B

Backward Current
PN접합에 역방향 전압을 걸었을 때 흐르는 전류를 말한다.(Reverse Current라고도 한다)

Back Flow Effect (배류 효과)
네마틱상에 대한 배향벡터가 시간적으로 변동할 때 액정분자의 흐름을 유기하는 현상을 말한다.

Back Grind (뒷면 연마)
Wafer뒷면의 불필요한 두께를 갈아내는 것을 말하며, 이는 Fab. 공정이 완료된 후 행해지는 공정임

Back Plane
한쪽 면에서는 솔더링을 하지않고 접속시키는 터미날이 있고 다른 면에는 일정부분 간을 전기적으로 연결시키는 연결소켓이 있 는 기관.

Back Panel
Fab. Line에서 Bay간 또는 Room간 차단벽으로 주로 많이 사용되는 것으로 PVC Back Panel이 있다. 이는 공조의 흐름을 유도시키 거나, Particle의 유입을 막아 Room별 청정도 유지를 목적으로도 사용된다.

Back Seal Oxide
뒷면 실링 산화막, Wafer내에 포함되어 있는 고농도 불순물에 의한 Outdoping을 감소시키려는 목적으로 Wafer뒷면에 성장시켜 주는 산화막.

Back Side Grind
뒷면연마. Wafer의 뒷면을 다이아몬드 휠로 연마시키는 작업으로서 조립공정으로 일정한 두께의Wafer를 보내기 위한 목적과 Get tering목적을 동시에 수행함.

Back Seal Marking
Device의 Marking시 lot의 Fab. Site lot#등을 기록하기 위해 Device밑면에 표시하는 Marking.

Back-Annotation
반도체 설계시 layout작업까지 마친 후 layout에서 발생된 기생 소자들(캐피시터 및 저항)의 실제값을 추출하여 이 값들을 포함 하여 simulation하는 작업을 말한다.

Back-Up System
저장탱크에 저장된 액체상태의 질소, 산소등이 기화기를 거쳐 기화한 후 Gas상태로 공급될 수 있도록 갖추어진 설비.

Baffle
확산Gas의 흐름을 control해 주는 치공구.

Bake
Wafer를 열을 이용하여 굽는 것으로 Pre-Bake, Hard-Bake, Soft-Bake가 있다.
1) Pre-bake : Wafer에 Resist를 도포하기 전에 Wafer표면의 습기를 제거하여150±10℃의 Oven에서 Wafer를 굽는 것
2) Hard-bake : Etch전 Wafer표면의 Resist를 굽는것 3) Soft-bake : 적외선을 이용하여 Photo-Resist를
굳혀 주는 것

Base Array
ASIC Process중의 일부이며 이는 미리 회로의 기본이 되는 Gate 회로 (2 Input Nand gate or 2 Input Nor gate)를 userable gat e 별로 array상에 배열한 LSI를 만들어 주는 것을 말한다.

Base Line Spec
반도체소자 제작시 동일한 특성을 얻기 위해 그 소자의 특성에 맞게 process flow를 설정하고 제어하기 위한 지침서.

Base Line 공정
연구소 공정 개발실에서 공정개발이 완료되어 FAB운영실로 이관된 공정

Base Material (기초제)
표면에 회로를 형성시킬 수 있는 비전도성 물질

Basic Dimension (기본위치)
어떤 홀이나 부품의 위치를 이론적으로 정확하게 표현한 수치.

Batonnet
등방성 액정상에서 온도를 떨어뜨려 스메틱 봉상의 이방성 액정을 석출시키는 것이다.

B/B Ratio (Book to Bill Ratio)
수주 대 출하비율 최근 3개월 평균 수주액을 3개월 평균 출하액으로 나눈 값 일반적으로 WSTS(세계반도체 시장통계)의 통계 Da ta를 기본으로 한 반도체 수급상활을 나타내는 지표를 가리킨다. 특히, 미국시장 B/B Ratio속보치는 반도체 시장동향의 선행지표 로써 사용되고 있다.

BC (Buried Contact)
POLY1을 N+ Active에 연결하는 contact으로 POC 13 doping을 이용한다.

