Status별로 구분되어 있음.

DAD(Digital Audio Disk)
오디오 신호를 디지털로 변화 시켜 기록한 Disk를 말한다.

DAE(Dynamics Asian Economies)
한국, 대만, 홍콩, 싱가포르등 아시아 신흥공업 경제권이란 말 대신 경제협력개발기구가 새롭게 사용한 용어이다.

Daisy Chain
복수의 주변 LSI에 입력요구가 동시에 발생할 때 우선순위를 결정하는 회로

Dambar
PKG Lead의 상단부분을 연결하는 가로축Bar.

Dark Current(암전류)
무신호시에 흐르는 전류로서 차단전류와 같은 것이다.

D.A.T.A
미국 Derivation And Tabulation Associates Inc.에서 발향하고 있는 규격일람표.

Data Line
매트릭스 배열에 입력되는 신호가 들어가는 라인으로 어드레스선과 함께 화소의 on-off 구동한다.

Data Retention Mode
휘발성 메모리(DRAM/SRAM)에 데이터를 저장하는 형태로 일반적으로 시스템 power-off직후 battery back-up circuit에 의해 데이 터가 메모리 제품이 기억될 수 있도록 하는 최소한의 입력조건의 상황

DC(direct Current)
반도체 소자의 직류 전압특성.

DC Characteristic
Device의 Status에 따라 흐르는 current특성을 말하며, Device동작Status별로 구분되어 있음.

DC Parametic Testing
Steady state test로서 OHM의 법칙을 기본으로하여 전기적 특성이 결정되는 것을 의미한다. 보통 주어진 전압/전류를 인가하고 전류/전압을 측정한다. DC test에는 소모전류(ICC), 누설전류(leakage test), 입력전압(VIL,VIH), 출력전압(VOL,VOH)등이 있다.

DC PDP (Direct Current Plasma Display Panel)
음극과 양극 사이에 프리즈마 가스(lonized Neon-Argon Gas를 봉합하고, 양전극 사이에 직류를 가하여 프라즈마를 발광시켜 신 호를 표시하는 소자.

DCW (Dry Cooling Water)
FAB공정에서 순환되는 공기의 온도를 미세하게 조절하기 위하여 Cooling Coal로 흐르는 물.

DD (Double Die)
이중 Die.

Debug
불량품, 불합격품을 제거하는 작업 일반.
Debugging, Screening, BURN-IN이라고도 한다.

Debugging
Test Plan에 의해 제시된 내용과 실제 소자에서 나타나는 차이점을 줄여 나가기 위한 일련의 작업이다.

Decay Time
네가티브 표시의 경우 최대 콘트라스트비가 100%에서 10%까지 변화하는 데 걸리는 시간.

Decel Mode
가속에너지를 가하지 않고 추출전압만으로 lon을 주입하는 형태(에너지 범위 0-33kev)

Decoder
2진법의 수를 해독(Decode)하여 특정의 출력(10진법의 수)을 선택하는 회로를 2진-10진 Decoder이라 한다. ↔ Encoder

Defect (결함)
product나 service에 목적한 사용기능을 만족시키지 못하는 심각한 원인이 발생하여 제품의 특성이 목적한 수준이나 상태에서 벗어남. defect는 심각한 정도에 따라 다음과 같이 분류한다.
1) Class 1 매우 심각 : 매우 심한 손상이나 대단히 큰 경제적 손실을 직접 초래.
2) Class 2 심각 : 중대한 손실이나 경제적 손해를 직접 초래.
3) Class 3 중요 결함 : 사용목적을 고려할 때 주요 문제점들과 관련된 결함.
4) Class 4 미세 결함 : 사용목적을 고려할 때 하찮은 결함.

Deflash
Compound 찌꺼기 제거.

Defocus (초점 불량)
사진 공정에서 사용되는 용어로써 감광 원판과 감광 물질(P/R)과의 형상이 불일치되는 초점의 부정확도.

