C

Cache DRAM
Cache (은밀한 장소의 의미로 긴밀하게 이용하는 data를 일시적으로 대피시키는 buffer의 역할)로 사용되는 SRAM과 Regist를 내 장한 DRAM을 말하며, DRAM의 대용량과 SRAM의 고속성을 겸비하고 있다. Main Memory와 CPU사이에 마련된 고속의 기억장치.

CAD(Computer Aided Design)
컴퓨터에 기억되어 있는 설계정보를 그래픽 디스플레이 장치로 출력하여 회면을 보면서 설계하는 것 (컴퓨터을 이용하여 설계를 하고 도면을 그려내는 것). IC, 특히 LSI나 초LSI의 최적설비를 computer지원에 의해 효율을 보다 향상시킨 기술을 말하며, 논 리 Simulation, 회로분석, Device해석, 배치, 배선설계, Mask Pattern작성, Test Pattern작성등의 각 Step에서 CAD를 사용한다. 설계전자동화의 방향으로 기술개발이 발전하고 있다.

CAD Software
반도체 제품의 설계 및 개발업무에 관련된 CAD Program을 총칭한다.

CAE(computer aided engineering)
CAD로 만든 모델의 성능을 컴퓨터 내에서 상세하게 검토하여 그 데이터를 토대로 모델을 수정하는 System (컴퓨터를 이용하여 모의 실험(Simulation)을 하는 Tools). CAD와 동일한 의미로 사용되고 있으며, CAD가 Computer작도에 이용되는 반해서 CAE는 특 성해석을 실행하는 것부터 simulation에 의한 설계를 진행시키는 기술까지 포함하고 있으며, 광의의 CAE는 CAD와CAM을 통하여 En gineering을 실행한다.

CAM(Computer Aided Manufacturing)
컴퓨터 이용에 의한 제조방법으로서, CAD system으로 설계한 설계도의 데이터를 토대로 NC(Nume-
rical Control: 수치제어) 공작기계등의 생산설비를 제어하여 제품을 생산하는 장비. Computer지원에 의해 LSI나 초LSI제조의 생산성, 신뢰성을 높이는 자동화 기술을 CAM이라 말한다. CAD에 의해 수치화된 Master data와 test data 에 의거 제조에 필요한 Process data를 설정하여 실행한다. CAD와 CAM은 상호 밀접한 관계가 있으며 설계부터 제조까지 일관되게 Computer를 이용하는 s ystem으로 하는 경우에는 CAD/CAM으로 불리운다.

Capacitance
전하를 축적할 수 있는 용량.

Capatiance Voltage Characteris
MOS구조에 있어. 반도체 기판의 상태, 산화막 속의 오염상태, 반도체 기판과 산화막과의 계면상태등을 알기 위하여 사용되는 용 량과 전압의 특성, MOS구조에 있어서는 금속전극에 가한 전압에 의해, 산화 silicon막 아래의 반도체 표면상태가 축적상태, 공핍 상태, 안정상태로 변화한다.

Capacitor
전하를 저장할 수 있는 제품(콘덴서)

Capillary
Wire Bonding 공정에서 Chip과 Lead Frame의 Load를 Wire로 연결시키는 도구.

Capture Center
캐리어를 일시적으로 잡아두는 금지대 속의 에너지 준위.

Carrier
전류를 구성하는 기본적인 주체(전자, 전공)

Carrier
Wafer를 담는 용기로 25장을 담을수 있는 홈이 있다. 종류에는 청색 캐리어 (Blue Carrier), 흑색 캐리어(Black Carrier), 백색 캐리어(White Carrier), 금속 캐리어(Metal Carrier)가 있다.
1) Blue Carrier : Poly Propylene재질로 되어 있으며
색은 청색임, 화공약품에는 강하나 열에약함
2) White Carrier : Teflon 재질로 되어 있으며,
색은 백색임. 화공약품과 열에 모두 강하며
가격이 비싸고 무거움

Carrier Generation
열평형 상태에서 반도체가 있는 carrier들은 주위 온도에 대응하는 평균 열에너지를 가진다. 이 열 에너지는 Valence Electron 들중 일부를 Conduction Band 로의 천이과정 속에서 Electron과 Hole의 쌍을 생산하게 되며 이를 Carrier Generation이라한다.

