■ C-전기 KS C 7024 전자관 용어

1. (2전극간의)증폭 상수, (2전극간의) 증폭률  (amplification factor)
 
  하나의 전자관의 두개의 전극 전압을 변화시켰을 때, 주전자류의 크기를 일정한 값으로 유지했을 경우의 양전극 전압의 변화비. 다만 나머지 전극 전압을 일정하게 유지했을 경우의 것.
 
2. (그리드의) 차폐율  (screen factor)
 
  그리드의 실면적과 전면적의 비
 
3. (전자 빔 내의) 전자〔이온〕유 미론 (density of an electron beam)
 
  전자 빔의 어떤 절단면 내에서의 전자류의 밀도
 
4. (전자관 외형 치수 에서의) 기준선  (refernece line)
 
  전자관의 외형 치수를 규정할 경우에 기준이 되는 선
 
5. (전자관의 베이스에서의) 기준선  (reference line)
 
  베이스 핀이나 접촉편의 번호를 붙이는데 기준이 되는 선으로서, 일반적으로 베이스의 중심으로부터 규정의 방향으로 그은 방사선으로 표시된다.
 
6. 1차 전자 방출  (primary electron emission)
 
  전극의 온도 상승이나 그 표면에 빛을 쬐는 것 또는 강한 전계에 의하여 그 표면으로부터 전자를 방출하는 것.
 
7. 2854˚K에서의 광속 감도  (luminous sensitivity of a color temperature of 2854˚K)
 
  색 온도 2854˚K의 필터를 통하지 않은 백열 텅스텐 전구 광원을 사용했을 경우의 광속 감도
 
8. 2극관  (diode)
 
  양극과 음극의 두 전극으로 구성된 전자관
 
9. 2전자총 음극 선관  (double-gun cathode-ray tube)
 
  2개의 분리된 전자총을 갖는 음극 선관
 
10. 2차 전자 방출  (secondary electron emission)
 
  전자 또는 이온이 충돌함으로써 그 입사면으로부터 전자를 방출하는 현상을 말하며, 1차 전자가 표면으로부터 반사된 것도 포함한다.
11. 2차 전자 방출 특성  (secondary emission characteristic)
 
  형광면의 2차 전자 방출비와 형광면 전압의 관계로서 일반적으로 그래프로 표시된다.
 
12. 3극관  (tride)
 
  양극, 음극 및 제어 그리드의 3전극으로 구성된 전자관
 
13. 3극관의 등가 2극관  (equivalent diode of a triode)
 
  3극관과 같은 크기의 음극 전류가 흐르는 전압을 가한 가상 양극과 그 3극관과 같은 크기의 음극으로 되는 가상 2극관
 
14. 3색 수상관  (three color tube)
 
  3원색의 빛을 내는 3개의 다른 형광체 도트 또는 선 가닥의 배열로 되어 있는 형광면을 갖는 컬러 수상관
 
15. 3전자총 컬러 수상관  (triple-gun color picture tube)
 
  3개의 전자총을 갖는 컬러 수상관
 
16. 4극관  (tetrode)
 
  양극, 음극 및 제어 그리드 외에 또 한 개의 그리드를 삽입한 4극으로 구성된 전자관
 
17. 5극관  (pentode)
 
  양극, 음극 및 제어 그리드 외에 2개의 그리드를 삽입한 5개의 전극으로 구성관 전자관으로서, 이들 그리드 중에서 1개 또는 그 이상의 것이 제어 전극의 성질을 갖는다.
 
18. 7극관  (heptode)
 
  양극, 음극 및 제어 그리드 외에 4개의 그리드를 삽입한 7전극으로 구성된 전자관으로서, 이들 그리드 중에서 1개 또는 그 이상의 것이 제어 그리드의 성질을 갖는다.
 
19. 가변 증폭관  (variable mu tube, remote cut-off tube)
 
  제어 그리드의 바이어스 전압의 선택에 따라 증폭 상수가 크게 변화하도록 만들어진 진공관
 
20. 가상 음극, 전위 최소면  (virtual cahode, potemtial minimum surface)
 
  근접한 전자의 일부를 투과하고, 나머지를 반사하는 공간 전하 전위 최소점의 궤적
21. 가속 전극  (accelerating electrode)
 
  전자류 중의 전자 또는 이온의 속도를 가속하기 위한 전위를 갖는 전극
 
22. 가스 왜곡  (gas discortion)
 
  잔류 가스 때문에 휘점에 생기는 왜곡
 
23. 가스 집속  (gas focusing)
 
  이온화되 가스의 작용에 의한 전자 빔의 집속
 
24. 가스비  (gas ratio)
 
  잔류 가스에 의한 이온 전류와 그 이온을 생성하는 전자 전류의 비
 
25. 간극 전자 어드미턴스  (electronic gap admittance)
 
  전자 빔이 흐르고 있을 경우 간극의 어드미턴스와 간극 회로 어드미턴스의 차
 
26. 간극 전자 임피던스  (electronic gap impedance)
 
  간극 전자 어드미턴스의 역수
 
27. 간극 회로 어드미턴스  (circuit gap admittance)
 
  전자 빔이 없을 때 작용 간극에서 본 회로의 어드미턴스
 
28. 간극 회로 임피던스  (circuit gap impedance)
 
  간극 회로 어드미턴스의 역수
 
29. 감마  (gamma)
 
  광전 변환 특성 곡선상의 어떤 점에서의 곡선의 기울기
 
30. 감속 전극  (decelerating electrode)
 
  전자류 중의 전자또는 이온의 속도를 감속시키는 단위를 갖는 전극
 
31. 갓언저리 효과  (edge effect)
 
  재생상의 명암의 경계부에 나타나는 의사 신호
 
32. 검파  (detection)
 
  변조파로부터 원신호파를 검출해 내는 것으로서 비직선소자에 의하여 이 작용이 이루어진다.
 