Delamiantion (층간들뜸)
다층기관의 층간의 들뜸이나 표면동박과 내부기초재간의 들뜸.

Delay Time
TR의 Switching특성을 스위칭 시간으로 나타낼 때 베이스에 입력 펄스가 가해진 후 콜렉터에 흐르는 전류의 출력 펄스가 최대 진폭(최종값)의 10%에 도달하기까지의 시간.

Demo
미 보유 장비에 대한 공정특성을 분석하기 위해 장비가 있는 곳으로 Wafer를 반송하여 공정을 진행한 후 반입하여 공정특성을 분석하는 행위.

Demutiplexer
멜티플렉서와 반대로 직렬로 입력된 data를 제어입력(선택입력)에 의해 control하여 병렬로 변환해서 출력으로 꺼내는 회로이다 .

Dent
동박두께를 크게 손상시키지 않으면서 약간 짓눌려진 상태.

Depletion Device
MOS FET의 일종으로 Gate전압을 가하지 않아도 Channel이 형성되어 있는 반도체 장치.

Depletion Layer(공핍층)
PN접합에 역방향 전압을 걸면 P측에 있는 Hole과N측에 있는 전자는 접합부분에서 멀어진다. 그리고 접합부근에는 캐리어가 매우 적은 부분이 생기는 데 이것을 공핍층이라 한다.

Depletion Mode
전계효과 TR의 사용법중 채널을 약하게 하는 방향으로 게이트에 Bias를 가하는 방법.

Depletion Type
Channel을deplete하는 방향. 즉 약하게 하는 방향으로도 channel전류를 제어 할 수 있는 형태를 말한다.

Deposition
상압또는 저압상태에서 주로 CVD방법에 의해, Si기관위에 Film(막) (Oxide, Nitride등)을 성장시키는 것.

Deprocess
공정을 끝마친 후 소자를 공정 순서와 반대로 한 층씩 strip back해 가며 defect site를 분석하는 과정.

Descum
현상작업후 제거되지 않고 남아있는 미량의 감광액 찌꺼기(scum)를 추가로 건식 제거하는 작업.

Design Kit
Electrical/Physical로 구별되며 ASIC 제품 설계시 전기적으로 modeling과 layout정보를 포함한 database를 이용하여 설계하는 Electricla Design Kit를 말한다. (예: Mentor Design Kit, Verilog Design Kit등)

Design Rule
반도체의 설계과정에서 공정능력과 설정된 제조방법의 한계성을 고려하여 반드시 지켜져야만 하는 설계규칙으로서 각 기능 부위 및 기능 부위간의 물리적 거리가 그 내용으로 포함된다.

Develop
Mask를 Align한 후 자외선에 expose했을 때 Pattern모양에 따라 노광된 부분과 노광되지 않는 부분으로 화학반응이 일어난 것을 이용해 화공약품으로 현상하는 것.

Development
현상. 사진공정에서 검광액 도포 및 노광후 필요한 Pattern만을 남기고 불필요한 부분의 감광액을 제거하는 작업.

Device
품명(품종)(제품)

Dextrotatory (石示性)
빛의 진행방향에 대해 관측자 쪽에서 본 경우 매질을 통과하는 빛의 편광면이 시계 회전방향하고 있는 것.

Dewetting
용해된 솔더가 표면에 도포되어 움푹 들어가거나 들떠서 불쑥 튀어 나온 상태이나 원래의 금속표면은 노출되지 않음.

DF (Die Fabrication)
Wafer mount 공정부터 dicing saw공정을 말함.

Dichronmated Gelatin
빛의 편광 상태에 따라 통과하는 파장이 다른 Dichomated gelatin층을 통과할 때 채색이 되도록 하여 광을 착색하는 방법.

Dicing
편도 절단이라고도 하며 Wafer절단 방식의 하나로 단일방향으로 절단하는 방식(왼쪽에서 오른쪽으로만 절단)

Dicing Saw
Wafer를 절단하여 Die (Chip)를 분리하는 diamond wheel.