Carrier Handler
Wafer를 취급하는 도구.

Cart
Wafer strage box를 운반하는 도구.

Cascade
3단으로 되어 있는 작은 폭포로써 순수한 물(DIW)이 흐르면서 바닥으로부터 질소가 분출되도록 만들어져 있어 Wafer를 헹구는 장치.

CAT(Category)
Bin과 같은 개념임.

Cavity
금형내에 PKG를 형성하게 끔 만드는 PKG모양의 동공.

Cavitation
운전중인 pump에서 물의 온도에 의하여 증기압보다 낮아져 물 속의 공기, 수증기가 분리, 기포가 발생하여 공동을 만드는 현상.

CBIC (Cell Based IC)
MASK를 제작하여 공정을 거치게 하는 설계방식으로 CAD S/W를 이용하여 Library를 배치․배선한다.

CBR (CAS Before RAS)
RAS가 Low가 되기 전에 CAS가 Low되어 Refresh가 일어난다.

CC (LIM Central Controller)
STC로부터 공정간 반송지령을 받아서 stocker간의 cassette반송을 제어한다.

C&C (Computer and Communications)
컴퓨터 기술과 통신기술의 완벽한 조합.

CCD (Charge Coupled Device)
전하결합소자(電荷結合素子). 미국 벨연구소가 개발한 새로운 반도체 소자이다. 종래의 트랜지스터 소자와 달리 신호를 축적(기 억)하고 전송하는 2가지 기능을 동시 갖추고 있다. 사람의 눈(目)역할을 하는 전자 눈으로도 각광을 받고 있다.

CCM(Cell Control Manager)
Factory Automation System에서 Host Level의 program군(群)으로서 일련의 공정들을 제어한다.

CCST (Constant Current Stress Time)
Dielectric Film의 Life Time을 측정하는 방법을 TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)라 하는데 이는 일정한 시간을 측 정하는 방법이다. 그 중 CCST는 보통 단위 면적당 100 의 일정한 전류를 Plate Poly에 가해 Dielectric Film의 Breakdown이 일어 나는 시간을 측정하는 방법.

CD (Critical Dimension)
사진공정과 식각공정을 진행한후 규정된 규격에 의해 공정이 진행되었는지 점검할 때 사용.
1) ADI(After Develop Inspection) : Wafer 현상후 현상 부위의 목이나 가격을 잰 값.
2) ACI(After Clean Inspection) : Wafer 식각 및 Strip후 식각부위의 폭이나 가격을 잰 값.

CD-ROM (Compact Disk Read Only Memory)
CD(광디스크)처럼 공장에서 제조시 기록한 정보만을 읽을 수 있는 Disk.

CDI (Collector Diffusion Isolation)
바이폴라 IC의 집적도를 높이기 위해 분리를 필요로 하는 면적을 되도록 작게 하는 방법.

Cell
RAM이나 ROM등 IC의 가장 작은 기억소자를 말하며 보통 Transistor, Capacitor, Resistor등으로 구성되어 있고 1Bit의 정보를 저장할 수 있다.

Cell Boundaries
급경계. 급 내에 포함 될 모든 값들을 포함하는 급의 양단 값을 말한다. 일반적으로 급경계치는 그려질 data보다 더 중요한 의 미를 갖는다.

