■ C-전기 KS C 6063 직접 회로 용어

1. 기능 디바이스  (functional device)
   단진 전자 현상 뿐만 아니라 열, 광, 기계 진동 및 기타 물리,화학 현상을 직접적인 형태로 이용하여 소요의 신호 또는 에너지처리, 변환 등을 목적으로 하는 기능을 갖게 한 디바이스.
 
2. 기능 블록  (functional block)
   시스템, 서브 시스템 등을 구성하는 블록으로 그 시스템이 필요한 기능을 발휘하는 것.
 
3. 기판(집적 회로의)  (substrate(of an integrated circuit))
   표면위 또는 그 내부에 집적 회로가 만들어지는 물체.
 
4. 네일 헤드 본딩,볼 본딩  (nail head bonding ball bonding)
   극세선 ,리이드선 용단하여 앞끝을 구상으로 형성시켜 열 또는 초음파 진동을 가하면서 압착하는 것.
 
5. 다결정 분리  (poly-crystal isolation)
   단결정과 다결정과의 경계의 절연성을 이용하여 다결정에 의하여 반도체 집적 회로의 각 소자를 전기적으로 분리하는 것.
 
6. 다이 본딩  (die bonding)
   반도체 칩을 기관이나 팩케지에 접착하는 것 또는 이의 조작 비 고 다이 접착과 같은 의미로 사용될 때도 있다.
 
7. 다이 접착  (die attachment)
   반도체의 칩을 기판 또는 패키지에 붙이는 것.
 
8. 다이분할  (did separation)
   집적 회로가 만들어진 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하는 것.
 
9. 다층 배선  (multilayer interconnection)
   하나의 회로 기능을 갖게 하기 위하여 구성 부분을 서로 접속하는 경우 배선용 도체와 절연체를 교대로 적층하여 2층 이상의 도체층을 가진 배선.
 
10. 단자  (terminal)
   외부와 접속하기 위하여 이용되는 구성 부분으로 신호 또는 에너지의 출입구로 이용되는 것.
 
 11. 대규모 집적 회로  (large scale integration(LSI))
   대규모 집적화한 집적 회로.
 
12. 대규모 집적화  (large scale integration(LSI))
   다수개의 집적 회로군을 한 장의 기판 위에 상호 배선하여 대규모인 집적화를 행하는 것. 협의로는 1000소자 이상의 것은 이 분류에 속한다.
 
13. 듀얼 인라인 패키지  (dual inline package)
   단자가 밑면 또는 그의 연장 평면에 직각인 2평행 평면상에 있고 또한 밑면에 수직 방향으로 돌출한 구조를 갖는 집적 회로의 패키지.
 
14. 디바이스  (device)
   능동적 기능,비직선적 기능이나 변환기능 등과 같은 특수한 기능을 포함하는 부품 또는 장치. 예를 들면 트랜지스터,다이오드,홀 디바이스 및 메모리 디바이스 등을 말한다.
 
15. 레오택시얼 성장  (rheotaxial growth)
   기판 위에 용융면을 준비하여 놓고, 여기에 기상으로 결정 재료를 보내고 기관 온도 또는 용융면 조성의 변화에 의하여 용융면을 고화시켜 계속 결정 성장을 행하는 것.
 
16. 마스크 맞춤  (mask ahgnmeht)
   포토 엣칭 공정에서 웨이퍼의 패턴과 사진 마스크를 겹쳐 맞추든지 또는 증착 스퍼터링의 과정에서 마스크와 마스크끼리를 순차로 연속적으로 겹쳐 맞추는 것.
 
17. 막 집적 회로  (film integrated circuit(FIC))
   박막 집적 회로와 후막 집적 회로의 총칭.
 
18. 매입층  (buried layer)
   반도체 기판 내부에 형성된 주위와는 도전율, 도전형식이 다른 반도체중 또는 금속층.
 
19. 멀티칩  (multichip)
   복수개의 칩으로 이루어진다고 하는 의미의 형용사.
 
20. 모노리딕  (monolithic)
   1개의 반도체 칩에 만들어졌다는 의미의 형용사.

21. 모노리딕 집적 회로  (monolithic integrated circuit)
   하나의 반도체 칩내에 만들어진 집적회로.
 