Die Attach
각 Die를 Lead Frame에 붙이는 작업.

Die Business
Probe Test완료 후 package를 하지 않고 Good Die를 wafer형태나 wafer를 자른 후 Good Die만을 판매하는 것을 말함.

Die Bonder
다이는 칩(chip)을 말하며, 트랜지스터나 IC를 제조할 때 칩을 스템 또는 리이드 프레임을 붙이는 것을 다이본드 또는 본딩이라 하며 이에 쓰이는 기계를 다이본더라 한다.

Die Bonding
IC를 제조할 때 Chip을 스템 또는 리이드 프레임에 붙이는 것을 다이본딩이라고 한다. 펠렛마운트, 마운트라고도 한다.

Die Coating
Die위에 보호막을 씌우는 작업.

Die Collet
Die 접착을 하기 위한 도구로서 진공으로 Die를 흡착 운반하여 접착하며 재질은 텅스턴 카바아드로 내마모 및 내열성이 요구됨. 모양은 피라밋형.

Die Pocket
이송 콜렛에 부착된 Die를 예방정열시키는 장소. 재질은 스텐레스 스틸.

Die Sawing
Wafer의 각 chip을 조립하기 위하여 톱으로 자르는 작업.

Dielectric Constant(유전상수)
유전 분극의 강한 정도를 나타내는 계수로서 유전율이 이방성을 표시하면 전기장에 평행하려고 하는 유전율이 수직하려고 하는 유전율보다 클수록 액정입자가 일어서는 속도가 빠르다.

Dieletric Isolation
반도체 IC의 분리방법의 하나로서 소자간의 저항이 높은 절연물로Electrical하게 분리하는 것을 말한다. 절연 재료는 이산화 규 소(), Poly-Si, Ce-ramic등이 있다.

Diffused Resistor
불순물의 diffusion에 의한 영역이 저항으로 사용되는 것.

Diffusion
농도차에 따라 액체가 기체가 고농도에서 저농도쪽으로 이동함을 말하는 것으로 확산로 속에서 반도체 소자(Wafer)에 높은 온도 를 가해 불순물 B
(boron;붕소) 나 P(Phosporous;인)등을 확산시키는 것을 말하며 반도체 특성을 결정하기 위한 것임.

Diffusion Capacitance
Diffusion 에 의해 형성된 Junction에서 생겨난 기생 Capacitor의 용량.

Diffusion Current
외부 E-filed/의 영향없이 순수 농도차에 의해 흐르는 Current농도가 높은 영역에서 낮은 영역으로 Carrier가 확산되면서 발생됨.

Diffusion Furnace
확산 또는 산화에 필요한 고온의 확산로

Diffusion Length
Carrier가 주입되면 확산해 가는 도중에 상대의 Carrier와 재결합하여 차례로 소멸되어 가기 때문에 시간이 지나면 Carrier의 농도는 감소하게 된다. Life Time동안 Carrier가 이동해 간 확산거리를 diffusion length라고 한다.

Diffusion Pump
기름을 가열하여 증발된 기름의 냉각시 진공내 gas를 흡수하는 방식의 고진공 펌프.

Diffusivity
불순물의 확산도를 나태는 단위.

Digital(DIC)
Analog에 대응되는 말로 "1"과 "0"으로 표시될 수 있는 곳(Digital IC)

Digital IC
전압의 높고 낮음을 "1"과 "0"으로 대응하여 digital신호로 처리하는 IC로써, MOS IC와 Bipolar digital I C가 있으며, 다시 logic IC와 Memory IC로 각각 나누어진다. 연산,제어,기억기능이 주류이다.

Digitizing
Mask를 만들기 위해 설계된 도형의 좌표를 결정해 주는 것.

Dimenrization(이량체화)
두 개의 분자가 중합 또는 분자간의 힘에 의해 일체가 되어진 것.

Dimension
치수

DIMM(Dual In-Line Memory Module)
PC에 사용되는 Memory module의 종류로 PCB 前面과 後面수는 같으나 pin들이 기능을 달리하는 제품을 말함.