Cell Deviations(d)
급간 편차, 계산을 쉽게 하기위해, 보통 모든 급의 중심치로부터 상수 A를 빼는 방법에 의해 data를 부호화하는 것이 바람직하 다. A와 같도록 선택된 급의 중심치 Xm은 급의 중앙에 나타낸다. 모든 다른 급들은 그들이 중앙급으로부터 떨어져 있는 급의 수 로 나타낸다. 중앙급은 Xm=A이기 때문에 그 거리 d=0이다. A보다 큰 값을 갖는 급은 "+", A보다 작은 값을 갖는 급은 "-" 값을 갖는다.

Cell GAP
LCD의 액정이 주입되는 앞 유리기판과 뒷 유리기관사이의 폭, 즉 액정층의 두께를 의미한다.

Cell IMP
Mask ROM에 있어서 한Bit의 저장정보 상태를 결정하여 주는 Implant공정을 말하며. P-Well의 경우 Boron을 주입하여 TR을 compe nsate시켜 문턱전압을 상승시킴.

Cell Interval(i)
급 구간(간격). 급경계 사이의 거리를 말한다.

Cell Library
고유의 function을 갖는 primitive cell인NAND, NOR, XOR등을 지칭하는 것으로 각각의 Cell에는 Logic sy-mbol, Electrical dat a와 Layout이 한조로 구성되어있다.

Cell Midpoint(Xm)
급 중심치, 두 급 경계치 사이의 평균값을 말한다. 일반적으로 급에서 관측된 모든값들의 중심값을 말한다.

Ceramic
비금속의 비정질 재료를 칭하는 것이나 일반적으로 유리를 포함하지 않는 것이 보통이다.

Cer-DIP(Ceramic Dual In-Line Package)
재질이 Ceramic이며 Lead 배열이 양쪽은 PKG.

Certification
교정된 계측기가 주어진 기준치와 일치됨을 인정하거나 측정값을 보증하는 행위를 말함.

Centeral Line
중심선. 관리도상에서 오랜 기간 동안의 평균을 표시하거나 관리도 위에 찍히는 통계적 측정치들의 기준이 되는 값.

Chance Cause(Random Causes)
우연원인, 일반적으로 다수이며, 개별적이고, 상대적으로 덜 중요한 요소이지만 산포에 영향을 끼치는 원인을 규명할 수 없는 요소들.

Chance Variation (Random Variation)
우연 원인에 기인한 변동.

Channel
MOS Transistor의 Gate아래 부분으로 다수 반송자를 형성하여 전류가 흐른 길. P-Channel, N-Channel 두 가지가 있다.

Characterization Testing
특성분석을 의미하며 제품이 전기적 규격을 만족하는지 여부보다 실제 측정치가 전압, 온도등에 따라 어떠한 특성이 있는지 분 석 시험 하는 것을 말한다. 따라서 Test Time은 크게 부각되지 않으며 가장 정확한 Data를 얻는 것에 주안점이 있다.

Charge
전하

Charge Coupled Device(CCD)
전하 결합소자.

Chip
전기로 속에서 가공된 전자회로가 들어 있는 적은(한변길이 0.5~ 10mm정도) 포장되기 직전의 얇고 네모난 반도체 조각(Die와 같 다). 수동소자, 능동소자, 또는 집적회로가 만들어진 반도체.

Chip Select
많은 LSI칩중에서 특정의 칩하나를 선택하는 데 사용되는 LSI의 입력단자나 신호.

Chip-Set
System을 구성하는 다수의 component(TTL, Contro-ller, PLL등)를 여러개 혹은 하나의 Chip으로 구현하는 것. 따라서 chipset은 그에 맞는 다수의 system solution및 software와 함께 제공되어진다.

Chiral
거울에 비친 분자의 상이 원래의 상과 다른 것을 의미한다.

Chiral Nematic Phase
액정상으로 콜레스테릭 액정과 같은 것의 별칭이다. 당초 이 종의 액정상에는 cholestric 유도체 특징이 보임에 따라 콜레스테 릭상이라는 명칭이 이용되었지만 그 후 네마틱상을 주는 화합물과 유사구조의 카이랄 화합물이 같은 콜레스테릭상을 주는데서 명 칭이 붙었다.

