■ C-전기 KS C 6060 전자 통신 용어(기초편)

1. (전자 통신의) 광전자공학  (optoelectronics)
   광학 현상과 전기 자기 현상의 쌍방을 모두 이용한 정보 수집, 처리 혹은 전달에 관련된 기술 또는 공학
 
2. 1차전자  (primary electron)
   1차 방출에 의한 전자. 다만, 2차 전자 방출의 경우의 입사 전자.
 
3. 2차 전자 방출 특성(표면의)  (secondary-emission characteristic)
   표면의 2차 전자 방출비를 그 면과 1차 방출원 사이의 전위차에 대하여 표시한 것이며, 일반적으로 그림으로 나타낸다.
 
4. 2차 전자방출  (secondary(electron) emission)
   전자 또는 이온이 표면을 충격함으로써, 그 표면에서 전자를 방출하는 것을 말하며, 1차 전자가 표면에서 반사한 것도 포함한다.
 
5. 2차전자  (secondary electron)
   2차 전자 방출에 의해서 방출된 전자
 
6. 2차전자방출비(표면의)  (secondary-emission ratio(of a surface), secondary-emission yield(of a surface), secondary-emission coefficient(of a surface))
   표면에서 방출되는 2차 전자의 수를 입자 전자수(또는 입사 이온수)로 나눈 값
 
7. 가스의 대전  (electrification of a gas)
   하전입자, 일반적으로는 전자를 도입함으로써 이온화되지 않은 상태에서 도전성(導電性)으로 된 가스의 상태
 
8. 가스의 여기  (excitation of a gas)
   어떤 에너지 준위에서 다른 것보다 더 높은 준위로 전자가 옮김으로써 생기는 가스의 원자 또는 분자의 구조의 변화
 
9. 가전자 대  (valence band)
   특정한 원자핵에 속박되어 있는 가전자가 속하는 에너지대. 반도체 및 절연체의 경우에는 전도체의 바로 밑의 에너지대를 말한다.
 
10. 감쇠(루미네슨스의)  (decay(of luminescence))
   여기를 그친 후에 있어서 시간의 경과에 따르는 인광방사의 감소
11. 감쇠전류(광전장치의)  (transient-decay current(of a photo-electric device))
   광전장치에 있어서 광 조사를 급격히 정지하고서 감쇠하면서 흐르는 잔류전류
 
12. 고립전자  (lone electron)
   1개의 에너지 준위에 1개만이 있는 전자
 
13. 고전계 방출 아아크  (high-field-emission arc)
   전자 방출이 거의 열전자 방출에 의하지 않고 음극 바로 가까이에서 정이온이 만드는 고전계의 효과로 인한 아아크
 
14. 공간 전하 제한전류 상태  (space-charge-limited-current state)
   공간 전하에서 전류치가 제한되어 있는 상태
 
15. 공간전하  (space charge)
   전자 혹은 이온 또는 둘다 존재하고 있는 공간의 전하
 
16. 공간전하밀도  (space charge density)
   단위 체적당의 공간 전하.
 
17. 공명상태, 공명준위  (resonance state, resonance level)
   방사함으로써 원자가 기저 상태로 직접 복귀할 수 있는 상태(준위)
 
18. 광기전력 효과  (photovoltaic effect)
   광전 효과의 결과, 전극과 전해질 사이, 금속 전극과 반도체와의 접촉부 및 반도체의 접합부에 전압이 나타나는 현상
 
19. 광도전 효과  (photo-conductive effect)
   광전 효과의 결과, 초체 또는 액체의 도전율이 변화하는 현상
 
20. 광자, 광량자  (photon)
   플랭크 정수 h와 전자파의 주파수 ν와 hν와 같은 에너지의 소립자
21. 광전류  (photo-electric current)
   광전효과로 인한 전류
 
22. 광전자  (photo-electron)
   광전효과에 의해서 방출된 전자
 
23. 광전자 방출  (photoelectric emission)
   빛의 입사에 의해서 그 입사면에서 전자를 방출하는 것
 
24. 광전자 방출  (photo-electric emission)
   광에너지의 입사만에 기인하는 전자 방출
 
25. 광전효과  (photo-electric effect)
   물질과 빛과의 상호 작용이며, 물질이 광전를 흡수하여 그 결과 전자가 방출되는 효과
 
26. 광학공명  (optical resonance)
   여기하는 방사와 방출되는 방사와의 주파수(또는 파장)가 같게 되는 루미네슨스( 다만, 도프러 효과에 의한 작은 변화는 제외한다.)
 
27. 그램분자, 몰  (gramme molecule, mole)
   분자량과 같은 수치를 그램으로 표시한 순수 물질의 질량
 
28. 그램원자  (gramme-atom)
   원자량과 같은 수치를 그램으로 표시한 원소의 질량
 
29. 글로우 방전  (glow discharge)
   음극에서의 2차 전자 방출이 열전자 방출보다 많고, 음극 강하가 크고(70V또는 그이상), 또 음극에서의 전류밀도가 작은(수 mA/cm2)것을 특징으로 하는 자속방전
 
30. 금지대  (forbidden band)
   가능한 값의 에너지 준위들로 이루어지는 2개의 에너지대를 분리하고 있는 에너지 범위. 일반적으로 이 속에는 불순물이 존재하고 있지 않는 한 전자의 에너지 준위는 포함되지 않는다.
 
31. 기저대  (normal band)
   어떤 물질의 에너지 준위도의 최저의 에너지대이며, 외부로부터 공급되는 에너지가 전혀 없는 경우의 기저 상태에 대응한다. 
 
32. 기저상태, 기저에너지 준위  (normal state, normal energy level)
   모든 전자가 가장 낮은 에너지 준위에 있을 때의 원자의 상태(에너지 준위)
 
33. 내각전자  (inner-shell electron)
   기저 상태에서는 외핵 이외의 전자핵에 속하고 있는 전자.
 
34. 내부 양자수, 합성 가운동량 양자수  (inner quantum number, total angular momentum quantum number)
   전자가 궤도 운동을 함으로써 생기는 자계와 전자의 자전 운동에 의해서 생기는 자계와의 전체 각 운동량을 나타내는 수 이 수j의 값은 1조의 반정수치(半整數値)를 취한다.
 
35. 내부 일 함수  (inner work function)
   페르미준위에서 무한대까지의 에너지
 
36. 누적 이온화  (cumulative ionization)
   가스에 있어서 처음에 1개의 전자가 다수의 원자 또는 분자와 연속적으로 충돌해서 이들을 이온화하고, 그 결과 자유롭게 된 전자가 다시 차례차례로 원자 또는 분자를 이온화함으로써 급속히 성장하는 이온화.
 