Dimple
Wafer표면 불량으로 오목하게 패인 결함.

Dimentional Stability(치수 안정성)
온도, 습도, 화학적 처리, 외부의 압력에 의해 변화된 크기.

Dimentioned Hole (치수홀)
인쇄기판에 있어서 홀의 위치가 반드시 그리드 상에 위치하지 않고 좌표값에 의해 위치가 결정되는 홀.

DIN
Deionized Water로서 초순수를 말한다.

Diode
di-electrode를 따서 만든 단어로 2극 소자를 말함. 진공관에서도 2극관을 다이오드라하며 검파, 정류작용은 가지나, 증폭 작용 은 없으며 따라서 수동소자로 분류함.

Diode Array
여러 개의 다이오드를 하나의 펠렛에 조합하여 복합시키는 것.

Diode Ring Structure
다이오드를 링 구조로 연결 순방향 특성을 이용한 구조.

DIP(Dual Inline Package)
가장 보편적인 IC포장의 한 형태로 직사각형 모형이며, 내부 회로(Chip)와의 연결도선이 옆면에 수직으로 붙어 있는 포장 형태.

Discolor
Wafer육안 검사시 불량 항목의 하나로 FAB공정중 또는 절단할 때 발생하는 Pad 변색.

Discrete
집적회로(IC)에 반대되는 말로서 개별전자부품을 가르킨다. TR, Diode, 저항, 콘덴서등의 부품은 각각 개별부품으로서의 기능밖 에 가지고 있지 않으므로 이들은 모두 Discrete부품이 된다.

Discretional Array Method
LSI를 만드는 방법의 하나로서 웨이퍼속에 포함되는 수 10에서 수 100의 단위회로(Cell또는 Unit Cell이라 부른다)의 모두를 검 사하고 양호한 Cell만을 골라내어 그것을 상호배선하는 방법을 말한다.

Discrete Device
단순한 개별소자로 저항, Transistor , Diode 같은 것.

Discrete Product
개별소자는 Diode, Transistor, 정류기(Rectifier), 트라이스터(Thyristor)등을 일컫으며, 이러한 소자들의 결합으로 구성된 집 적회로에 대응하는 말.

Discretion Wiring-Approach
Wafer의 모든 기능 단위의 양,부를 미리 판정 기억하고 양품을 선택적으로 결선한 다음 그 Wafer를 이용하여 최종 상호배선Patt ern을 설계함으로써 LSI등을 제작하는 방식을 말함.

Display Device
숫자, 문서등을 표시하기 위한 숫자.

DIW (Deionized Wafer)
초순수로서 설비에서 복잡한 공정을 거쳐 수중의 이온 및 오염물질을 전주 제거한 순수, 생산라인의 Wet공정을 비롯하여 반도체 제조공정에서 광범위하게 사용됨.

D-I Water (De Ionized Water 또는 Semiconductor grede Water)
이온이 함유되지 않는 물이란 뜻으로 불순물을 제거시킨 순수, Wafer세정 및 절단시 용수로 사용됨.

DLM
2층 구조의 Metal Layer를 갖도록 공정을 진행시켜 집적도를 향샹시킬 수있음. 1층 금속은 power 및 routing line으로 사용하고 2층금속은 rounting line으로 사용하는 소자간의 배선기술.

D-MOS
(Double DiffusionMetal Oxide Semiconductor)
연속적으로 확산공정을 두번 진행함으로써 channel length를 짧게 하고 이에 의해 고전압, 고전류를 인가하는데 장점을 갖는 MO S를 일컫음.

DMA (Direct Memory Access)
주변장치와 주기억장치에서 CPU를 거치지 않고 직접 기억장치로 data를 입출력할 수 있게 하는 것으로 DMAC(8237A)에 의하여 DM A기능에 제어되며 고속으로 data룰 전송할 수 있다.