33. 게터  (getter)
 
  잔류 가스에 대한 물리적 및 화학적 작용으로 잔류 가스를 흡수함으로써 진공도를 높이기 위하여 전자관 내에 봉입된 물질
 
34. 계수 방전관  (counting discharge tube, Decatron)
 
  분리된 음극 또는 보조 전극과 하나의 마주보는 양극사이의 방전이 분할 전극에 따라서 순차로 옮겨 가면서 동작하는 글로 방전관
 
35. 고속도 빔 촬상관  (high-velocity beam camera tube)
 
  타깃의 평형 전위가 타깃으로부터의 2차 전자를 포집하는 전극의 전위와 거의 같은 값으로 고속도의 전자 빔으로 주사하는 촬상관
 
36. 고스트  (ghost)
 
  수상관의 재생상에 생기는 다중상
 
37. 고정 바이어스  (fixed bias)
 
  외부 전원에 의하여 일정한 바이어스 전압을 얻는 것.
 
38. 고주파 결합기  (mount)
 
  마이크로파관을 외부의 마이크로파 회로에 대해서 적절하게 결합시키기 위한 구조 치수를 규정한 결합기
 
39. 고착 전압  (sticking voltage)
 
  형광면으로부터의 2차 전자 방출비가 1 이하의 되는 형광면 전압
 
40. 공간 전하 그리드  (space-charge grid)
 
  가상 음극의 위치, 넓이 및 그 전위를 제어하는 그리드
41. 공간 전하 그리드  (space charge)
 
  전자 또는 이온 또는 그 양쪽이 존재하기 때문에 공간에 있는 전하
 
42. 공간 전하 밀도  (space charge density)
 
  단위 부피당 공간 전하
 
43. 공간 전하 제한 전류  (space charge limited current)
 
  공간 전하에서 전류값이 제한되어 있는 상태의 전류
 
44. 공기 누설  (aif leak)
 
  전자관 불량 항목의 하나로서, 보통의 시각에 의하여 판정할수 있는 것 외에 가스 전류가 규정치 이상의 값을 나타낼 경우를 말한다.
 
45. 공랭판  (air cooled tube)
 
  공기의 흐름에 의하여 냉각되는 전자관
 
46. 공진 간극  (resonant gap)
 
  스위칭 방전관의 공진 공동 내에 있는 작은 간극으로서 공진기의 정전 용량을 형성함과 동시에 마이크로파의 전계를 집중시켜 마이크로파 방전을 일으키기 쉽게 한 것.
 
47. 과부하 특성  (overload charcteristic)
 
  지정된 보통의 부하보다 큰 부하에서의 특성
 
48. 관내 전압 강하  (tube voltage drop)
 
  도통 상태에서의 양극과 음극 사이의 전위차
 
49. 관벽 온도  (condensed-mercury temperature)
 
  수은이 응축하는 관벽의 온도로서 관밖에서 측정한 값
 
50. 관벽 온도  (bulb temperature)
 
  관벽 표면의 온도로서 일반적으로 가장 높은 온도 부분의 온도
51. 광도전형 촬상관  (photo-conductive camera tube)
 
  광도전성 감광면을 갖는 촬상관
 
52. 광속 감도  (luminous sensitivity)
 
  촬상관의 광전 음극면을 균일하게 조사했을 경우의 출력신호 전류를 입사 광속량으로 나눈 값
 
53. 광전 변환 특성  (photoelectric transfer characteristic)
 
  입사 광량에 대한 신호 전류 특성
 
54. 광전 응극  (photo-esectric cathode)
 
  고아전자 방출을 주목적으로 하는 음극
 
55. 광전광  (photoube)
 
  광전자 방출 음극과 양극을 갖는 전자관
 
56. 광전면형 촬상관  (photo-emissive camera tube)
 
  광전자 방출성 감광면을 갖는 촬상관
 
57. 광정자 방출  (photoelectron emission)
 
  빛의 입사에 의하여 입사면으로부터 전자를 방출하는 것.
 
58. 광학 섬유 음극 선관  (fibre optics cathode-ray tube)
 
  광학 섬유로 된 페이스 플레이트의 외면에 기록용 감광지를 밀착함으로써 형광면상의 도형이나 문자를 감광지에 기록하는 음극 선관
 
59. 구명 수차  (spherical aberration)
 
  전자 렌즈의 초점 거리가 반지름 방향으로 불균일하기 때문에 생기는 수차
 
60. 귀선  (fluy-back line, retrace line)
 
  하나의 주사가 완료하여 다음 주사로 옮길 경우의 주사점의 궤적
61. 균압환  (anode strap)
 
  마그네트론의 모드 분리의 목적으로 특정한 양극편끼리 접속하는 금속환 또는 금속선
 
62. 그리드  (grid)
 
  전자 또는 이온을 통과시키기 위해서 한 개 또는 그 이상의 통로를 갖는 전극
 
63. 그리드 구동 전력  (grid driving power)
 
  C급 증폭기에서 그리드를 정으로 구동하기 위한 전력으로서, 여진 전원으로부터 공급된다.
 
64. 그리드 여진 전력  (grid exciting power)
 
  그리드 여진 전압 진폭과 그리드 전류의 기분파 성분의 곱의 1/2
 
65. 그리드 역전류  (grid inverse current)
 
  그리드에 흐르는 역전류로서, 이온 전류, 누설 전류, 그리드 열방출 전류 등으로 된다.
 