37. 다수 캐리어, 다수 반송자  (majority carrier)
   열적 평형 상태에 있어서 캐리어 총수의 절반 이상을 차지하는 형의 캐리어
 
38. 다중 이온화  (multiple ionization)
   정 이온이 다시 전자를 상실하는 것. 또는 부 이온이 다시 전자를 얻는 것
 
39. 단계적(段階的)여기, 누적여기  (step-by-step excitation)
   원자 또는 분자가 보다 높은 준위로 차례 차례 여기되는 천이(遷移)
 
40. 대류 전류(對流電流)  (convection current)
   하전입자가 전해액, 절연액(전기 영동(電氣泳動)에 의함). 기체 또는 진공내를 이동함으로써 생기는 전류.

41. 도우너 준위  (donor level)
   외인성 반도체의 에너지 도표에 있어서, 전도대에 접근한 중간에 있는 준위. 그것은 절대온도 0도에서는 채위져 있다. 다른 온도에서는 이준위에 있는 전자는 전도대에 대응하는 에너지를 얻을 수 있다.
비고 도우너 준위는 좁은 중간대를 만들수 있다.
 

42. 도체(금속의 경우)  (conductor(in metals))
 
  전도 전류가 존재할 수 있는 물질. 이러한 물질의 에너지 도표에 있어서는 기전대와 여기대가 접촉하고 겹쳐 있어도 좋다. 이들을 합성해서 단일의 에너지 대로서 생각하면, 그것은 부분적으로 충만되어 있고, 비교적 높은 쪽의 준위는 비어 있다. 
 
43. 동위체 효과  (isotope effect)
   동위체가 갖는 질량의 차이에 의해서 생기는 물리적 또는 화학적 효과
 
44. 동위체, 동위원소  (isotope)
   원자번호가 같고 질량수가 다른 핵종(核種)을 서로 동위체라 한다.
 
45. 동중체(同重體)  (isobar)
   질량수가 같고 원자번호가 다른 핵종을 서로 동중체라 한다.
 
46. 막스웰ㆍ 볼쯔만 통계  (Maxwell-Boltzman statistics)
   어떤 한 계의 대단히 작은 유한한 체적내에서, 위치 좌표 및 속도 좌표 또는 에너지 좌표의 평균치에 의해서 정의 되는 비양자화계의 거시 상태의 존재 확률을 다루는 통계 이론
 
47. 모체결정  (host crystal)
   발광 물질 결정의 주성분
 
48. 무전계 방출 전류  (field free emission current)
   표면의 전위 기울기가 0의 상태에 있어서 그 표면에서의 1차 전자 방출 전류
 
49. 반도체  (semiconductor)
   금속과 절연체와의 중간의 저항률을 가지고, 그 전하의 캐리어 밀도가 어떤 온도 범위에서 온도에 따라 증가하는 전자 또는 이온 전도성의 물질.
비고 :진성 반도체, 외인성 반도체를 참조.
 
50. 발광 중심  (luminescence centre)
    적당히 여기되었을 때, 루미네슨스를 발생할 수 있는 원자 또는 원자 집단

51. 발광효율(방사의)  (luminous efficiency(of radiation))
   방출된 광속(루우멘)을 공급된 전체에너지(와트)로 나눈 값
 
52. 방사선  (radioactive rays)
   x선, γ선과 같은 전자파 및 α선, β선, 중성자선 같은 입자선의 총칭
 
53. 방위양자수, 궤도양자수  (azimuthal quantum number, orbital quantum number, second quantum number)
   핵 주위를 췌도 운동하고 있는 전자의 각 운도량을 나타내는 수. 이 수 l은 0에서 n-1까지으 모든 정수치를 취한다. n은 주양자수이다.
 
54. 방전(가스)  (discharge in a gases)
   전기가 가스 분자를 이온화시켜 기체내를 통과하는 것
 
55. 방전파괴,방전개시(가스의)  (discharge breakdown, discharge starting(of a gas))
   글로우 방전 또는 아아크가 2개의 전극 사이에서 갑자기 생기는 것. 그 전압은 가스의 밀도, 전극의 위치, 모양 및 이들의 극성에 의해서 결정된다.
 
56. 방전파괴전압, 방전개시전압(두전극사이의)  (breakdown voltage, starting voltage( between two electrodes))
   방전 파괴를 일으키는데 필요한 전압
 
57. 방전형식의 지연  (formative time lag of a discharge)
   통계적 시간 지연을 경과한 후 방전의 타운제트 방전을 거쳐서 글로우 또는 아아크로 되기까지으 시간. 전자, 이온의 이온화에 의한 증가와 이러한 공간 전하가 정상 상태로 이동하기 까지의 시간.
 
58. 방출전류  (emission current)
   전자 방출에 의해서 생기는 전류
 
59. 방출특성  (emission characteristic)
   음극에서의 포화전류와 전자 방출을 지배하는 요소(히이터의 온도, 전압, 전류 등)와의 사이의 관계를 나타내는 특성. 이것은 보통 그래프로 표시된다.
 
60. 방출효과  (emission efficiency)
   포화 전류를 음극에 흡수되는 가열 전력으로 나눈 값
61. 배타원리, 파울리의 원리, 파울리페르미의 원리  (exclusion principle, Pauli principle, Pauli-Fermi principle)
 
  양자화계의 각 준위는 0개, 1개 또는 2개의 전자 밖에 포함할 수 없음을 말하고 있는 원리. 2개의 전자의 경우에는 반대방향의 스핀을 가진다.
 
62. 보아 원자  (Bohr atom)
   보아와 좀마펠드의 개념에 입각한 원자의 모형이며, 원자에 속박된 전자는 불연속적인 원 또는 타원의 궤도에 따라서 원자핵의 주위를 운동한다. 원자의 각 자유도에 대응하는 일련의 에너지 상태가 존재하며, 이들이 원자에 의해서 방출되는 스펙트럼의 계열을 결정한다.
 
63. 복사선 여기(가스의)  (radiation excitation(of a gas))
   자외선, x선, γ선 등의 전자파 복사선의 작용으로 인한 가스의 여기
 
64. 복사선 이온화(가스의)  (radiation ionization(of a gas))
   가스 또는 증기의 원자, 분자가 자외선, x선, γ선 드의 전자파 복사선의 작용으로 이온화하는 것
비고 이온화원(源)이 저(低) 에너지 광자(예를들면 자외선 방사)의 경우 광이온화라고 한다.
 
65. 볼쯔만의 식  (Boltzmann equation)
   입자계의 엔트로피가 그 거시 상태의 확률의 자연 대수에 비례함을 나타내는 관계식. 그 비례 정수가 볼쯔만의 정수이다.
 
66. 부대전자(不對電子)  (unpaired electron)
   전자대를 이루고 있지 않은 전자. 기전자(奇電子)라고도 한다.
 