BCD Technology
Bipolar, CMOS, DMOS 트랜지스터를 동일 칩상에서 구현하는 기술로서, 주로 Bipolar트랜지스터는 고속논리 회로 및 아날로그회 로, CMOS는 digital logic및 DMOS의 출력구동에 사용된다. (BCD 기술은 설계의 융통성을 증가시키고 여러 개의 분리된 칩을 한 개의 칩으로 구현함으로써 system의 reliability를 증가시킬 수 있으나 공정단가가 높은 단점이 있다.)

BCG Approach
(Boston Consulting Group Approach)
보스톤 자문단법, 전략산업단위(SBU)를 성장율과 점유율의 2가지 기준에 따라 평가,검토하여 성장.점유 메트릭스에 분류하여 표 시하는 방법.

BCR (Bar Cod Reader)
Bar Code를 읽어내는 장치.

Bean Line
Source에서 생성된 lon Beam이 통과통로.

Beam Mask
초기에 생성된 사각형의 Beam의 형태를 원형으로 형성시켜, Wafer에 주사되게 차폐 역할을 하는 탄소관.

Beam Spectrum
분자 혼합물의 상태에서 전자와 충돌시켜 양 이온을 생성, 마그네틱 전류의 증감에 따라 각각 다른 이온이 분석되어 좌감축에 나타낸 상태.

Behavioral Description
System의 기술방법으로 input과 output사이의 관계를 computer language와 같이 서술하는 방법이다. 서술언어는 VHDL(very high speed hardware descri-ption language), HDL등이 있다.

Bench Test
특정한 모양으로 만들어 놓은 Test Pattern이나 실제 Die를 DC 측정용 계측기를 이용하여 Probing을 하면서 여러 가지 Electric al Paramet-er를 측정하는 일

Bent Lead (경사리드)
약 45도로 휘어져 있는 리드.

Bias
치우침. 측정치나 검사결과의 평균과 참값(비교치)사이의 차이를 나타내는 System error.

Bias
TR에서 미리 순방향의 직류전압을 가해주어 신호입력이 0인 상태에서도 어느 정도의 전류가 흐르게 하여 무신호시의 동작점을 미리 어떤 위치로 옮겨와 직류와 겹침으로써 0의 상태로부터 벗어나게 하는것을 Bias라고 한다.

Bidirectional Buffer
외부 signal에 대한 voltage level을 소자 내부에 맞게 받아들일 수 있고, sense AMP에서 증폭된 data를 ext-ernal load를 driv e하기 위해 사용될 수도 있는 Buffer.

Bipolar
전자(electron)와 정공(hole) 두 종류의 전기 매개체가 동원되어 동작되는 형태 (또는 이것에 의해 동작되는 Transistor를 말함 )

Bipolar TR
전자와 정공이 공존하는 TR로써 NPN Type와 PNP Type의 2종류가 있다. Emitter, Base, Collector의 3전극이 있으며, Base전극에 흐르는 전류에 의해 Emitter와 Collector간의 전류를 제어한다. Transistor단품으로 뿐만 아니라 Bipolar IC로써도 폭 넓게 사 용되고 있다.
BI-MOS
바이폴라와 MOS를 조합하여 하나의 Chip위에 만든 회로이다.

BiCMOS (Bipolar-CMOS)
Bipolar Transistor와 CMOS Transistor를 조합시켜 동일 Chip상에 동작시킨 IC.
Bipolar Transistor의 고속성, 고전류 구동능력과 CMOS의 저소비전력 우수성을 동시에 만족시키는 것이 가능하다.

Binary Number System (2진법)
한자리를 0과 1의 두수만으로 나타내는 수의 표시방법.

B/I (Burn-in)
고온에서 어떤 특정 길이의 시간 (예를 들면 83℃, 63시간)동안 회로를 동작시켜 초기 수명 또는 초기고장이 심사되는 부품 검 사의 단계.

Bin
검사한 결과에 따라 양품과 불량 또는 동작속도를 나누는 기준.
예) Bin 1-양품, Bin13-기능불량, Bin 15-Parameter불량 등.

Bin 1 Check
Test된 양품의 동작속도상태를 점검하는 작업.

Bin Grade Down
Test 각Step을 진행중 Good Device의 speed나 power 소모도가 변화되어 나쁜 영향으로 변환된 제품.

Bit Line
Memory에서 data를 저장시키거나 data를 뽑을 때 data가 이동되는 통로로서 사용되는 도선.