66. 그리드 전자 방출  (grid emission)
 
  그리드로부터 1차 및 2차 전자 방출
 
67. 그리드 컷오프 전압, 그리드 차단 전압  (grid cut-off voltage)
 
  전극이 제어 그리드일 경우의 컷오프 전압
 
68. 글로 방전관  (glow discharge tube)
 
  글로 방전 영역에서 동작하는 방전관
 
69. 금속 차폐 코팅  (metallic shield coating)
 
  전자관 속과 전자관 밖을 차폐하기 위하여 유리 외벽상에 만들어진 도전막
 
70. 금속화 스크린  (metallized screen)
 
  형광면의 전자총 쪽에 엷은 금속막을 증착한 것.
71. 기계적 동조  (mechanical tuning)
 
  공동의 공진 주파수를 기계적으로 변화시킴으로써 발진 주파수를 변화시키는 것.
 
72. 기동 시간, 안정 소요 시간  (warm-up time)
 
  고압을 인가하는 시초부터 주파수, 출력 또는 전류의 값, 또는 그들 변화의 속도가 규정치에 도달하기까지의 시간
 
73. 기동 안정도  (starting stability, snap-on stability)
 
  규정의 방치 기간 후, 최초로 고압을 인가한 순간으로부터 시작하는 규정 시간 내에 측정한 미스 펄스 수
 
74. 기준면  (reference plane )
 
  마이크로파관의 고주파 입출력부 또는 고주파 결합기에 대해서 규정한 마이크로파 전송로의 특성한 단명이며, 반사 계수의 위상 조건을 명확히 지정하기 위한 것.
 
75. 기준표  (refernece mark)
 
  서브미니어처 평형 베이스 등에서 리드선 번호를 정하기 위하여 베이스에 붙이는 표시
 
76. 내부 저항  (internal resistance)
 
  양극의 전극 저항
 
77. 내부 접속 핀  (internally connection diagram)
 
  소켓에 끼우는 금속 핀으로서, 전자관의 구성요소에 접속되어 있으나, 외부 회로에 접속해서는 안되는 것.
 
78. 냉상태 반사 계수, 냉상태 전압 정재파비  (cold reflection coefficient, cold VSWR)
 
  마이크로파관의 냉상태에서 관측된 입력 쪽 또는 출력 쪽의 반사 계수 또는 전압 정재파비
 
79. 냉상태 손실  (cold loss)
 
  마이크로파 증폭관의 냉상태에서 관측되는 입력 단자와 출력 단자 사이이 감쇠량
 
80. 냉응극  (cold cathode)
 
  가열하지 않고 동작하는 음극. 다만 광전 음극 및 다이오드는 제외한다.
 
 81. 네온 지시관  (neon indicator)
 
  전위차 또는 전계의 존재를 검지하는데 사용되는 네온을 넣은 글로 방전관
 
82. 누설 전력  (leakage power)
 
  고전력 마이크로파 펄스가 가해졌을 때, 스위칭 방정관을 통하여 수신기 쪽으로 누설되는 마이크로파 전력
 
83. 누설 전류  (leakage current)
 
  전극 사이의 절연물을 통하여 전극 단자 사이를 흐르는 도전 전류
 
84. 니 포인트  (knee-point)
 
  광전 변화 특성 곡선상에 감마가 지정값으로 되는 점
 
85. 다공동 클라이스트론  (multi-cavity klystron)
 
  2개 이상의 공동을 갖는 직진형 클라이스트론
 
86. 다극관  (multi-electrode tube)
 
  단일 전자류에 대한 3개 이상의 전극으로 구성된 전자관
 
87. 다빔 음극 선관  (multi-beam cathode-ray tube)
 
  2줄 이상의 전자 빔을 갖는 음극 선관
 
88. 다이너트론 효과, 다이너트론 특성  (dynatron effect, dynatron characteristic)
 
  전극 특성이 부의 기울기일 때 생기는 것으로서 부저항과 같은 효과
 
89. 다이노드  (dynode)
 
  2차 전자 방출을 주목적으로 하는 전극
 
90. 다전자총 음극 선관  (multiple-gun cathode-ray tube)
 
  2개 이상의 분리된 전자총을 갖는 음극 선관
 
 91. 단락 어드미턴스  (short circuit admittance)
 
  어떤 전극을 제외한 다른 모든 전극을 기준점에 단란 또는 교류적으로 단락한 상태에서 측정한, 그 전극과 기준점 사이의 어드미턴스
 
92. 단일 전자총 컬러 수상관  (single-gun color picture tube)
 
  한 개의 전자총을 갖는 컬러 수상관
 
93. 더블 엔드  (double end)
 
  전자관에서 단자가 양 쪽으로 나와 있는 것. 보통 수신관에서는 캡이 달려 있는 것이 이예 속한다.
 