67. 부분적으로 채워진 에너지대  (partially occupied band)
   어떤 에너지대의 모든 준위가 전자에 의해서 부분적으로 밖에 점유되어 있지 않은 것 같은 에너지대
 
68. 분광감도특성(광전장치의)  (spectral-response characteristic(of a photo-electric device))
   광전장치의 조사광의 파장에 대한 감도의 관계이며, 일반적으로 도표로써 나타낸다.
 
69. 분자  (molecule)
   원소 또는 화합물로서의 성질을 갖는 최소의 단위이며, 또한 이론적으로는 물리적 방법으로 분리될 수 있는 것.
 

70. 분자량  (molecular weight)
   산소원자질량의 1/16을 단위로 하여 측량한 분자의 질량
 
 71. 불순물(반도체 내의)  (impurities(in a semiconductor))
   1. 결정을 구성하는 원소 이외의 다른 원자. 2. 화합물에서의 화학량론 조성에 대하여 과잉 또는 부족의 원자.(화학량론적 불순물) 3. 정규의 격자점에 대하여 광잉 또는 부족의 원자.
비고 반도체에서는 도우너 또는 악셉터로 될수 있다.
 
72. 불순물의 활성화 에너지  (impurity activation energy)
   불순물에 의한 중간 준위 또는 좁은 중간대와 그것에 인접한 에너지대와의 에너지 간격
 
73. 브러쉬 방전  (brush discharge)
   도체의 전위가 어떤 값을 넘고 있으나, 실제로 불꽃을 형성하기에는 너무 낮은 경우에 도체에서 나오는 브러쉬 모양의 방전
 
74. 비 이온화 계수  (specific ionization coefficient)
   전자가 규정된 압력과 온도의 가스내를 단위 길이 만큼 움직일 때 생기는 서로 반대의 전하를 가진 이온 쌍의 평균수.
 
75. 비 축퇴 가스  (non-degenerate gas)
   그 밀도가 막스웰 볼쯔만의 속도 분포 법칙을 적용할 수 있을 만큼 충분히 낮은 입자계에 의해서 형성되어 있는 가스. 
 
76. 비양자화계,고전계  (non-quantized system, classical system)
   에너지가 연속적으로 변화할 수 있다고 가정되어 있는 입자계. 어떤 순간에서의 위치와 속도로 정의되는 그계의 미시 상태의 수는 무한하다. 무한이란 가부번(可付番)무한이다.
 
77. 빈 에너지대  (empty band)
   어떤 에너지대의 모든 준위를 전자가 차지하고 있지 않은 것 같은 에너지대
 
78. 산화물 음극  (oxide cathode, oxide coated cathode)
  금속 위에 알칼리토류 금속의 산화물을 피복하여 활성화한 음극
 
79. 생체공학  (bionics)
   생체에서의 정보의 전송, 처리, 기능 또는 생체와 외계사이의 정보의 출입 등을 규명하고 이 기능을 공학적으로 실현하려는 기술 또는 공학이며, 전자공학의 한 분야.
 
80. 섬광  (scintilation)
   α입자와 같이 에너지가 높은 입자의 충돌에 의해서 지속시간이 지극히 짧은(약 10-6초이하) 루미네슨스를 폭발적으로 생기게 하는 현상
 
81. 소광제  (quencher)
   인광의 지속시간을 짧게 하기 위하여 발광 물질에 첨가된 성분
 
82. 소립자  (elementary particle)
   입자 또는 장(場)을 구성하는 궁극적인 물질. 
 
83. 소수 캐리어,소수 반송자  (minority carrier)
   열적 평형 상태에 있어서, 캐리어 총 수의 절반 이하를 차지하는 형의 캐리어.
 
84. 속박전자  (bound electron)
   정전(靜電)인력에 의해서 원자핵에 속박되어 있는 전자.
 
85. 쇼트키 효과  (Schottky effect)
   음극 부근의 전위 기울기가 증가함에 따라서 포화전류가 증가하는 현상
 
86. 순수물질  (pure substance)
   여러개의 명백히 정의되어 있는 성질이, 시료의 크기에 관계없이 일정한 수치로 표시되는 물질
 
87. 스토우크스의 법칙  (Stokes' law)
   발광 물질에서 방출되는 방사의 파장은 그 물질을 여기하는 방사의 파장과 같거나 더 크다는 것을 기술하고 있는 법칙
비고 이법칙에는 몇가지 예외가 있다.
 
88. 스핀 양자수  (spin quantum number)
   자전축 주위를 회전하고 있는 작은 하전구(荷電球)라고 생각했을 때의 전자의 각운동량을 나타내는 수이며, ±1/2의 값을 취한다.
 
89. 아스톤 암부  (Aston dark space)
   음극의 바로 근방의 암부. 이 영역에서는 방출된 전자는 가스를 여기할 만한 충분한 속도를 가지고 있지 않다.
비고: 음극 강하 전압이 큰 경우에는, 이 암부는 보이지 않는다.
 
90. 아아크 방전  (arc discharge)
   음극 강하가 글로우 방전보다 작은 것을 특징으로 하는 방전. 음극의 전자 방출은 여러가지의 원인(열전자 방출, 전계전자 방출 등)이 동시에 또는 개별적으로 작용하는데 기인하는 것이나, 2차 전자 방출은 주요한 역할을 하지 않는다.
 
91. 아인슈타인 법칙  (Einstein's law)
   금속면에서의 광전과 방출에 있어서, 광자의 흡수로 인해서 광자 에너지 hv에서 일함수 p를 뺀 값을 최대의 운동에너지로 하는 전자가 방출되는 것을 말한 법칙이다. 반도체의 경우에는 함수 대신에 충만대의 정상의 준위와 진공의 준위와의 차를 사용한다.
 
92. 악셉터 준위  (acceptor level)
   외인성 반도체의 에너지 도표에 있어서, 기저대에 접근한 중간 준위. 절대온도 0도에서는 그것은 비어 있다. 다른 온도에서는 기저대에 있는 전자가 이 중간 준위에 대응하는 에저지를 얻을 수 있다.
비고 악셉터 준위는 좁은 중간대를 만들 수 있다.
 
93. 암전류  (dark current)
   광조사(光照射)가 없는 경우에 광전 장치에 흐르는 전류
 
94. 양광주  (positive column)
   파라데이 암부에 계속되는 발광 영역이며 양극까지 계속되고 있다. 전위 기울기가 +이며, 원자 또는 분자의 여기가 활발히 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래즈마 상태의 발광부. 기체의 종류에 따라서는 얼룩 상태를 나타낸다.
 