Chiral Pitch
네마틱 액정에 카이랄제를 첨가하면 분자 배열 나선 구조를 갖는다. 이 나선의 주기를 말한다.

Chokralsky Method
Chokralsky가 고안한 단결정 반도체 제조방법.

Chromaticity(色度)
색 평가는 일반적으로 색상, 명도, 채도의 3요소로서 행해지지만, 이것들을 총칭해서 색도라고 부른다.

Chrome Mask
Mask의 한 종류로 유리 원판위에 chrome(금속)박막으로 회로가 인쇄된 Mask.

Chuck
공작기기에서 작업물 또는 공구를 고정하기 위한 장치를 말하며, 반도체 공정에서는 Wafer Test시 Wafer를 고정시키고 적절한 온도를 가해주는 원형으로 된 Prober의 특정부분을 의미한다.

Chuck Table
절단작업을 하기 위하여 Wafer를 올려놓는 치구를 말함.(진공으로 고정시킬 수 있게 되어 있음)

CIM(Computer Integrated Manufacturing)
제조업체에 있어서 기술, 생산, 판매의 제기능을 경영 전략하에서 통합하는 정보 시스템이다. 다품종 소량생산에도 대응할 수 있는 전자동 기술, 정보처리계, 제어계, 반송계 등을 포함한 Computer지원에 의한 총합적 자동화 기술이다.

Clad
비교적 얇은 금속층이 양쪽면에 결합이 된 기본재(Base Material)의 상태.

Clamp Pressure
조임쇠 압력, 상하금형을 맞물리는데 필요한 압력.

Clean Class (청정도)
청정실내에 공급되는 공기중의 Particle관리정도에 따라 정한 등급. 1M DRAM의 청정실은 0.1μm의 Particle를 기준으로 결정. 통상 0.5μm이상의 공중입자가 체적내에 있는 Particle의 수를 말함.

Cleaning
Wafer난 Carrier등을 화공약품 및 순수한 물(D.I Water)을 이용하여 깨끗하게 하는 것을 말함.

Clean Paper
먼지가 발생하지 않는 종이.

Clean Room(청정실)
공기의 온도,습도 및 Particle이 작업공정에 적합하게 인위적으로 조절 관리되는 실내공간.

Clearance Hole
기판 기본재에 형성에 되어 있는 홀과 동일한 축을 형성하고 있으나 크기는 더 큰 전도성 회로층에 형성되어 있는 Hole.

Clinched Lead
기관의 홀속에 삽입되어 솔더링이전에 부품이 떨어져 나가는 것을 방지하는 역할을 하는 리드.

Clock Pulse
논리회로에서 일정한 주기의 펄스를 게이트의 1개 입력단자에 가해두고 이 펄스와 AND를 잡음으로서 시간의 규제와 파형의 정형 을 하는 경우가 많은데 이와 같은 펄스를 Clock Pulse라고 한다.

Cluster
터미날 또는 컴퓨터화된 시스템으로부터 일반적인 통신통로를 분배하는 입출력 장치들의 집단. 이것은 컴퓨터와 클러스터간의 설비사이에 정보의 흐름을 관리하는 로칼 클러스터 콘트롤러에 의해 운영된다.

C-MOS
(Complementary Metal Oxide Semiconductor)
N Channel, P Channel의 두 MOS Transistor가 합해서 기능을 발하는 복합체로써 낮은 전력소모와 높은 Noise Margin기타 신뢰성 에 잇점이 있다.

CMOS 표준 Logic
TTL과 동일하게 품종이 풍부하여 넓게 사용되고 있는 CMOS Logic IC의 Family, 범용 Family 에는 NAND나 NOR의 Gate, Filp-Flop 등의 품종이 있으며, 최근에는 Bipolar고속 Logic IC에 필적하는 고속 CMOS 표준 Logic가 상품화되고 있다.

MOS
Clocked CMOS, 시계용 CMOS.