94. 도통 기간  ("on" period)
 
  전자관이 펄스적 주기 동작을 하고 있을 때, 도전 상태로 있는 기간
 
95. 돔  (dome)
 
  벌브의 정상에 돌출한 평행 측면 부분
 
96. 동기 전압  (synchronous voltage)
 
  전자를 정지 상태로부터 저속파 회로의 위상 속도와 같은 속도까지 가속하는 데 필요한 전압
 
97. 동작 불능  (inoperative)
 
  단선, 단락 및 공기 누설을 나타내는 것의 총칭
 
98. 동작 첨두 출력 전압  (operating peak output voltage)
 
  규정의 동작 상태에서 출력 회로에 발생하는 교류 전압의 첨두치
 
99. 동작시 반사 계수, 동작시 전압 정재파비  (operating reflection coefficent)
 
  마이크로파관의 동작 상태에서 관측된 입력 쪽 또는 출력 쪽의 반사 계수 도는 전압 정재파비
 
100. 동작시 손실  (operating loss)
 
  동작 상태에 있는 마이크롸 증폭관의 출력 단자 쪽으로부터 고주파 신호를 가했을 때의 출력 단자와 입력 단자 사이의 감쇠량
 
 101. 동작시 히터 전압, 동작시 필라멘트 전압  (heater voltage, filament voltage)
 
  마그네트론 등에서 전자 충격에 의한 음극의 손상을 피하고, 동작의 안정을 유지하기 위하여 지켜야 할 히터 전압
 
102. 동작점  (working point, operating point)
 
  전자관이 동작하고 있을 때, 어떤 전극의 평균 전압에 대응하는 특성 곡선상의 점
 
103. 동적 집중  (dynamic convergence)
 
  전자 빔을 편향시켜도 항상 집중이 얻어지는 것.
 
104. 동조 감도  (tuning sensitivity)
 
  기계적 동조에서의 구동 소자의 위치, 전자 동조에서의 전압 등의 동조를 담당하는 파라미터의 변화량으로 주파수 변화량을 나눈 값
 
105. 동특성  (dynamic characteristic)
 
  부하 임피던스를 가해서 교류 양극 전류를 통해서 동작시킬 경우의 전자관 특성
 
106. 두들기기 단락 시험  (tap short test)
 
  관구를 규정한 방법으로 두들기면서 규정된 감소의 단락 지시기로 전극간의 단락을 조사하는 시험
 
107. 두들기기 도통 시험  (tap continuity test)
 
  전자관을 규정한 방법으로 두들기면서 규정된 감도의 도통 지시기에 의하여 전극간의 도통을 조사하는 시험
 
108. 두들기기 잡음 시험  (tap noise test)
 
  전자관을 규정된 방법으로 두들기면서 규정된 증폭도 및 주파수 특성을 갖는 증폭기의 출력에 나타나는 잡음을 조사하는 시험
 
109. 드리프트 공간  (drift space)
 
  하나의 작용 공간을 통과한 전자류가 다음에 다시 작용 공간을 통과할 때까지의 기간에 주행하는 고주파 전자계가 없는 공간
 
110. 등가 2극관 전압  (equivalent diode voltage)
 
  등가 2극관의 양극 전압
 
 111. 등가 잡음 저항  (equivalent noise resistance)
 
  전자관으로부터 발생하는 잡음을 전자관 자체는 잡음을 발생하지 않는 것으로 가정해서 이것과 같은 잡음을 발생하는 저항이 그리드 회로에 삽입되어 있다고 생각할 경우의 저항값
 
112. 래스터  (raster)
 
  타깃 또는 형광면 위에 변조되지 않은 주사선으로 형성되는 줄무늬 도형
 
113. 레지스트레이션  (registration)
 
  다관식 컬러 촬상 카메라에서의 각 촬상관의 일치성
 
114. 리드선  (lead wire)
 
  전극을 외부 회로에 접속하기 위하여 스템에 봉입한 도선
 
115. 리드선 간격 게이지  (lead spacing gauge)
 
  리드선이 직선상에 배열되어 있는 전자관의 리드선 간격을 검사하기 위한 게이지
 
116. 리케도  (Rieke diagram)
 
  마이크로파 발진기의 부하 임피던스 특성을 나타내는 그림으로서, 좌표가 부하의 복소 반사 계수로 되어 있는 극좌표형 임피던스 도면상에 같은 출력선, 같은 주파수선등을 그린 것
 
117. 링 게이지  (ring gauge)
 
  미니어처관 등의 어깨 높이를 측정할 때, 돔 모양 부분의 일정한 원둘레 위치를 결정하기 위한 고리 모양의 게이지
 
118. 마그네트론, 자전관  (magnetron)
 
  저속파 회로가 공진계를 이루는 발진용 M형 마이크로파관
 
119. 마그노발관  (magnoval tube)
 
  최대 지름 29~38㎜의 벌브, 핀 서클 지름 17.45㎜ 및 핀 지름 1.27㎜의 9핀 베이스를 사용한 전자관의 일반적 명칭
 
120. 마이크로파관  (microwave tube)
 
  마이크로파의 증폭, 발진, 스위칭 등을 하는 전자관
 
121. 마이크로포닉 잡음  (microphonic noise)
 
  전극의 기계적 진동에 따라 출력 중에 포함된 잡음
 
122. 모노스코프  (monoscope)
 
  타깃상에 둔 고정 도형 위를 전자 빔으로 주사함으로써 화상 신호를 얻을 수 있는 전자 선관
 
123. 목  (neck)
 
  음극 선관 엔벌로프의 베이스 쪽의 원통형 부분
 
124. 무접속 핀  (non-connected pin)
 
  소켓에 끼우는 금속 핀으로서, 전자관 내의 구성 요소에 접속되어 있지 않은 것.
 