Bit Map
Memory의 기본동작을 Check하여Memory내의 각 Data의 저장Cell이 바로 동작하고 있는지를 표시한 도표 (죽은 Cell을 찾아내어 분석하기 위해 사용됨)

Bit Mapper
제조공정이 완료된 반도체의 동작특성 유,무를 판별하고 Fail Point의 Address및 Fail특성을 제공하여 주는 F/A용 Tool.

Bit성 Fail
Device Test결과 Random한 Address의 Cell이 Fail된 경우.

Black & White SPOT
셀 내부에 이물, 먼지 등이 들어가거나 마스크의 pinhole등으로 인하여 seak제나 트랜지스터제가 면내에 인쇄되어 포지티브형은 흑점으로 네가티브형은 백점으로 나타나는 현상.

Black Hole
제조 기술부에서 F/A시 사용하는 용어로 Contact부위에서 Contact Pattern과 그 위의 Poly or Metal Pattern 과의 Misalign이나 또는 Over Etch로 인해Contact Overap이 부족하여 Contact Edge에 Chemi-cal이 침투하여 Contact을 부식시켜 생겨난 Defect.

Black Stripe SM
칼라 액정 디스플레이에서 빛의 투과가 일어나지 않는 트랜지스터나 축전지 부분을 검은색의 물질로 덮어서 빛의 간섭을 막아 화질을 높이는데 쓰이는 물질

Blade
Wafer절단시 사용되는 톱날로서 다이아몬드와 니켈의 합금.

Bleeding (번짐)
도금된 홀이 보이거나 갈라짐으로 인하여 변색된 것. 또한 인쇄에서 잉크가 없어야 될 곳에 잉크가 번져 들어간 형태.

Blister
밀착된 기초재층들간의 부분적인 들뜸이나 기초재와 표면 전도체 막과의 부분적 들뜸.

Block Factors
Block인자. Block인자들은 실험공간을 Block 인자들은 실험공간을 Block 으로 구분하기 위한 근거로 제공한다.

Blow Hole
개스가 분출되어 발생된 땜납(Solder)보이드.

BN Wafer
Boron이 매우 높게 주입되어 있는 Wafer로서 Boron을 주입하려고 하는 Wafer와 마주 보게 하여 확산 공정을 진행할 때 사용하는 Wafer.

BN 보관로
BN Wafer를 보관하는 Tube로 375℃의 온도가 유지되며 N2가 흘러 들어감.

Boat
확산로에 Wafer를 넣을 때 사용되는 것으로 석영이나 SiC 재질로 만들어져 있으며 Wafer가 한 장씩 세워지도록 홈이 파져 있음.

Boat Holder
Boat가 외부물질에 닿지 않도록 받쳐주는 것으로 석영이나 Poly-Si재질로 되어 있음.

Bonding
주로 wire bonding이라고 일컬어 지며 반도체 제품의 조립시 Chip의 PAD와 외부단자를 도선으로 연결하는 작업임.

Bond Diode
반도체 표면에 금선을 용접하고 전기펄스에 의해 접합을 형성하는 것

Bonding Layor (접착층)
다층기판의 밀착시 각각의 층들을 접착시켜서 결합시키는 층

Bonding Pad
Chip에 wire를 bonding 할 때 본딩할 부분에 증착한 알루미늄등의 금속 증착피막 부분을 말한다.

Bond Strength (접착력)
기판의 인접한 두 층을 분리시키는 데 필요한 단위 면적당 수직으로 작용하는 힘의 크기.

Bottom Up Design
트리 구조를 아래에서 위로 구성해 나가는 방법으로써 Primitive Cell을 기본으로 Circuit Level, Logic Level, Architechure L evel순으로 진행하는 IC 설계방식.

Boulder
FAB공정중 침적 또는 Diffusion 공정시 정상성장이 되지 않고 비정상 성장이나 결정 덩어리에 의해 생겨난 비정상적 성장결정체 .

Bow (휨)
Wafer또는 Wafer위에 증착된 film의 인장력을 측정하기 위해 사용되는 휨정도를 의미함

BPSG
Boron Phosphorus Silicate Glass의 약자로서 평탄화의 수단으로 사용하는 열에 대한 flow성 (850℃에서Vis-cosity가 급격히 변 하는)이 좋은 막질임. Oxide Film에 B,P등의 불순물을 첨가시켜 낮은 온도에서 평탄화되도록 하는데 사용되는 절연막.