C-MOS 외검 검사표
LOT크기의 단위 및 불량 항목을 나타내는 표.

CMS(Central Monitoring System)
중앙 감시장치.

Coating
감광막, 절연막 또는 금속박을 Wafer표면에 균일하게 증착하는(바르는)과정.

COB(Chip on Board)
PCB Board에 Die를 붙인 것.

Cob(Collector Capacitance)
콜렉터 용량 Collector-Base간의 PN접합 용량.

Bubbler
Wafer 고압 세정시 정전기 발생을 억제하기 위하여 를 공급하는 장치.

Co-Processor
Main processor에서 제공하지 못하는 특정 용도의 instruction을 가진 프로세서. Main processor와 함께 사용되며, floating-p oint연산을 하는 math-co-processor, graphic기능을 하는 graphic coprocessor등이 있다.

CODEC (Coder and Decodr)
ADC와 DAC를 one chip 화한 IC.

COG (Chip On Glass)
액정패널의 유리기판위에 드라이브 대규모 집적회로를 직접 내장하는 방식으로, 초박형, 경량화로 인해 접속피치의 미세화에 대 응하는 새로운 실장방식이다.

Cold Solder Joint
불충분한 가열 및 솔더링의 불충분한 세척이나 솔더의 오염으로 인하여 솔더 표면이 젖고 균일하지 못하며 구멍이 많은 상태의 솔더 결합.

Cold Test
제품을 강제로 저온상태에서 검사하는 것
(-18℃ 이하)

Collector
접합 Transistor에서 출력이 나오는 부분.

Collet
Chip을 Lead Fram에 접착시키는 데 Expanding Tape에 접착된 Chip을 Lead Frame에 붙이는 도구.

Column
액화된 공기를 비점차에 의해 질소와 산소, 아르곤등으로 분류시키는 정류탑.

Column성 Fail
Device Test 결과 일정한 Y Address, 변화하는 X Address를 갖는 Cell들이 연속적으로 Fail된 경우.

Combinational Circuit (조합회로)
기본 게이트인 NAND, NOR등을 조합한 비교적 기본적인 Digital회로

Common
전기를 공급시키는 단자중 접지되는 공통단자를 의미함.(Ground)

Comparator
두 개의 입력을 받아서 그 진폭의 크기를 비교하여 요구되는 신호를 선정하는 비교증폭기, 출력측은 TTL등의 범용 Logic IC와 직결되어 있다.

Complementary Circuit (상보형 회로)
바이폴라 또는 유니폴라로서 극성이 반대인 TR을 접속하여 하나의 기능을 갖게 하는 회로를 말한다.

Compound
선 연결된 반제품을 포장하고 성형 재료로서 화합물인 수지에 각종 배합제를 가하여 성형가공하기 쉽게 만든 열경화성 수지.

Compound Semiconductor
화합물 반도체.

Component (컴포넌트)
개개의 부품을 뜻함. 혹은 합계 결합되어지면 일정한 기능을 수행할 수 있는 부품들의 조화된 상태를 말함.

Component Density (컴포넌트 리드 홀)
부품단자를 전기적으로 연결시키거나 부착시키는 역할을 하는 홀.

Component Pin 부품핀)
부품으로 연결이 되어 기계적이나 전기적인 연결을 한다.

Component Side (부품면)
인쇄회로기판중 대부분의 부품이 실장되는 면.

Compound Device.
하나의 케이스속에 2개이상의 회로소자를 포함하는 것을 복합부품이라고 한다.

Compressor
공기 압축기.

Computer Network
컴퓨터 네트워크. 복수의 컴퓨터 혹은 1대의 초대형기와 다수의 단말기를 통신회선으로 연결하여 효율적인 데이터 전송을 하기 위한 통신망.

Condenser(콘덴서)
기본적으로 2장의 전극사이에 유전체를 둔 구조.