125. 문자 인쇄관  (character printing tube)
 
  문자형의 구멍이 매트릭스꼴로 배치된 금속판을 내장하여, 원하는 문자 구멍에 입사하도록 전자 빔을 편향시킴으로써 문자 선택을 하고, 다음에 문자 구멍을 통과한 전자 빔을 다시 편항시킴으로써 형광면 위의 원하는 위치에 문자 배열을 하는 전자 선관
 
126. 미니어처 베이스 스트레인 시험  (miniature base strain test)
 
  미니어처관 베이스의 터지는 정도를 조사하기 위하여 미니어터관의 핀을 강제적으로 확장시킨 상태에서 열충격을 가하여 베이스의 크랙 유무를 조사하는 시험
 
127. 미니어처관  (miniature tube)
 
  소형 전자관의 일반적 호칭으로 벌브의 지름이 16,5~22.2㎜ 정도로서, 일반적으로 밑쪽 스템에 원형으로 배열된 접촉 핀을 갖고 있다.
 
128. 미스 펄스율  (missing-pulse factor)
 
  펄스 동작을 하는 마그네트론에 입력 펄스가 정확하게 주어지고 있는데, 출력 펄스 중의 어떤 것이 충분한 에너지를 갖지 않을 때, 규정된 최소치 이하의 에너지밖에 갖지 않는 출력 펄스의 발생 활률
 
129. 바이어스 전압  (electrode bias)
 
  입력 신호가 없을 때 제어 그리드와 음극 사이에 미리 가해 두는 직류 전압 
 
130. 반사 방지 유리 수상관  (non-glare face-plate picture tube)
 
  외부 빛에 대한 거울면 반사가 적은 페이스 플레이트를 갖는 수상관
 131. 반사 전극  (repeller, reflcetor)
 
  반사형 크라이스트론에서 작용 간극을 통과한 전자류의 운동 방향을 반전시키기 위하여 부의 전위로 유지된 전극
 
132. 반사형 클라이스트론  (reflex klystron)
 
  반사 전극을 사용하여 전자를 반사함으로써 1개의 작용 간극이 전자류를 속도 변조하는 역할과 밀도 변조된 전잘로부터 고주파 에너지를 받는 역할을 겸하고 있는 클라이스트론
 
133. 발전 개시 전류  (starting current)
 
  규정의 조건에서 동작시킨 발진관이 자려진을 일으키기 시작했을 때의 전자류의 값
 
134. 발진 그리드  (oscillation grid)
 
  주파수 변환관의 발진부 그리드로서, 가령 5그리드 7극관의 제1그리드
 
135. 방열 음극  (indirectly heated cathode)
 
  독립된 히터로 가열되는 열음극
 
136. 방전 개시 그리드 전류  (grid current for break-down)
 
  양극 전류가 흐르기 시작한 순간의 제어 그리드 전류값
 
137. 방전 개시 그리드 전압  (grid voltage for break-down)
 
  주어진 양극 전압, 부하 및 온도에서 양그 전류가 흐르기 시작한 순간의 제어 그리드 전압
 
138. 방전 개시 전압  (break-down voltage)
 
  규정된 시동 간격을 동작시킨 상태에서 주간격이 방전을 개시하는데 필요한 양극 전압
 
139. 방전 기간  (conducting period)
 
  교류 전압의 1사이클 동안에서 어떤 방전로에 전류가 흐르는 기간
 
140. 방전 정지 전압  (extinction voltage)
 
  인가 전압을 감소시켜 방전이 정지했을 때의 양극 전압
141. 방전관  (discharge tube)
 
  음극으로부터 방출된 전자와 봉입한 가스 또는 증기와의 충돌 전리 작용에 따르는 전기적 특성이나 발광 현상을 이용한 전자관
 
142. 배럴형 왜곡  (barrel distortion)
 
  대칭축으로부터 전자 빔이 변위함에 따라 편향 감도가 감소함으로써 사각형 모양이 배가 볼록한 술통 모양으로 되는 왜곡
 
143. 배면 전극  (back plate)
 
  축적 타깃의 절연체 또는 반도체의 층을 지지하고 있는 전극
 
144. 배플  (baffle)
 
  방전로에 놓인 전기적으로 결선되어 있지 않은 소자
 
145. 벌브  (bulb)
 
  전자관의 외벽을 형성하는 절연물의 용기로서, 일반적으로 유리로 되어 있다.
 
146. 벌브 지름  (bulb diameter)
 
  벌브의 지름 또는 장경
 
147. 베이스  (base)
 
  전극의 외부 회로에 접속하기 위한 핀 또는 접속 금속을 갖는 부품으로서 엔벌로프에 부착한 경우와 엔벌로프의 일부분인 경우가 있다.
 
148. 베이스 도면  (base drawing)
 
  전자관의 호환성 및 소켓과의 적합에 필요한 치수를 포함한 베이스 도면
 
149. 베이스 셀  (base shell)
 
  밸브의 외부로부터 부착하는 구조의 베이스로서 그 측벽을 형성하고 있는 부분
 
150. 베이스 슬리브  (base sleeve)
 
  베이스의 주위를 금속판으로 만들었을 경우
 
 151. 베이스 지름  (base diameter)
 
  베이스의 지름 또는 장경
 
152. 베이스 차폐  (base shield)
 
  베이스의 일부분을 구성하고, 또 베이스 내부에 넣어져 있는 차폐
 
153. 베이스 캡 접속도  (base-cap connection diagram)
 
  전자관의 베이스 및 캡 등의 단자와 내부 전극의 접속 상태를 표시하는 그림
 
154. 베이어닛 핀  (bayonetpin)
 
  베이스를 소켓에 끼울 경우, 그 위치를 규정하기 위하여 베이스의 펴에 튀어나온 핀
 
155. 변조  (modulation)
 
  어떤 파의 특성을 신호로 변환시키는 것.
 