95. 양극 글로우  (anode glow)
   양광주의 양극에 가까운 단부에 나타나는 일이 있는 대단히 밝고 좁은 글로우
 
96. 양극강하, 양극전위강하  (anode fall, anode potential fall)
   양극 강하 부분의 공간 전하로 인한 전위차
 
97. 양극강하부분  (anode fall)
   양극 글로우의 범위(약간의 전위 강하가 있다)
 
98. 양자  (proton)
   수소의 원자핵, 소립자의 하나이며, 하전수 1. 질량수 1. 기호 P
 
99. 양자 전자공학  (quantum electronics)
   분자, 원자, 원자핵 등과 전자파와의 상호작용을 통신 제어 또는 측정 등의 목적에 이용하는 학문 및 기술
비고 한정해서 말한다면, 양자 역학적 에너지 준위사이의 천이를 응용한 기술
 
100. 양자수(원자의)  (quantum numbers(of an atom))
   원자의 자유도를 특징짓는 수이며, 각 전자에 대해서는 주 양자수 n, 방위 양자수 l, 스핀 양자수 s 및 전체각 운동량 양자수 j가 있다.
 
 
101. 양자화 계  (quantized system)
   고전계와는 반대로 그 에너지는 불연속적인 값 밖에 가 질 수 없는 입자계를 말한다. 즉 에너지 값은 불연속으로 변화할 수 있을 뿐이다.
 
102. 양자흡량  (quantum yield)
   포토 루미네슨스에 있어서 방출된 광자의 수를 흡수된 광자의 수로 나눈 값
 
103. 양전자  (positron)
   소립자의 하나이며, 정의 하전수 1, 질량은 전자와 같다. 불안정하며, 전자와 결합해서 소멸하고, r선을 생성케 한다. 기호e+
 
104. 에너지 감도(광진장치의)  (energy sensitivity(of a photo-electric device))
   시간적으로 일정한 입사 방사 에너지로서, 이것에 의한 직류 광전류를 나눈 값. 이 광전류에 대해서는 광전관, 광도전체의 경우에는 각각 양극 전압, 단자 전압을 규정하는 것으로 하고, 광전지의 경우에는 단락 전류를 말하는 것으로 한다.
 
105. 에너지 갭(2개의 에너지 대 간의)  (energy gap(between two bands))
   에너지가 높은 에너지대의 최저의 준위와 낮은 에너지대의 최고의 준위 사이의 에너지 간격
 
106. 에너지 준위  (energy level)
   원자, 분자 등의 계가 취할 수 있는 에너지의 값 또는 그 상태.
 
107. 에너지 준위도  (energy level diagram)
   세로축에 양자화계 입자의 에너지를 취하고, 이들 입자의 에너지 준위를 수평선으로써 표시한 도표
비고 1. 비 축퇴가스에 관해서는 각 원자는 독립한 계를 형성하므로, 원자의 여러가지 전자의 에너지 준위는 모든 원자에 대해서 똑 같다. 금속의 경우, 원자는 다분히 
 
108. 에너지 효율  (energy efficiency)
   루미네슨스로서 방출된 에너지를 흡수된 에너지로 나눈 값
 
109. 에너지대, 블록흐대  (energy band, bloch band)
   띄엄 띄엄이기는 하나 대단히 접근한 에너지 준위의 집단이며, 그 준위의 수는 원자의 수와 같다. 이들의 에너지 준위는 물질의 원자가 비축퇴의 가스 상태로부터 고체 상태로 응집할 때에 이들 원자의 각 양자 상태로 부터 생긴다
 
110. 여기 이온  (excited ion)
   원자로부터 가전자가 상실되어 다른 가전자가 보다 높은 에너지 준위로 옮김으로써 생기는 이온

111. 여기대  (excitation band)
   원자내의 전자의 여기를 가능케하는 인접한 에너지 준위의 범위
 
112. 여기상태, 여기준위  (excitation state, excitation level)
   여기의 정도를 나타내는 에너지 상태(에너지 준위)
 
113. 여기에너지  (excitation energy)
   기저 상태의 원자 또는 분자를 어떤 상태로 여기시키는데 필요한 최소의 에너지
 
114. 여기원자밀도(가스의)  (excited-atom density(of a gas))
   단위 체적당의 가스내의 여기 원자수
 
115. 여기전위  (excitation potential)
   저상태의 원자 또는 분자를 충돌에 의해서 여기시키는데 필요한 최소의 에너지를 정지 상태의 전자에세 주는데 필요한 전위차
 
116. 역광전 효과  (inverse photo-electric effect)
   전자의 충돌에 의한 광자의 방출
 
117. 열 이온화(가스의)  (thermal ionization)
   가스, 증기를 열적으로 교란시켜서 그 원자, 분자를 이온화 하는 것
 
118. 열음극  (thermionic cathode, hot cathode)
   열전자 방출을 주요한 기능으로 하는 음극
 
119. 열전자 방출  (thermionic emission)
   전자가 열 에너지에 의해서 고체나 액체면에서 방출하는 것.
 
120. 열전자 아아크  (thermionic arc)
   아아크 전류 자신에 의해서 음극이 열음극으로 되는 아아크
 
121. 영점 에너지  (zero-point energy)
   절대 0도에서의 입자계의 전체 에너지
비고 비 양자화계에서는 이 에저지는 0이다. 양자화계에서는 파울리의 원리에 따라 전체 입자가 0준위에 들어가는 것은 불가능하다.
 
122. 외각전자, 가전자  (outer-shell electron, valence electron)
   기저 상태에서는 외핵에 속하는 전자이며, 광 현상, 전도현상에 관계하고, 동시에 원자에 화학적 성질에 관계하는 전자
 
123. 외부 가열 아아크  (externally heated arc)
   열음극이 외부로부터 공급되는 에너지에 의해서 가열되는 아아크
 
124. 외인성 반도체, 불순물 반도체  (extrinsic semiconductor, impurity semiconductor)
   물질의 에너지 도표에 있어서 기저대와 그것과 인접한 여기대와의 간격이 진성 반도체의 그것과 동등 또는 약간 큰 정도이며, 또한 그 물질내에 존재하는 불순물에 의해 중간 준위가 있는 물질.
비고 전기적 성질이 불순물에 의해서 특징이 지워진 반도체
 
125. 우주선  (cosmic rays)
   지구의 외부에서 날아오는 입자와 전자파가 혼합된 방사선
 
126. 운동 에너지(미시상태의)  (kinetic energy(of a micro-scopic-state))
   어떤 순간에서의 모든 입자의 운동에너지의 총합.
 