Conductance
저항의 역수로서 도전도라고 하며 전류가 흐르기 쉬운 정도를 말한다. 교류회로에서는 어드미텐스 Y가 Y-G-jB로 표시되는데 이 식의 G가 컨덕텐스이다. 병렬컨덕텐스위 합성치는 각 컨덕텐스의 합이 되므로 병렬회로의 계산에 이용하면 편리하다.

Conduction Band (전도대)
결정이 갖는 전자의 에너지 상태를 에너지대로 표현했을 때 가장 에너지 값이 작은, 즉 맨위에 있는 에너지대로 수용 가능한 수 의 전자로 충만되어 있지 않는 상태에 있는 에너지대.

Conductivity (전기 전도도)
전기가 통하기 쉬운 정도를 나타내는 양으로 전기 저항의 역수이다.

Conductor (도체)전기가 통하는 것
(비저항이 10E 6 ~ 4cm정도의 범위)

Conductor Side (회로면)
단면 인쇄기판중 회로를 포함되는 면.

Conductor Spacing (회로간격)
회로면에 있어서의 회로와 회로의 간격.

Contact (TEST)
통상 Continuity Test라고 칭하며, tester interface와 device사이의 접촉 혹은 연결이 정확히 되었는가를 확인하는 것이다. 이 Test는 보통 각IC pin의 protection diode에 순방향으로 전류를 인가하고 전압을 측정함으로써 가능하다.

Contact Potentia (접촉전위)
일반적으로 두 종류의 금속을 접촉시키면 한쪽에서 다른쪽으로 전자가 이동하여 두 금속간에 전위차가 생기는 데 이 접촉 자체 로부터 유기되는 두 물질간의 전위차를 접촉전위라 한다.

Contrast Ratio
디스플레이상에서 일정 조건의 빛을 조사할 때 액정 표시기의 밝은 부분과 어두운 부분의 정도의 명암의 대조를 의미한다. 즉 회면의 백과 흑 각각의 경우의 광의 투과량의 비에 의해 정의한다.

Concuctor Width (회로폭)
기판의 위에서 회로를 내려다 보았을 때의 가장 넓은 부분.

Conformal Coating
기판의 부품결합이 완전히 끝난 상태에서 표면을 절연체로 실시하는 코팅.

Confounding
교략, 타인자나 block인자 또는 교호작용에 의한 효과와 인자간의 미소한 효과나 주효과가 구분되지 않고 결합(혼합)되는 것을 말한다.

Connector Area (단자부)
외부와 전기적으로 연결될 수 있도록 사용되는 부분.

Console
컴퓨터 시스템의 일부분으로써 관리자 또는 조작원과 컴퓨터 사이에 대화(연락)을 할수 있는 장치.

Contact Resistence
Metal과 Wafer표면 접합부의 전기적저항크기.

Contact Spacing (접촉간격)
인접단자 각각의 중간선간의 거리.

Contact Spiking
AI이 P/N접합면과 Alloy되었을 때 Junction이 매우 얇은 Junction을 침범하여 Spike모양으로 Alloy된 현상을 말한다.

Contamination
오염.

Control Chart
공정이 통계적 관리상태 인지 아닌지를 평가하기 위한 도식적인 방법으로 관리한계와 통계적 측정치를 비교하여 관리상태를 판 단한다.

Control Chart-Standard given
해석용 관리도. 관리도상의 점들에 대해 적용할 수 있도록 채택된 기준값을 근거로한 관리한계선을 가지고 있는 관리도

Control Gate
2 Polysilicon Stacked Structure를 가지는 Non-Valatile Momory 중 실제적 Gate역할을 하는 전극으로서, 이Electrode의 Bias상 태에 의하여 소자의 Program과 Erase가 수행되어 진다.