Domain
동일 액정cell 내에서 기본이 되는 액정분자의 배향벡터가 하나의 모양으로 이어져 있는 액정의 영역이 복수로 존재하고 있는 상태.

Donor
반도체 소자의 특성을 N-type으로 만들기 위하여 전도대에 자유전자를 주입하는 불순물 원소로 P, As, Sb 등이 있다.

Donor level
반도체 속에 불순물로서 혼입한 원자에 의해서 자유전자가 생겨 반도체가 N형으로 되는 불순물 원자를 donor라고 한다. 이 상태 를 에너지대의 그림으로 나타낼 때 도우너에 의해서 금지대(Forebidden band)속에 생긴 에너지 level을 Donor Level이라고 한다.

Dope
반도체 속에 불순물을 주입(확산, ION IMP-LANTATION등에 의해서)하는 것.

Dopant
Dope시 주입되는 불순물.

Doping
반도체 재료(Wafer)에 불순물을 주입하여 P-type또는 N-type의 반도체 특성을 만드는 것으로 박막이나 실리콘 기판에 불순물을 주입시켜 전도특성을 향상시킬 때 사용함.

Dope Oxide
Doping된 layer위에서 성장된 Oxide.

Dosage
불순물의 양을 말하는 것으로서 단위 면적당 투입되는 불순물 개수를 나타냄.

Dose
lon lmplantation등 충격에 의해서 반도체에 불순물을 주입하는 것을 dose라고 하며, 당 불순물 개수로 표현.

Dot-Clock Signal
디스플레이 시스템에서 화소비를 조절하는 신호.

DPLL(Dull Phase Locked Loop)
PLL은 입력신호에 대해 주파수와 위상이 같은 신호를 발생시키는 폐회로로서 무선통신에서 수신과 송신을 동시에 수행하기 위해 2개의 PLL을 사용하는데 이러한 두개의 PLL구조를 DPLL이라 하며, 이는 Digital PLL과는 구별된다.

DRAM(Dynamic Random Access Memory)
Capacitor의 정전용량을 이용한 Cell모양의 device로써 읽기와 쓰기가 자유로우며 CAP에 Charge를 시켜 주기 위해 Refresh Cycl e이 필요함. Refresh 동작을 필요로 하는 RAM으로 정보의 기억을 용량(capacitor)의 전하 유,무에 따라 행하는 Memory로써 기억 하고 있는 정보가 용량의 leak전류에 의해 시간이 경과에 따라 소멸되기 때문에 일정기간까지는 정보를 읽고 출력시키며, 재차 기재화는 것을 할 필요가 있으며 이것을 Refresh동작이라 한다. DRAM은 SRAM에 비해서 memory cell의 면적이 적기 때문에 대용량 에서 경제적인 memory를 얻을 수 있다.

Drain
전계효과 TR(FET)의 전극의 하나, 드레인은 주회로 전류가 흘러들어 가는 전극이며 통상의 사용법인 소오스 접지 방식에서는 출 력을 꺼내는 전극이 된다. 따라서 드레인은 보통의 TR, 즉 접합형 TR의 콜렉터에 상당하는 전극이라고 할 수 있다.

DRC/ERC/LVS
등의 DVP-Circuit과 Layout의 내용의 일치상 및 Design Rule, 전기적인 특성을 이상유무를 검사하는 작업.
1) DRC(Design Rule Check)
; Layout Data의 규칙(Metal의 선폭, 등등)을 Check
2) ERC(Electrical Rule Check) ; 전기적인 특성을 Check.
3) LVS(Layout vs Schematic) ; Layout Data와 Circuit의 차이점을 비교 출력.

Dressing
Wafer절단용 톱날(Blade)을 다듬어 주는 행위를 Dressing이라 함.

Drift
주로 직류 증폭기에서 문제가 되며 입력신호가 "0"인데도 출력전압이 변동하는 것을 말한다.