22. 박막  (thin film)
   기판 위에 진공증착, 이온 스퍼터링 등에 의하여 얻어지는 막. 비 고 막 두께는 단원자층, 단분자층의 것에서 5um까지의 것.
 
23. 박막 집적 회로  (thick film integrated circuit)
   기판 위에 구성된 회로 소자와 이의 상호 접속이 박막으로 이루어진 집적 회로.
 
24. 반도체 집적 회로  (semiconductor integrated circuit(SIC 또는 SCIC))
   하나 또는 그 이상의 반도체 기판에 만들어진 회로 소자를 상호 접속한 집적 회로.
 
25. 반응 스퍼터링  (reactive sputtering)
   활성가스 분위기내에서 소재, 예를 들면 금속을 스퍼터링하여 막상태의 반응 생성물을 만드는 것.
 
26. 복합 부품  (composite part)
   복수개의 부품을 기판 위나 기판내에 또는 패키지내에 만들어 넣은 구조의 것으로, 임의의 회로에 사용하는 부품.
 
27. 본딩 패드  (bonding pad)
   패키지 인출선 또는 패키지 인출선에 접속된 가는 금속선을 접착하기 위하여 반도체 칩 위에 승착된 금속 박막에 의한 소면적의 전극.
 
28. 부품  (part)
   트랜지스터, 콘덴서, 스위치, 나사 등 하나의 기능체를 하드 웨어로 본 경우의 구성 부분.
 
29. 분리,격리[집적회로에서의]  (isolation[in an integrated circuit])
   집적 회로의 구성 부분 등이 서로의 영향을 받지 않도록 하는 것.
 
30. 브레드 보드 설계  (bread noard design)
   개별 부품등을 사용하여 목적으로 하는 집적회로와 동등한 기능을 갖는 회로를 만들고, 당해 집적회로를 평가 설계하는 것.

31. 빔 리드  (beam lead)
   칩 위 전극으로부터의 배선용 리이드를 미리 웨이터 위에 도금 등에 의하여 형성하여 놓고 불용부분을 제거하여 얻어지는 빔모양의 리이드.
 
32. 상보형  (complementary)
   극성이 다른 소자를 조합한 회로 또는 구조를 나타내는 형용사.
 
33. 서브시스템  (subsystem)
   시스템의 일부분으로,그 부분적 기능을 갖고 있는 것.
 
34. 소규모 집적 회로  (small scale integrated circuit(SSI))
   소규모 집적화한 집적회로.
 
35. 소규모 집적화  (small scale integration circuit(SSI))
   중규모 집적화 보다도 정도가 낮은 집적화를 행하는 것. 비 고 협의로는 100소자 미만인 것은 이 부류에 속한다.
 
36. 소자  (element)
   부품 또는 장치를 하나의 기능체로 본 경우, 그 기능체를 구성하는 단위.
 
37. 스티치 본딩  (stitch bonding)
   리이드선에 열 또는 초음파 진동을 가하면서 가압하는 것에 의하여 연속적으로 아취 모양으로 접착하는 것.
 
38. 스퍼터링  (sputtering)
   글로우 방전으로 가스 이온의 충돌에 의하여 전극 재료를 방출시켜 다른 물질의 표면에 전극 재료의 막을 만드는 것.
 
39. 시스템  (system)
   몇개의 회로, 디바이스, 부품 등을 조합하여 필요한 기능을 실현한 집합체로서, 이것을 기능면에서 보았을 때의 호칭.
 
40. 실장 밀도  (packaging density)
   단위 체적 중에 실장되는 부품 또는 소자의 수 비 고 부품 밀도(component density)라고 할 때도 있다

41. 실장한다  (package(동사))
   구성 부분을 배치, 접속하는 것.
 
42. 실크 스크리닝  (silk screening)
   기판 위에 회로 패턴을 프린트하는 경우 곱고 가는 망을 통하여 감광성 도료, 도전성 도료 등을 바르는 것. 비 고 망으로는 보통 실크, 스테인레스 강이 사용된다.
 
43. 아일랜드  (island)
   반도체 집적 회로의 기판내에서 전기적으로 기판과는 분리된 반도체의 부분을 말한다.
 