127. 원소  (element)
   다른 여러개의 화학적으로 상이한 순수물질로 분해할 수 없는 순수 물질
 
128. 원자  (atom)
   원소로서의 최소의 부분이며, 전기적으로는 중성이고, 또한 화학 결합의 성분이 될수 있는 것
 
129. 원자량  (atomic weight)
   산소원자 질량의 1/16을 단위로 하여 측량한 원자의 질량
 
130. 원자번호  (atomic number)
   원자핵이 가지는 양자의 개수. 원자 번호는 멘델레이프의 주기율표에서의 원소의 순위를 표시한다.
131. 원자핵  (atomic nucleus)
   원소의 원자의 중심부이며, 정전하를 띠고, 양자와 중성자와의 결합으로 구성된다. 다만, 수소 원자핵에서는 단지 1개의 양자만으로 구성된다.
 
132. 위상공간  (phase space)
   N개의 입자를 생각하여, 3N개의 위치 좌표와 3N개의 운동량, 또는 일반화 좌표와 라그랸쥬 일반화 운동량에 대응하는 6N 차원 공간
 
133. 위상공간 세포  (phase space cell)
   6N차원 위상 공간에서의 1개의 미시 상태에 대응하는 소체(素體)
 
134. 위치 에너지 곡선  (potential energy curve)
   에너지 도표에 있어서 위치 에너지의 변화를 입자의 자유도를 특정짓는 파라미터의 함수로써 표시한 곳선. 보기 금속내의 1개의 원자핵에 관한 취치 에너지 곡선. 여러개의 원자핵이 존재하는 결과 생기는 위치 에너지 곡선. 1개의 2원자 분자의 위치 에너지 곡선
 
135. 유효 충돌 단면적(단위 체적의 가스에 대한)  (total effective collision cross-section(per unit volume of a gas))
   단위체적 내에 포함되는 원자 또는 분자의 유효충돌 단면적의 총합
 
136. 유효 충돌 단면적(분자 또는 원자와 전자와의)  (effective collision cross-section(of a molecule or an atom with an electron))

  충돌 확률을 분자 또는 원자의 밀도로 나눈 값
 
137. 음 글로우  (negative glow)
   음극 암부에 계속되는 발광영역. 이 영역에서는 전위 기울기가 음이며, 음극 강하부에서 너무 가속된 전자가 감속되어, 원자 또는 분자를 여기 발광하고, 또 양 이온과 저자와의 재 결합에 의해서도 발광이 조장되는 것을 특징으로 하는 발광부. 
 
138. 음극 강하 부분  (cathode fall)
   음극에서 파라데이 암부까지를 포함하는 전체 영역
 
139. 음극 강하, 음극 전위 강하  (cathode fall, cathode potential fall)
   음극 강하 부분의 공간 전하에 의한 전위차.
 
140. 음극(또는 양극) 스퍼터링  (cathode(of anode) sputtering)
   정이온(또는 전자)의 충돌에 의해 음극(또는 양극)에서부터 그 구성 미립자를 방출하는 것

141. 음극선 루미네슨스  (cathode-luminescence)
   음극선 또는 β선에 의해서 생기는 루미네슨스
 
142. 음극암부  (cathode dark space)
   아스톤 암부에 계속되는 희미한 빛을 내는 암부. 이영역에서는 대부분의 전자는 속도가 지나치게 저속 또는 고속이어서 가스를 여기하는 일이 없이 이온화할 뿐이다. 
 
143. 음극점  (cathode spot)
   열전자 아아크, 고전계 방출 아아크의 음극에 나타나는 특히 휘도가 강한 부분. 앞의 것의 형식에서는 열전자 방출이 높은 고온 부분이며, 뒤 것의 경우에는 정이온 밀도가 국부적으로 높은 부분이다
 
144. 음량자  (phonon)
   탄성진동(음파를 포함)을 양자화해서 생각한 입자.
 
145. 이동도(하전입자의)  (mobility(of a charged particle))
   하전 입자의 전계 방향의 속도를 그 전계의 세기로 나눈 값.
 
146. 이상 글로우 방전  (abnormal glow discharge)
   음극의 전류 밀도가 전압에 따라 증가하는 전류범위의 글로우 방전
 
147. 이온  (ion)
   정 또는 부의 전하를 가지고 있는 원, 분자 또는 분자집단
 
148. 이온 반도체  (ionic semiconductor)
   기저대와 그것에 인접한 여기대와의 에너지 간격이 조성 분자의 전해전리 에너지보다 큰 물질. 외부 에너지를 인가하면 분자가 분해 되어 이온 전도가 일어난다.
 
149. 이온 상실  (de ionization)
   이온화된 가스의 이온이 재결합 또는 확산 등에 의해서 상실하는 것
 
150. 이온 상실비  (de-ionization rate)
   단위 시간에 단위 체적의 가스에 대하여 서로 반대로 대전하고있는 이온쌍이 소실되는 수
151. 이온 전류  (ionization current)
   이온화 작용의 결과 생긴 이온 또는 전자의 흐름에 의한 전류
 
152. 이온전도  (ionic conduction)
   결정 격자 내에서의 이온의 이동에 의한 전하의 물질내에서의 연속적인 운동. 이 운동은 외부 에너지의 연속적인 기여에 의해서 유지된다.
 
153. 이온화  (ionization)
   분자를 분리함으로써 또는 원자, 분자, 분자 집단에 전자를 가하든지 빼든지 함으로써 이온을 형성하는 것
 
154. 이온화 에너지  (ionization energy)
   기저 상태에 있는 원자 또는 분자를 이온화 시키는데 필요한 최소 에너지
 
155. 이온화 율  (ionization rate)
   단위체적의 가스에 대하여 단위 시간에 생기는 서로반대의 전하를 가진 이온 쌍의 수
 
156. 이온화 포텐셜  (ionization potential)
   처음에 기저 상태에 있는 원자 또는 분자를 충돌에 의해서 이온화하는데 필요한 최소 에너지를(정지 상태에 있는) 전자에 주는데 필요한 전위차
 
157. 이온화 확률  (probability of ionization)
   규정된 시간내에 가스내에서 일어나는 충돌수로 이온화를 수반한 충돌수를 나눈 값
 
158. 인광  (phosphorescence)
   여기 후 약 10-8초 이상 지속하는 루미네슨스
 
159. 인광계  (phosphoroscope)
   인광광도의 변화를 시간의 함수로서 측정하는데 사용되는 장치
 
160. 일함수(금속의 경우), 전자친화력(금속의 경우)  (work function(in metals), electron affinity(in metals))
   전자가 포텐셜 장벽을 넘기 위해서 필요로 하는 최소 에너지. 금속에서는 포텐셜 장벽의 정점과 페르미 준위와의 에너지 간격.