156. 변조 전극  (modulating electrode)
 
  전자 빔 전류를 변조하기 위한 전극
 
157. 변환 컨덕턴스  (conversion transconductance)
 
  주파수 변환을 하는 전자관으로서, 출력 전극의 단락 전류의 피변환 주파수 성분을 입력 그리드에 가해진 신호 전압으로 나눈 값
 
158. 변환 특성, 상호 특성  (transfer characteristic, mutual characteristic)
 
  어떤 전극 전압과 다른 하나의 전극 전류의 관계로서 일반적으로 그래프로 표시한다. 다만 나머지 전극 전압을 일정하게 유지했을 경우의 것.
 
159. 보강형 수상관  (integral implosion-protected picture tube)
 
  엔벌로프가 강한 압력으로 폭발하는 것에 견디는 강도를 높이기 위한 부속 부품을 갖는 수상관
 
160. 복합관  (multiple-unit tube)
 
  한 개의 외부 용기 속에 2개 이상의 서로 관계가 없는 전자류에 대한 전극계로 구성된 전자관
 
 161. 부하 곡선  (load line)
 
  부하 임피던스의 단자 전압이 부하 전류에 따라 변화하는 관계를 표시하는 선
 
162. 부하 전류  (load current )
 
  전자관의 외부 부하 회로에 흐르는 출력 전류
 
163. 분광 감도 특성  (spectral sensitivity characteristic)
 
  단위 파장당 감도와 파장의 관계로서 일반적으로 그래프로 표시된다.
 
164. 분광 특성  (spectral charateristic )
 
  형광면으로부터 방사되는 광의 방사 에너지와 파장의 관계로서, 일반적으로 그래프로 표시된다.
 
165. 블루밍  (blooming)
 
  빔 전류를 증가시켜 갈 때 휘점의 크기가 급격히 커지는 것.
 
166. 비도통 기간  ("off" period)
 
  전자관의 펄스적 주기 동작을 하고 있을 때, 비도전 상태로 있는 기간
 
167. 비디콘  (vidicon)
 
  광도전형 저속도 빔 촬상관
 
168. 비점 수차  (astigmatism)
 
  전자 렌즈의 초점 거리가 원둘레 방향으로 불균일하기 때문에 생기는 수차
 
169. 비점 주사관  (flying-spot scanner tube)
 
  피사체 위를 광점 주사하기 위한 광원으로서 주사 휘점을 형광면상에 발생하도록 설계된 음극 선관
 
170. 비틀림 모멘트 시험  (torsional moment test)
 
  베이스와 외부 용기 사이에 비틀림 작용을 주로 모멘트를 가함으로써 베이스 부착강도를171. 빔 로딩 어드미턴스  (baeam loading admittance)
 
  처음에 변조되어 있지 않은 전자 빔이 간극을 통과함으로써 생기는 간극 전자 어드미턴스 
 
172. 빔 전류  (baem current)
 
  전자 빔의 절단면에 통하는 전류
 
173. 빔 조절 코일  (beam alignment)
 
  전자 빔을 전자 광학계의 축에 평행하게 하기 위한 조정
 
174. 빔 조절 코일  (beam alignment coil)
 
  빔 얼라인먼트 하기 위한 코일
 
175. 빔 출력관  (beam-power tube)
 
  전력 증폭용의 4극관으로서 전자류가 빔 모양인 것.
 
176. 빔각  (beam angle)
 
  크로스오버점으로부터 나와 있는 원뿔형의 전자 빔의 입체각
 
177. 사디리꼴 왜곡  (trpezium distortion)
 
  편향 전자계의 불균일성 때문에 사각형 모양이 사다리꼴로 되는 왜곡
 
178. 산탄 잡음, 숏 잡음  (shot noise)
 
  음극으로부터 전자 방출의 불규칙한 변동에 따라 출력 중에 포함되어 있는 잡음으로서 그 값이 주파수에 관계 없는 것.
 
179. 산화물 응극  (oxide cathode)
 
  금속 위에 알칼리 토금속의 산화물을 피복한 활성면을 갖는 음극
 
180. 상호 컨덕턴스  (mutual conductance)
 
  제어 그리드 대 양극 사이의 트랜스 컨덕턴스
 181. 새도-마스크  (shadow mask)
 
  3원색 발광을 하는 형광체를 칠하여 분리한 형광면 앞에 둔 구멍이 많은 금속판으로서, 3줄의 전자 빔이 이 구멍에 집중되어, 이것을 통과한 후 각각의 원색 형광체에 닿게 구성된 것.
 
182. 색수차  (chromatic aberration)
 
  전자 렌즈의 초점 거리가 전자 속도에 따라 변화하기 때문에 생기는 수차
 
183. 생산 시험  (production test)
 
  제조자가 생상공정이 순조로운지를 확인하는 시험으로서, 생상 공정에 따라 좌우된다고 생각되는 대표적 특성에 대하여 하는 시험
 
184. 서브미니어처관  (subminiature tube)
 
  미니어처관보다도 더욱 작은 벌브를 사용한 수신관
 
185. 서지 전극 전류  (surge electrode current)
 
  역호 때 또는 외부 회로 단락 때와 같은 이상 상태에서 전극에 흐르는 전류
 
186. 설계 시험  (design test)
 
  제조자가 표준적 설계대로 되어 있는지를 확인하기 위하여 통상 생상공정에 따라 크게 영향을 받지 않는다고 생각되는 특성에 대하여 하는 시험
 
187. 설계 중심 정격  (design center rating)
 
  어떤 형의 전자관의 표준구가 표준의 사용 상태에서 넘어서는 안되는 한계값
 
188. 설계 최대 정격  (design maximum rating)
 
  어떤 형의 전자관의 표준구가 최악의 경우라도 넘어서는 안 되는 동작 조건 및 주위 조건의 한계값
 
189. 셰이딩  (shading)
 
  채생상에 보이는 휘도의 장소적 음영이며, 고속도 빔 촬영상관의 타깃에 있어서의 2차 전자 방사의 불균일로 인해서 생기는 현상
 
190. 소신호 이득  (small-signal gain)
 
  고주파 입력을 그것보다 내려도 이득이 변하지 않는 작은 입력 영역에서의 이득
191. 소이온 그리드  (de-ionizing grid)
 
  방전관의 그리드이며, 그 부근의 이온 제거를 조장해서 관 내의 두 영역을 서로 차폐하기 위한 것.
 