Control Limit
관리한계. data가 안정상태인가 아닌가를 판단하는 기준으로 또는 어떤 조치가 필요한지의 기준으로 사용되는 관리도상의 한계

Continuous Sampling Plan
연속 Sampling법. 개별단위체의 합,부판정을 포함하고 전수검사의 선탠적 주기와 검사제품의 품질에 따라 sampling 을 적용하는 개별제품단위의 연속체에 적용하기 위한 sampling 계획을 말한다.

Conventional Memory
DOS에 의해 인식되고 관리될 수 있는 Memory영역을 말하며 640KB로 제한되며 Base Memory라고도 한다. 그 이상의 영역은 Expan ded Memory와 Extended Memory를 동시에 사용할 수 있다.

Converter
주파수 변환의 동작을 하는 회로.
직류의 전압을 바꾸는 장치.

Cooker Test
용기속에 물을 넣고 거기에 TR, Diode, IC등을 함께 넣어서 뚜껑을 밀폐하여 가열하는 시험.

Coplanar Structure
트랜지스터 공정에서 게이트와 소오스드레인 전극이 활성층의 위에 있는 구조.

Core
Embedded IC에서 Micro-Operation과 ALU등의 CPU기능을 하는 핵심 Block을 주변회로(Peripherals)에 대응하여 Core라 한다.

Correlation
검사장비의 상태를 점검하고 검사되는 제품이 정확히 검사되는지를 확인하기 위하여 점검하는 시점을 기준으로 그 이전의 장비 상태를 비교하는 방법.

Corrosion(부식현상)
AL식각후 Etchant Gas에 의해 Al2O2가 되어 Metal이 부식되는 현상

Cosmetic Appearance(외관규격)
액정 패널의 외관성을 규격을 결정하기 위한 것을 액정표시소자의 응용분야 및 고객의 요구정도에 따라 A급은 자동차용 Instrum ent panel등 주요고객, E급은 산업용(car-audio), B급은 Game기용 등이다.

Convalent Bond(공유결합)
몇 개의 원자가 모여서 분자를 이룰 때 양쪽 원자에서 전자가 하나씩 쌍을 이루어 결합하게 되면 매우 안전하고 강한 결합력을 가지게 된다. 이것은 서로 상대방의 원자가 갖는 전자를 공유하는 결합상태이므로 공유결합이라 한다.

Cooling Wafer (CW)
냉동기에서 냉매의 압축열을 흡수하는 냉각수

CPO (Customer Product Operation)
소비자 요구 수준 만족을 위한 Device의 특수 Test를 말하며 이는 Customer의 Special Spec을 적용함.

CPU (Central Processing Unit)
Computer의 일부분으로서 명령을 수행하기 위한 지시나 제어, 연산기능을 갖고 있는 부분으로 인간의 두뇌에 해당하는 부분.
CPU Core
LSI설계에 사용되는 Microprocess나microcon- troller회로, standard cell과 SOG형 Gate Array의 library로써 등록시키고, user 는 필요로 하는 system을 용이하게 ASIC Micon으로 1chip화 시키는 것이 가능하다

Crack
금감. 즉 절단시 충격, 또는 stress차에 의한 Chip, 막질 혹은 PKG 몸체에 금이 가는 현상.

Cradle
Chip Mount를 연속적으로 하기위해 사용하는 금속 리본을 말하며 베이스 리본, 콘 따위와 같은 것이다.

Crazing
밀착된 기초재의 내부에서 화이버교차시 교차부분에서 화이버가 분리되는 상태.

Critical Energy
Ion주입시 Beam Energy 크기가 높아 불순물이 mask막질을 투과하여 Implant되는 위험 Energy를 말함.

Cross Section(절단면)
절단면을 말하며 여러 가지 Layer로 형성된 Pattern의 모양을 관찰하기 위해 Layer의 수직방향으로 잘라놓은 단면모양.

Cross Talk
시그날 회로 사이에서의 에너지로 서로 영향을 미쳐 방해를 일으키는 상태.

Cross-over
IC가 복잡해지면 배선을 입체적으로 교차시키는 것을 말한다.

Crow Feet
Wafer 표면의 새 발자국 형태의 결함.