161. 입상(루미네슨스의)  (build up(of luminescence))
   여기를 그친 후에 있어서 시간의 경과에 따르는 인광 방사의 증가
 
162. 입상전류(광전장치의)  (transient build-up current(of a photo-electric device))
   광전장치에 있어서 광조사를 급격히 시작하고서 정상 상태에 이르기까지에 증가하면서 흐르는 전류
 
163. 자속방전  (self-sustaining discharge)
   외부의 이온화 원인이 제거되더라도 계속되는 방전
 
164. 자유전자  (free electron)
   원자핵의 인력으로부터 빠져 나와 물질내 또는 진공내를 자유롭게 움직일 수 잇는 전자
 
165. 장벽층  (barrier layer)
   일 함수가 다른 두 종류의 물질 사이의 접촉면에서 일 함수가 낮은 쪽의 물질에서 높은 쪽의 물질로 전자가 확산함으로서 형성되는 전기 2중층이다. 전자가 상실됨으로써 일함수가 낮은 물질내에 등가인 정전하가 나타나다.
 
166. 장벽층 커패시턴스  (barrier layer capacitance)
   원자 지름의 수 10배에서 수 1000배의 두께를 가진 장벽츠의 전하에 의해서 만들어진다고 생각되는 콘덴서의 커패시턴스
 
167. 재결합  (recombination)
   전자 또는 부이온(정이온)이, 정이온(부이온)에 잡혀서 전하가 중화되는 것
 
168. 재결합 계수  (recombination coefficient)
   이온 상실비를 재결합 이온의 정부이온 밀도의 곱으로 나눈 값
 
169. 전계 루미네슨스,EL  (electro-luminescence)
   전계의 작용에 의한 고체의 루미네슨스
 
170. 전계방출  (field emission)
   방출면 위의 고전계만에 기인하는 전자 방출
 
 171. 전기 루미네슨스  (electro-luminescence)
   방전에 의한 기체의 루미네슨스
 
172. 전기 불꽃  (spark, electric spark)
   방전 파괴로 특유한 짧은 시간 동안 빛나고 눈부신 발광현상
 
173. 전도대  (conduction band)
   전계의 작용에 의해서 높은 준위로 높여진 전자를 포함하는 비워있든지 또는 부분적으로 채워진 에너지대이며, 여기에서 전자는 전계에 의해서 0 이상의 평균 속도를 얻어서 전도에 기여한다. 
 
174. 전도전류  (conduction current)
   외부 에너지의 기여로써 만들어진 전도 전자으 흐름에 의한 물체내에서의 전하의 연속적인 운동.
비고 도체의 내부에서의 전하의 이동에 의해서 생기는 전류
 
175. 전도전자  (conduction electron)
   가전자이며, 그 에너지가 전도대의 범위에 있는 전자.
비고 1. 전도대내의 전자. 2. 금속 또는 반도체 내부에서 직접 전도에 기여하는 전자
 
176. 전자  (electron)
   소립자의 하나이며 부의 하전수(荷電數)1, 정지질량은 양자의 약 1/1840 기호는 e또는 e-
 
177. 전자 볼트  (electron-volt)
   에너지의 단위. 1전자전하를 가진 입자가 전위차 1볼트의 진공내를 통과할 때에 얻는 에너지 기호 eV 1eV =1.60×10-19J
 
178. 전자(또는 이온) 쉬즈  (electron(or ion) sheath)
   플래즈머 전위와는 다른 어떤 일정한 전위의 표면 또는 그 표면을 포함한 어떤 범위에 걸쳐서 형성된 전자(또는 이온)의 얇은 층.
 
179. 전자(또는 이온)사태  (electron(or ion)avalanche)
   전자(또는 이온) 집단에 의한 누적 이온화 현상
 
180. 전자가스  (electron gas)
   진공내, 가스내, 도체내 또는 반도체 내를 움직이고 있는 자유전자의 집합
 
181. 전자대(電子對)  (electron pair)
   2개의 원자에 공유된 스핀의 방향이 서로 반대인 2개의 전자의 한 쌍
 
182. 전자류  (electron flow)
   자유 전자의 흐름
 
183. 전자밀도,전자농도  (density of electrons, concentrantion of electrons)
   단위체적당의 자유전자의 수
 
184. 전자방출  (electron emission)
   고체 또는 액체내이 전자가 온도 상승이나 입사광 혹은 전자와의 충돌 또는 고전압의 인가로 인해서, 그 에너지를 증가하고, 고체 또는 액체면에 있는 저누이의 장벽을 넘어서 외부로 방출하는 것
 
185. 전자의 전하  (charge of electron)
   전자가 가지는 부전하의 소량(素量).
 
186. 전자의 전하 질량비  (electron charge mass ratio)
   전자의 전하를 전자의 질량으로 나눈 값
 

187. 전자의 정지 질량  (rest mass of electrons)
   광 속도에 비교하여 느린 속도로 운동하고 있는 경우의 전자의 질량
 
188. 전자의 질량  (mass of electrons)
   질량과 유사한 양이며, 전계 또는 자계내에서의 전자의 관성효과를 일으키며, 또 그 전하에 의해서 조건이 분어 있는 것
 
189. 전자전류  (electron current)
   전자의 흐름에 의해서 생기는 전류
 
190. 전자천이  (electron transition)
   전자가 어떤 에너지 준위에서 다른 준위로 옮기는 것

191. 전자핵  (electron-shell)
   주양자수 n이 같고, 궤도 양자수 l만을 달리하는 근접한 에너지 준위에 있는 전자의 집단. n=1일 때를 k핵. n=2일때를 L각, n=3일 때를 M핵=4일때를 N각이라 한다.
 
192. 전하교환현상  (charge-exchange phenomenon)
   충분한 운동에너지를 가진 정이온(부이온)이 분자와 충돌하여 전자를 잡고(내보내고)중화되어. 그 분자가 정이온(부이온)으로 변화하는 현상
 
193. 점호(아아크의)  (ignition(of an arc))
   아아크 또는 불꽃을 개시하는 과정.
 
194. 접촉 전위차  (contact-potential difference)
   2개의 물질을 접촉시켰을 때, 둘 사이에 나타나는 전위차이며, 양쪽의 일 함수의 차이를 전자의 전하로써 나눈 값을 말한다.
 
195. 접촉 전위차 장벽(두 물질 사이의)  (contact-potential barrier(of two substances))
   두 물질의 접촉면에서의 포텐셜 장벽이며, 장벽층을 형성함으로써 생긴다.
 
196. 정공전도  (hole conduction)
   외인성 반도체에서의 전도 기구의 하나이며, 이 경우에는 결정 격자내의 호울이 인접 전자와 연속적으로 자리를 바꾸면서 전계에 따라서 격자내를 옮겨간다. 이 호울의 운동은 겉보기에는 그 방향으로의 정 전하의 운동과 등가이다.
 