44. 에피택시얼 성장  (epitaxial growth)
   기판결정 위에 기상, 또는 액상으로 결정축을 맞추어 결정 성장을 행하는 것
 
45. 에피택시얼 플래나 기술  (epitaxial planar technique)
   에피택셜 성장과 플래나 기술의 조합.
 
46. 원통형 패키지  (similar to TO-5 package)
   용기 본체가 원통형 또는 방향성을 갖게 하기 위하여 그 일부를 잘라 낸 모양으로 단자가 밑면에서 그 면에 수직으로나와 있어 일정한 원둘레 위에 배열 되어 있는 것.
 
47. 웨이퍼(반도체의)  (wafer(of a semi-conductor))
   능동소자, 수동소자나 집적 회로를 만들어 붙인 또는 만들어 붙인 것을 전제로 한 엷은 반도체 판.
 
48. 전계효과 트랜지스터  (field effect transistor(FET))
   다수 캐리어에 의한 전류 통로의 콘덕턴스를 캐리어의 흐름에 직각인 전제에 의하여 제어하는 트랜지스터.
 
49. 전극  (electrode)
   부품의 특정한 영역에서 전기적 기능을 꺼내어,다른 것과의 전기적 접속을 행하는 도체적 구성 부분.
 
50. 절연층 분리  (dielectric isolation)
   반도체 집적 회로의 각 소자를 절연층. 예를 들면 SIO2등으로 분리시키는 것.

51. 중규모 집적 회로  (medium scale integrated circuit(MSI))
   중규모 집적화한 집적 회로.
 
52. 중규모 집적화  (medium scale integration(MSI))
   대규모 집적화보다도 정도가 낮은 집적화를 행하는 것. 협의로는 100소자 이상이고, 1000소자 미만 인 것은 이 부류에 속한다.
 
53. 진공증착  (vacuum evaporation)
   진공내에서 물질을 가열시켜 이것을 증발시키고 그 증발물을 다른 물질의 표면에 붙게하여 막을 만드는 것. 비 고 단순히 증착이라 부른다.
 
54. 집적 회로  (integrated circuit)
   두개 또는 그 이상의 회로 소자의 모두가 기판위 또는 기판내에 집적된 회로로 설계에서 제조, 시험, 운용에 이르기까지 각 단계에서 하나의 단위로서 취급하는 것. 현시점에서 줄 반도체 기술, 막 제조 기술이 사용된다.
 
55. 집적화  (integration)
   기능을 직결하는 것을 목적으로 많은 구성부분을 설계에서 제조, 시험, 운용에 이르기까지 각 단계에서 하나의 단위로서 취급하는 상태로 결합하여 기기,회로 등을 만드는 것. 또한 현시점에서 주로 반도체 기술, 막제조 기술이 사용된다.
 
56. 초소형 구성 부분  (microcom ponent)
   종래의 개념에 비하여 현저하게 소형인 구성 부분
 
57. 초소형 소자  (microelement)
   종래의 개념에 비하여 현저하게 소형인 소자
 
58. 초소형 전자 공학  (microelectronics)
   초소형 전자 기술을 취급하는 공학.
 
59. 초소형 전자 기술  (microelectronics)
   일반적으로 얻어지는 것 보다 더욱 소형화의 정도가 진보된 전자 회로의 실현 또는 이의 이용에 관련된 기술의 총칭. 비 고 1cm3당 3개 이상의 부품, 또는 회로소자 밀도를 갖는 것은 이 부류에 들어간다
 

60. 초소형 전자 방식  (microelectronic system)
   초소형 전자 기술을 사용하여 조립하는 방식.

61. 초소형 전자 회로  (microelectronic circuit)
   초소형 전자 기술을 사용하여 조립한 회로 비 고 "초소형 회로"로 약칭할 때도 있다. 종래의 "초소형 구조"는 이것에 포함된다.
 
62. 초소형 전자계  (microelectronic system)
   초소형 전자 기술을 사용하여 조립한 계.
 