BPT (Bond Pull Test)
본드 인장력 시험으로서의 bondability측정의 한 방법으로 GRAM weight gauge를 사용하여 ball과 stitch중간을 들어올려 bond의 인장강도를 측정하는 시험.

Bread Board
IC화 하기 전에 개별부품을 사용하여 목적하는 IC회로와 동등한 기능을 갖는 회로를 만들어 그 IC회로의 모의 설계를 하는 것

Break-Down
PN접합에 역방향 전압을 가하고 그 전압을 차츰 높여 가면 어떤 전압에서 역방향 전류가 급격히 증가하는 이른바 Breakdown의 현상이 일어난다. 이러한 현상이 일어나는 것은 공간 전하 영역의 전계 강도가 매우 커지기 때문이며, 그 기구로는 avalanche br eakdown과 zener breakdown이 있다.

Breakdown Voltage
P-N접합 Diode에서 두 접촉영역 사이로 큰 전압을 걸어주면 역 방향으로 많은 전류를 흐르게 되며 이때 가해주는 전압을 Breakd own전압이라 한다.

Break-Up
Half Cutting 된 Wafer를 Full Cutting시키는 작업.

Bridging
회로들 사이가 전도물질에 의하여 붙어버린 형태.

Broken (깨어짐)
Wafer나 Quartzware가 깨어짐을 말함.

BT Stress (Bias & Temperature Stress)
소자 신뢰도를 측정하는 방법의 일종으로 Bias(전압)인가와 동시에 온도를 높여서 하는 Stress 인가방식.

BT Test (Bias and Temperature Test)
TR, Diode등의 반도체 소자를 고온에서 Bias를 건 상태로 해두는 시험이다.

Bubbler
순수한 물(D-I Water)이 흘러나와 넘치면서 질소가 바닥으로부터 분출되어 Wafer표면을 헹구어 주는 장치.

Bubbler Memory
합금, 석류석 등에 자계를 걸어주어 여러 개의 거품같은 모양을 만들어 놓은 기억소자.

Buffer
어떤 논리회로와 다른 논리회로를 결합할 때 그 직접결합에 의한 나쁜 영향을 피하기 위해 단간에 삽입하는 회로를 말한다.

Buried Layer
Transistor에서Collector 저항을 줄이기 위해 Collector하부에 형성하는 낮은 저항 영역.

Buried Via Hole
완전히 관통이 되지 않고 중간이 막힌 비아홀

Burr
절단. Trim 공정시 발생하는 불량의 한 항목으로 Lead끝이나 몸체에 혹처럼 찌꺼기가 붙어있는 것.

Burn in
제품의 잠재적인 불량을 초기에 발견하기 위하여 제품에 고온(85℃ ~ 125℃)으로 Device에 열적 Stress를 인가하여 Test하는 것 이며, IC가 실제 사용할 때 사용 가능 하도록 신뢰성(Reliability)을 높여주기 위해 실제 사용상태 보다 높은 전압, 전류등의 Pa rameter를 가하여 장시간 Over Stress를 행하는 Test.

Burner
고압의 공기 또는 증기를 사용하여 고점도의 액체 연료를 무화시킨후 분사시키는 장치.

Burnt
Burn-in중 Device결함 혹은 외부의 과도한 전기적 Stress로 인하여 High Current가 Device내부를 흐름으로 인해 Device가 고온 으로 가열되어 깨어지거나 변색되는 현상.

BVcob (Collector-Base Breakdown Voltage with Emitter Open)
에미터 단자Open상태의 콜렉터-베이스간 역전압, 에미터 회로를 개방하고 Collector와 Base단자 사이에 Breakdown이 일어나기 전까지 가할 수 있는 최대 역방향 바이어스 전압.

BVcer (Collector-Base Breakdown Voltage with Specified Resistance)
베이스 단자와 에미터 단자간 일정한 저항을 연결한 상태에서의 콜렉터-베이스간 역전압.

BVces (Collector-Emitter Breakdown Voltage with Emitter Short-Circuited to base)
베이스-에미터간을 Short 상태에서의 콜렉터-에미터간 역전압.

BVcev (Collector-Emitter Voltage with Specified Reverse Voltage Between Emitter And base)
에미터-베이스간 역전압인가 상태에서의 콜렉터-에미터 전압.

BVebo (Emitter-Base Breakdown Voltage with Collector Open)
Collector단자 open상태에서 에미터-베이스간 역전압