Crystal Osillator
수정 진동자의 안정성과 압전현상을 이용하여 전자회로의 발진기를 형성하는 것.

CTN(Complementary TN)
각 화소의 액정분자에 두가지 상반된 방향을 주어 보다 넒은 시야 각을 가능케한 특수 유형의 LCD결정

CUM Graph(Cumulative Graph)
임의의 data를 통계적으로 관찰하기 위해 전체 data의 수를 정규화하고 data의 값에 따라 누적하면서 도식화한 그림. Water내의 각 die에 관한 정보와 같은 행열구조의 data를 통계적으로 관찰하기 위해 동일 위치의 Die (element)의 Data를 누적하여 전체행 열(Wafer)의 분포를 볼수 있게 한 그림.

Cumulative Frequency Distribution
누적 도수분포. 특별한 급경계치보다 크거나 작은 발생 빈도를 갖는 개별 관측치들의 조함을 말한다.

Cure
경화, 즉PKG를 인쇄후나 성형후에 단단하게 굳히는 작업.

Custom IC.
고객의 주문에 의한 사양으로 작성되는 IC.

Customer Layer
ASIC process 의 일부로서 수많은 gate를 array상에 배열하는 base array process 가 완료된 후 이를 user가 요구하는 기능에 맞추어 각 gate를 연결하는 배선 process라 할 수 있다.
CUT-OFF Frequency
액정소자가 어느 이상의 주파수로 인해 교류 구동으로 추종할 수 없게 되는 한계 주파수를 의미함.

Cut Stroke 절단범위.

CV(Cleaning Vacuum)
청소용 진공으로서 라인내 청소시 사용된다.

CV(Count Variance)
수량차이.

CVD (Chemical Vaper Desposition)
APCVD상압증착, LPCVD 저압증착방식등으로 분자기체를 반응시켜 Wafer표면위에 Poly나 Nitride, PSG, BPSG, LTO등의 막질을 형성시키는 공정.

C-V Plot (Capacitance Versus Voltage Plot)
Wafer의 정전용량 특성을 도면화하여 산화막의 막질평가, 오염도(정전용량, 두께, 문턱전압, 농도)를 파악하는 기법.

CVST (Constant Voltage Stress Time)
절연막의 신뢰성을 측정하는 한 방법으로 일정한 전압으로 인가하여 절연막이 깨질때까지의 시간을 말함.

Cycle
Function Test에서 패턴이나 벡터를 Device에 인가하고 다음번 패턴이나 벡터를 인가하기까지의 시간.

Cycle Time
주기적으로 일어나는 연속동작의 최소시간 간격.

CRT(Cathode-Ray Tube)
가장 고전적인 화상 전달방법으로 브라운관으로 알려져 있다.

Cryo-Pump
고진공 펌프로써 극 저온에 의한 Gas흡수 및 흡착식 펌프.

CQ(Conditional Qualification)
조건부 양상승인.

CTE(Coefficient of Thermal Expansion)
열팽창 계수.

CTM(Clean Tunnel Module)
천정 전체를 Hepa Filter를 사용하여 최적의 Clean Room을 유지시킬수 있는 공조방식으로 A Class까지 유지할 수 있다.
풍속은 약 0.3m/s정도이며 환기 회수는 약 700회/h정도이다. 바닥 Granting사용으로 Down Flow로 하는 것이 가장 좋은 Clean 유 지를 할 수 있고, 그 외 수평형이나 Hepa Box를 사용한 난류형으로도 사용된다.

CTS(Computerized Typesetting System)
전자식자조판 시스템으로 설명되며 출판물의 제작에 있어 편집과 조판과정을 표준화하고 전산화하여 편집부와 조판부, 인쇄부를 컴퓨터로 연결하는 것이다.

CU(Control Unit)
Timing. 제어신호를 생성.

Culvert
용역동, 기타동과 각 라인에 유틸리티를 공급.