197. 정상 글로우 방전  (normal glow discharge)
   음극에서의 전류밀도가 동작 전압에 관하여 거의 일정하게 유지되는 전류범위의 글로우 방전
 
198. 제 1종 충돌  (collision of the first kind)
   원자와 입자와의 충돌로 에너지가 충돌 입자로부터 원자로 옮겨지는 충돌
 
199. 제2종 충돌  (collision of the second kind)
   원자와 입자와의 충돌로 원자로부터 에너지가 충돌 입자로 옮겨지는 충돌
 
200. 주 양자수  (principal quantum number, first quantum number)
   전자 궤도의 크기를 주는 수이며, 그 불연속적인 변화가 에너지의 주요한 변화를 일의킨다. 이 수 n은 1에서 n까지의 +의 정수치만을 취할 수 있다.
 
 201. 주행각, 주행 위상각  (transit phase angle)
   전자의 흐름에 의해서 생기는 전류가 정현파 교류인 경우의 주행시간과의 각 주파수와의 곱
 
202. 주행시간  (transit time)
   하전입자가 어떤 정해진 2점 사이를 주행하는데 소요되는 시간
 
203. 준 안정 상태, 준 안정준위  (metastable state, metastable level)
   일반적으로 원자가 방사에 의해서 보다 낮은 상태, 특히 기저 상태로 복귀될 수 없는 상태(준위)
 
204. 중간자  (meson)
   전자와 양자와의 중간의 크기의 질량을 가진 수명이 짧은 정, 부 또는 중성의 소립자이며, 고(高)에너지의 핵 반응시에 직접 또는 간접으로 만들어진다.
비고: 질량, 전하 및 스핀이 다른 여러 종류의 중간자가 있다. 이들은 불안정하며, 그 평균수명은 10-6
 
205. 중량자  (deuteron)
   중수소의 원자핵, 하전수 1. 질량수 2. 기호 N
 
206. 중성자  (neutron)
   소립자의 하나이며, 하전수 0, 질량수 1. 기호 n
 
207. 증감체  (sensitizer)
   발광 물질에 흡수여기(吸收勵起)의 새로운 스펙트럼 영역을 만들어내는 불순물 또는 치환원자
 
208. 증배율(증배형 전자관의)  (multiplication factor(of a multiplier type of valve or tube))
   증배형 전자관의 출력 전류치를 1차 전자 전류치로 나눈 값
 
209. 진성 반도체  (intrinsic semiconductor)
   물질의 에너지 도표에 있어서, 기저대와 인접한 여기대와의 간격이 좁은(1eV내외) 물질이라 하여 높은 온도에서는 기저대에 상당한 상태에 있는 많은 전자도 전도대에 상당한 상태로 옮길 수 있으며, 그 수는 온도에 따라 증가한다. 
 
210. 진성온도범위  (intrinsic temperature region)
   반도체의 전기 특성이 결정내에 존재하는 불순물 또는 결함에 의해서 본질적으로는 좌우되지 않는 온도 범위

211. 질량수  (mass number)
   원자핵을 구성하는 핵자(核子)의 수. 기호 A
비고 원자핵을 구성하는 양자, 중성자의 수를 각각 Z, N이라 하면, 질량수 A는 A = Z+N 이다.
 
212. 초속도 전류  (initial current, initial velocity current)
   초속도 전류 상태에서의 전류
 
213. 초속도 전류상태  (initial current state)
   전자관의 동작 상태의 하나이며, 2극관 또는 등가 2극관에서 양극에 의한 가속도 전계는 존재하지 않으나, 음극에서 방출되는 전자의 초속도가 0이 아니기 때문에 그것으로 인한 전류가 흐르는 상태.
 
214. 축퇴가스  (degenerate gas)
   막스웰 볼쯔만의 속도 분포 법칙이 적용되지 못하는 밀도가 대단히 큰 입자계에 의해서 형성되는 가스.
비고 도체의 결정 격자내에서의 자유전자로 구성되는 전자 가스
 
215. 충돌여기(가스의)  (collision excitation(of a gas))
   운동하고 있는 하전 입자와의 충돌로 인한 가스의 여기
 
216. 충돌이온화(가스의)  (collision ionization(of a gas))
   가스 또는 증기의 원자, 분자가 다른 입자와 충돌해서 이온화하는 것
 
217. 충돌확률(분자 또는 원자와 전자와의)  (probability of collision(of a molecule of an atom with an electron))
   전자가 단위 길이의 거리를 운동할 때. 원자 또는 분자와 충돌할 확률
 
218. 충만대, 충만된 밴드  (filled band)
   어떤 에너지대의 모든 준위가 반대 방향의 스핀을 가지는 2개의 전자에 의해서 차지하고 있는 것 같은 에너지대.
 
219. 캐리어, 반송자  (carrier)
   반도체에서의 자유전자 및 정공
 
220. 코로나 방전  (corona discharge)
   불균일 전계의 국부의 고전계 범위에 생기고, 미약한 빛을 수반하여 도체 근방에 생기는 방전으로 높은 열을 발생치 않으며, 또한 그 도체 주위에서 전계가 어느 일정치를 넘은 범위내에 한정된다
 
221. 킬러  (killer)
   발광물질내의 발광효율 감소시키는 성분
 
222. 타운제트 방전  (Townsend discharge)
   냉음극을 사용한 방전이며, 글로우 방전까지 성장하지 않는 미약한 방전
 
223. 타운젠트 계수  (Townsend coefficient)
   1개의 전자가 인가 전계의 방향으로 1cm진행할 때의 이온화 충돌 횟수
 
224. 탐침 전극  (probe electrode)
   가스 봉입관의 공간 전위. 전자온도 등을 측정하기 위해서 관내에 봉해 넣은 작은 보조 전극
 

225. 터널효과  (tunnel effect)
   캐리어가 포텐셜 장벽을 관통하는 것을 말한다. 고전 역학적으로 이것은 불가능하나, 만일 장벽의 폭이 충분히 작으면 파동 역학적으로 광통의 확률이 0은 아니다. 캐리어에 수반한 파동은 거의 전부가 최초의 경사에 반사되나, 근소한 부분은 장벽을 통과한다. 
 
226. 통계적 무게(거시 상태의)  (statistical weight(of a macro-scopic state))
   거시 상태에 포함되는 미시 상태의 수. 그 통계학적인 두께가 극대로 되는 거시 상태가 평형 상태이다.
 
227. 통계적 시간 지연(방전의)  (statistical time lag(of a discharge))
   방전개시 때의 방전 공간 내에 존재하는 전자의 수로서 결정되는 방전의 늦어짐. 완전한 암흑 내에서는 이시간 지연은 무시할 수 없다. 음극에 빛을 비추어서 광전자를 방출시키거나 하면, 이 지연은 작아진다.
 