192. 송신관  (transmitting tube)
 
  대전력 송신의 증폭, 발진, 변조, 정류 등의 목적으로 설계된 진공관. 다만 일반적으로는 마이크로파관에 속하는 것을 제외한다.
 
193. 수랭관  (water cooled tube)
 
  물에 의하여 냉각되는 전자관
 
194. 수명  (life)
 
  지정된 동작 조건에서 지정된 특성이 수명 종지점에 달할 때까지의 시간
 
195. 수명 종지점  (life end point)
 
  수명 판정을 위하여 설정된 지정된 특성의 지정된 한계값
 
196. 수상관  (television picture tube, kinescope)
 
  텔레비전의 영상 신호를 형괌면에 화상으로 표시하기 위한 음극 선관
 
197. 수신관  (receiving tube)
 
  대전력 송신의 목적으로 사용하지 않는 소형 진공관으로서, 주로 소전력의 증폭 발진, 변조 검파, 정류 등의 목적으로 설계된 진공관. 다만 일반적으로는 마이크로파관에 속하는 것을 제외한다.
 
198. 수은 음극  (mercury-pool cathode)
 
  수은으로 된 음극
 
199. 수은 정류기  (mercury-pool rectifier)
 
  음극이 수은으로 되어 있는 정류기
 
200. 수은 증기 정류관  (mercury vapor-filled rectifier tube, mercury-arc rectifier tube)
 
  수은 증기를 봉입 가스로 하는 정류관
 201. 수차  (aberration)
 
  한 점으로부터 나온 전자 빔이 전자 렌즈의 각 점을 통한 후 한 점에 결상하지 않는 것.
 
202. 순방향 첨두 내전압  (peak forward voltage)
 
  전자관의 음극과 양극 사이에서 전류가 흐르는 방향으로 안전하게 가할 수 있는 최대 첨두 전압
 
203. 순시 대역폭  (instantaneous band width)
 
  주파수 이외의 동작 조건이 일정하게 유지된 증폭관의 이득이 규정한 한도까지박에 변화하지 않는 주파수의 폭
 
204. 스위칭 방전관  (gas-filled switching tube)
 
  송수신용 안테나를 같이 사용하는 마이크로파 펄스 응용 장치의 송수신 전환에 사용되는 방전관
 
205. 스커트  (skirt)
 
  전자관의 캡으로 단자 넓혀진 구조
 
206. 스템  (stem)
 
  엔벌로프의 리드선이 통하고 있는 부분을 말하며, 일반적으로 전극의 지지를 겸하고 있다.
 
207. 스트로보 방전관  (stroboscopic tube)
 
  주기적으로 광을 점멸할 수 있도록 설계된 방전관
 
208. 스티킹,버닝  (sticking burning)
 
  촬상관에서 피사체가 제거된 후에, 정 또는 부 극성의 상이 장시간 남는것.
 
209. 스파이크 누설 에너지  (spike leakage energy)
 
  고전력 마이크로파 펄스가 가해졌을 때, 스위칭 방전관이 충분히 점호하기 전의 짧은 시간 내에 스위칭 방전관을 통하여 수신기 쪽에 특히 대량으로 누설되는 마이크로파의 에너지
 
210. 스피것  (spigot)
 
  베이스 핀으로부터 길게 베이스의 중앙에 돌출해 있는 기둥

 211. 시동 간극  (starter gap)
 
  시동극과 시동을 위한 전압이 인가되는 다른 전극 사이의 방전로
 
212. 시동 전류  (striking current)
 
  주어진 양극 전압에서 주간격을 도전 개시시키기 위하여 필요한 시동 간격의 전류
 
213. 시동극  (starting eletrode)
 
  주방전 간격을 시동시키는 데 사용되는 전극
 
214. 신호 그리드  (signal grid)
 
  혼합관 및 주파수 변환관에서 신호를 가하는 그리드
 
215. 신호 전극  (signal electrode)
 
  촬상관으로부터 신호 출력을 취하기 위한 전극
 
216. 신호 전류  (signal current)
 
  출력 전류와 암전류의 차
 
217. 실패형 왜곡  (pincushion distortion)
 
  대칭축으로부터 전자 빔이 변위함에 따라 편향 감도가 증대함으로써 사각형 모양이 실패 모양으로 되는 왜곡
 
218. 실호  (misfire)
 
  방전해야 할 기간 내에 방전을 개시하지 않는 것.
 
219. 실효 간극 용량  (effective gap capacitance)
 
  간극 회로 어드미턴스의 허수부에 상당하는 정전 용량
 
220. 실효 입력(출력) 어드미턴스  (effective input admittance)
 
  실효 입력 어드미턴스의 역수
 
 221. 실효 입력(출력) 용량  (effective input capacitance)
 
  실효 입력 어드미턴스의 허수 성분을 각 주파수로 나눈값
 
222. 실효 입력(출력)임피던스  (effective input impedance)
 
  입력 전극 전압의 사인파 성분을 그 전극에 외부로부터 유입하는 전류의 사인파 성분으로 나눈 값. 다만 모든 전극에 규정의 전기적 조건을 주었을 경우의 것.
 