Drift Current
균일하게 분포한 Extrinsic Semiconductor에서 E-Filed가 가해졌을 때 흐르는 Current Carrier의 Drift Velocity는 v=μE (μ:M oblity, E:Electric Filed)로 정의된다.

Drive-In
Deposition된 B(붕소)나 P(인)DMF wafer내부로 더 깊이 침투시키는 것을 말하며 확산로(Furnace)를 이용함.

Driver
Device에 전압, 파형등을 인가하는 전자장치.

Driving Fregurncy
액정소자를 구동시키기 위해 인가하는 교류 전압의 프레임 주파수.

Driving Voitage
액정소자를 구동시키기 위해 인가하는 교류 전압의 피크 값.

DRO(Destructive Read-Out)
파괴판독. 메모리 소자에서 기억내용을 판독할 때 이 판독 조작에 의해서 기록된 기억내용이 소멸되는 것.

Dross(지꺼기)
용해된 솔더의 표면에 떠 있는 오염물질.

DRT(Device Reliability Test)
"신제품 신뢰성 시험"으로서 신제품에 대한 품질인정검사(Quality Approval Test)를 말함.

Dry Etch
건식 식각, 용액성 화학물질을 사용치 않고 활성화된 Gas(Plasma)를 이용하는 식각방법.

Dry Process
플레이너 TR, IC등의 사진식각기술에 있어서 가스플라스마나 이온beam을 애칭에 이용하는 방법.

DST(Die Share Test)
Die 접착력 시험으로서 Die Attach공정을 거친 중간제품에 대해 Die와 Frame pad접착 정도를 판정하기 위한 시험.

DT(Down Time)
작업이 중단되는 시간.

Dummy Wafer
Tube내에 공정의 Uniformity를 좋게 하기 위해 사용하는 Wafer또는 생산 Wafer와 함께 투입되어 생산Wafer의 제품특성의 균일성 을 도모하기 위해 쓰이는 Wafer

Dumping-ZIG
한쪽 Carrier에 담긴 wafer를 다른 carrier에 한꺼번에 옮겨 담을 수 있도록 하는 치공구.

DUT(Device Under Test)
검사되고 있는 제품. test를 하기 위해 장착한 소자를 말하고, 이를 위해서는 DUT Board가 필요함.

Duty Cycle
스크린상에서 각 화소를 재표시하는데 걸리는 시간으로 refresh rate가 60Hz미만이 되면 인간이 깜박임을 인지할 수 있다.

Duty Ratio
주기신호 체계에서 일정주기에 대한 선택신호가 발생하고 있는 기간의 비.
Dyed Polyimides
폴리이미드(polyimide)기판에 색소를 녹여서 착색된 층에 빛을 통과시킴으로 착색하는 방법.

Dynamic Shift Register
MOS특유의 회로로서 동적으로 향상 동작하고 있는 Shif Register를 말한다.

Dynamic RAM
(Dynamic Random Access Memory; DRAM)
용량성 충전여부에 의하여 "1"또는 "0"의 정보를 저장할 수 있는 기억장치으로 재충천시켜야 기능을 유지 함.

Dynamic Scatting Mode (동적 산란 모드)
전기유체적 불안정사태로서 네마틱상에 전계를 인가하면 전기유체 역학적 불안전성에 의해서 대류가 발생한다. 전계가 증가하면 잇달아 새로운 대류구조가 생겨 최종적인 난류로 변화한다. 난류상태가 되면 액정은 그 광학적 이방성과 유체운동에 의해 강하 게 빛을 산란시킨다.

Dynascope
Wafer육안검사용 현미경의 하나로 보통의 현미경과 다른 점은 투영기가 평면 유리로 되지 않고 디스크라고 하는 직경0.1mm의 미 소렌즈가 무수하게 배열된 것을 사용하므로서 선명하고 보기 쉬운 특징이 있다. (육안의 피로가 적음) 절단 높이, 깊이, 전단 웨 이퍼 두께 및 웨이퍼 외간 측정등에 사용됨.

DW(Diffused Wafer)
확산 웨이퍼