228. 파라데이 암부  (Faraday dark space)
   음 글로우에 계속되는 어두운 영역이며, 그 경계는 급속히 어두워지지 않는다. 전자는 이곳에서 다음 발광영역, 즉 양광주(陽光柱)를 만드는데 충분한 에너지를 얻는다. 
 
229. 파셴의 법칙  (Paschen's law)
   일정한 온도하에 있어서 기체의 종류가 일정할때, 다음식으로 표시하는 바와 같이 방전 파괴 전압이 전극간격과 가스 압력의 곱의 함수라는 것을 기술한 법칙 V = f(PL) 여기에서 V : 방전파괴 전압 P : 가스압력 L : 전극사이의 거리
 
230. 퍼이비언스  (perveance)
   2극관에 있어서 공간 전하제한 영역에서의 양극 전류와 양극 전압의 3/2곱과의 비로써 표시된다. 3극관 또는 다극관에 퍼이비언스를 적용하는 경우에는, 양극 전압 대신에 등가 2극관전압을 사용한다.
 
 231. 페닝효과  (Penning effect)
   혼합 가스의 방전의 경우에 고려해야 할 효과이며, 한 쪽의 에너지 준위가 높은 쪽의 준 안정 원자가 다른 쪽의 가스를 이온화시키는 효과. 준안정 원자는 수명이 길으므로 이러한 현상이 나타난다.
 
232. 페르미 ㆍ디락 통계  (Fermi-dirac statistics)
   파울리 원리를 고려한 입자의 양자화한 계에 있어서의 거시 상태의 확률의 통계 이론.
비고 :페르미 디락 속도분포 법칙에 기술한 페르미 디락의 속도 분포 법칙의 근거가 되는 것.
 
233. 페르미 ㆍ디락의 속도 분포 법칙 FD법칙  (Fermi-Dirac velocity distribution law FD law )
   평형 상태에 있는 양자화계의 입자수를 주는 관계식이며, 그 속도 성분이 u와 u+du, v와 v+dv, w와 w+dw사이에 있을 때에는 dN = 2N (m3/h3) du·dv·dw/1+exp(E-Ef/kT) 여기에서 N : 입자의 총수 m : 입자의 질량 T : 절대온도 
 
234. 페르미 준위  (Fermi level)
   페르미 분포 함수가1/2의 값을 가지는 전자의 에너지 값.
 
235. 평균자유행정(하전입자의)  (mean free path(of a charged particle))
   하전입자가 원자 또는 분자와 최초로 충돌한 후 다음 충돌을 일으킬 때까지 주행한 거리의 평균.
 
236. 포토 루미네슨스  (photo-luminescence)
   원자 또는 분자가 적당한 에너지의 광자를 흡수해서 내는 루미네슨스
 
237. 포화상태  (saturation state)
   전자관의 동작 상태의 하나이며, 양극 전류가 음극 온도만으로써 결정되고, 양극 전압에 관계없게 된 상태.
비고 다극관의 경우에는 등가 2극관으로서 생각하는 것으로 한다.
 
238. 포화전류  (saturation current)
   포화상태에서의 전류
 
239. 플래즈머  (plasma)
   전자(또는 부이온)와 정 이온의 농도가 거의 같고 공간 전하가 0인 이온화된 상태의 매질
 
240. 플럭스  (flux)
   발광성 고체 형성의 축진제 제품의 최종단계에서는 남아 있지 안은 경우가 많다.
 
 241. 피로  (fatigue)
   여기중에 발광 물질의 효율이 감소하는 현상
 
242. 하전수  (number of charges)
   소립자 내에 포함되는 하전의 정부의 부호를 고려한 대 수직 총합을 전자의 전하의 절대치로 나눈 값.
 
243. 하전입자  (charged particle)
   전하를 띠고 있는 입자. 예를 들면 이온, 양자, 전자, 중간자 등. 넓은 의미로는 반도체의 정공도 포함한다.
 
244. 한계 주파수  (threshold frequency)
   광전효과가 일어나기 때문에 필요한 입사 전자파의 최저 주파수. 다만, 광전자 방출효과의 경우에는 V0=P/h
 
245. 한계(루미네슨스의)  (threshold(of luminescence))
   발광 물질을 여기할 수 있는 방사의 최대 파장(또는 최소 주파수)
 
246. 한계파장  (threshold wavelength)
   광전효과가 일어나기 때문에 필요한 입사 전자파의 최대 파장.
 
247. 항공전자공학  (avionics)
   항공에 관한 전기 및 전자 기술
 
248. 핵자  (nucleon, nuclear particle)
   원자핵을 구성하고 있는 입자인 중성자 및 양자의 총칭
 
249. 핵종  (nuclide, nuclear species)
   원자핵의 조정에 따라 분류된 원자의 종류
 
250. 형광  (fluorescence)
   여기 후 약 10-8초 이내 밖에 지속되지 않는 루미네슨스

251. 형광체  (phosphor)
   주로 형광을 발생하는 물질
 
252. 호울(정공)  (hole, electron hole)
   반도체 내의 가전자의 공위 정(+)의 자유전하처럼 동작한다.
 
253. 화합물  (compound)
   다른 여러개의 상이한 순수물질로 분해할 수 있는 순수 물질
 
254. 활성체  (activator)
   물질의 발광 효율을 증가시키는 불순물 또는 치환(置換)원자
 
255. 활성화(음극의)  (activation(of a cathode))
   전자 방출을 시작시키고, 또는 증가시키기 위해서 음극에 가하는 처리.
 
256. n형 반도체  (n-type semiconductor)
   다수 캐리어가 전자인 외인성 반도체.
비고 1. 전도 전자 밀도가 호올 밀도보다 큰 외인성 반도체 2. 전자는 비교적 소수이며, 비축퇴 가스처럼 동작하고, 마스웰 볼쯔만의 속도 분포법칙에 따른다. 저항률은 온도의 저하에 따라 증가한다.
 
257. p형 반도체  (p-type semiconductor)
   다수 캐리어가 정공인 외인성 반도체.
비고 1. 정공 밀도가 전도 전자 밀도보다 큰 외인성 반도체. 2. 정공은 비교적 소수이며 비축퇴 가스처럼 동작하고. 막스웰 볼쯔만의 속도 분포법칙에 따른다. 저항률은 온도의 저하에 따라 증가한다.
 
258. α선  (alpha rays)
   α입자의 흐름
 
259. α입자  (alpha particle)
   질량수 4. 원자번호 2의 헬륨 원자의 원자 핵
 
260. β선  (beta rays)
   β입자의 흐름

261. β입자  (beta particle)
   β붕괴에 의해서 원자핵으로부터 방출되는 전자 또는 양전자
 
262. γ선  (gamma rays)
   방사성 물질에서 방사되는 전자파이며, 주파수는 일반적으로 x선보다 높다.