63. 초소형 조립 회로  (microassembly)
   개별 부품과 개별 부품끼리, 집적회로와 집적회로 끼리 또는 개별 부품과 집적회로를 조합하여 구성 부품을 교환 불능의 형태로 조립한 회로로 이것을 조립이나 실장하기 이전에, 개개에 대하여 시험 할 수 있는 것.종례의"고밀도 조립"은 이에 포함 된다.
 
64. 초음파 본딩  (ultrasonic bonding)
   극세선, 리이드선, 칩 등에 초음파 진동을 가하면 압착하는 것.
 
65. 칩  (chip)
   수동소자, 능동소자나 집적회로가 만들어 붙여진 또는 만들어 붙일 것을 전체로 한 반도체 또는 절연을 의 세편. 비 고 다이라고도 한다.
 
66. 캡슐 봉입  (encapsulation)
   외부 환경으로부터 보호하기 위하여 단독 또는 복수개의 디바이스 부품 집적회로를 단자를 갖는 패키지에 넣는 것.
 
67. 패키지  (package(명사))
   구성부분을 배치, 접속 보호하기 위한 단자를 갖는 용기를 말하는데 시스템으로서 실장된 디바이스군을 이루어지는 서브시스템. 
 
68. 페이스 다운 본딩, 페이스본딩  (face down bonding, face bonding)
   집적 회로용 반도체 칩에 미리 붙여진 표면 전극 또는 배선용 리이드와 절연 기판 위에 형성된 배선용 전극을 표면을 서로 대향시켜 밀착하고 전기적으로 접속하는 것.
 
69. 플래나 기술  (planar technique)
   선택 확산, 이온주입, 광식각등의 기술을 사용하여 그 표면이 평탄하게 되도록 기판 결정의 동일 평면상에 소자를 형성하는 것.
 
70. 플랫 패키지  (flat package)
   밑면 및 윗면이 평행 평판 모양이고 또한 단자가 평판에 평행으로 돌출한 집적회로의 패키지
 
71. 플립 칩 본딩  (flip cnip bonding)
   페이스다운 본딩 중 반도체 칩 위의 표면전극을 절연기판 또는 패키지의 배선용 전극에 직접 접속하는 것.
 
72. 혼성 집적 회로  (hybrid integrated circuit)
   두개 이상 다른 종류의 집적 회로의 조합 또는 하나 이상의 독립된 디바이스나 부품과 하나 이상의 집적 회로로 이루어지는 회로.
 
73. 확산저항  (diffused resistor)
   확산층의 층저항을 이용한 저항소자. 비 고 층저항이란 그 층의 면적 저항을 가리킨다.
 
74. 회로  (circuit)
   소자의 기능을 결합하여 소요의 신호. 또는 에너지 처리 기능을 갖게 한 것.
 
75. 후막  (thick film)
   기판 위에 잉크상 페이스트 등을 발라 스프레이, 또는 인쇄한 후 소부 방법등에 의하여 얻어지는 막. 비 고 막 두께는 대략 5um이상인것
 
76. 후막 집적 회로  (thick film integrated circuit)
   기판 위에 구성된 회로 소자와 이의 상호 접속이 후막으로 이루어진 집적 회로.
 
77. MIS 집적회로  (metal insulator semiconductor integrated circuit(MIS IC))
   절연막에 의하여 전기적으로 전류 통로로 절연된 게이트 전극에 전압을 걸어 전류 통로를 제어하는 구조의 디바이스로 구성된 집적 회로.
 
78. MIS 트랜지스터  (MIS transistor(MIS T 또는 MIS FET))
   절연막에 의하여 전기적으로 전류 통로로 절연된 게이트 전극에 전압을 걸어 전류 통로를 제어하는 전제효과 트랜지스터.
 

79. MOS 집적 회로  (metal oxide semiconductor integrated circuit (MOS IC))
   산화막에 의하여 전기적으로 전류 통로로 절연된 게이트 전극에 전압을 걸어, 전류 통로를 제어하는 구조의 디바이스로 구성한 집적 회로.
 
80. MOS 트랜지스터  (MOS transistor(MOS T 또는 MOS FET))
   산화막에 의하여 전기적으로 전류 통로로부터 절연된 게이트 전극에 전압을 걸어전류 통로를 제어하는 전제효과 트랜지스터.