223. 싱글 엔드  (single end)
 
  전자관에서 단자가 한 쪽으로만 나와 있는 것. 보통의 수신관에서는 캡이 달려 있지 않은 것이 이에 속한다.
 
224. 싱크  (sink)
 
  리케도 중에서 반사 계수의 위상의 변화에 의하여 생기는 주파수의 변화량을 위상의 변화량으로 나눈 값이 최대가 되는 영역
 
225. 아이코노스코프  (iconoscope)
 
  전하상을 축적할 수 있는 모자이크상 감광면을 갖는 고속도 빔 촬상관
 
226. 아크 방전관  (arc discharge tube)
 
  아크 방전의 영역에서 동작하는 방전관
 
227. 아크 손실  (arc loss)
 
  고전력 마으크로파 펄스에 의하여 점호되어 있는 스위칭 방전관이 마이크로파의 전송에 대하여 표시한 감쇠량
 
228. 아크 전력 손실  (arc-drop loss)
 
  아크에 소비되는 전력
 
229. 아크 전압 강하  (arc-drop, arc-drop voltage)
 
  통전 기간에서의 양극과 음극 사이의 전압
 
230. 암전류  (dark current)
 
  입사광이 없을때의 타깃 누설 전류
 
 231. 양극 그리드  (anode grid)
 
  주파수 변환관의 자려 발진부의 양극에 해당하는 그리드
 
232. 양극 전자 방출  (plate emission)
 
  양극으로부터의 1차 및 2차 전자 방출
 
233. 양극, 야노드, 플레이트  (anode, plate)
 
  전자류의 주요부분을 수집하여 외부 회로에 전류를 흘리기 위한 전극
 
234. 양극편  (anode segment)
 
  마그네트론의 양극에 인접한 두 작용 간극 사이의 금속 부분
 
235. 어깨 높이  (base seat to hold down line)
 
  베이스의 밑면으로부터 관구의 어깨 평면까지의 걸. 이 어깨 평면이란 지정의 링 게이지를 관구상에 이것과 동축 동심으로 얹었을 때의 게이지의 아랫면을 말한다.
 
236. 억제 그리드  (suppressor grid)
 
  양극으로부터 방출된 2차 전자가 차폐 그리드에 도달하는 것을 억제하기 위하여 두 전극 사이에 둔 그리드로서 일반적으로 음극의 전위로 유지된다.
 
237. 에너지 감도  (energy sensitivity)
 
  촬상관의 광전 음극면을 균일하게 조사했을 경우의 출력신호 전류를 입력 방사에너지로 나눈 값
 
238. 에미션 안정도  (emission stabilty)
 
  히터 전압을 감소 시켰을 때, 마그네트론이 소정의 모드의 발진을 안정하게 지속하는 능력
 
239. 엑사이트론  (excitron)
 
  가동의 시동극과 여호극을 갖는 단양극 수은 정류기
 
240. 엔벌로프  (envelope)
 
  전극을 넣는 밀폐된 용기
241. 여진 그리드  (driving grid)
 
  혼합관에서 타려 발진에 의하여 생긴 신호를 가하는 그리드
 
242. 여호극  (excitation keep alive electrode)
 
  주양극으로부터 출력을 취하지 않을 경우 수은의 음극 휘점을 유지하기 위한 전극
 
243. 역방향 첨두 내전압  (peak inverse voltage)
 
  전자관의 음극과 양극 사이에서 전류 저지 방향으로 안전하게 가할 수 있는 최대 첨두 전압
 
244. 역호  (back fire, arc back)
 
  전류가 역방향으로도 흘러서 정류 작용을 잃는 현상
 
245. 연속파 마그네트론  (C.W. magnetron)
 
  직류, 상용 교류 또는 비평활 정류 양극 전원을 사용하여 동작시키도록 설계된 마그네트론
 
246. 열 음극 그리드 제어 방전관, 사이러트론  (thyratron)
 
  양극 저뉼의 시동을 제어할 수 있는 하나 또 그 이상의 그리드를 갖는 열 음극 방전관
 
247. 열막이  (heat-shield)
 
  열방사 손실을 감소시키기 위하여 열음극을 둘러싼 금속 부품
 
248. 열음극  (hot cathode)
 
  열전자 방출을 하기 위한 음극
 
249. 열적 동조, 온도 동조  (thermal tuning)
 
  마이크로파관 내 기구의 일부의 제어된 열팽창을 이용하여 발진 주파수를 변화시킨 것.
 
250. 열전자 방출  (thermionic emission)
 
  전자가 열 에너지에 의하여 고체나 액체면으로부터 방출되는 것.
 251. 영 전계 방출 전류  (field-free emission current)
 
  음극 표면의 전위 기울기가 영인 상태에서의 음극으로부터의 1차 전자 방출 전류
 
252. 영구 단락  (permanent short)
 
  진동, 충격 등에 의한 가속도를 가하지 않을 경우라도 전극 사이가 단락되어 있는 상태
 
253. 영상 변환관  (image converter tube)
 
  불가상을 가시상으로 변환하는 영상관으로 적외선용이 많다.
 
254. 영상 아이코노스코프  (image iconoscope)
 
  타깃이 모자이크상으로 되어 있는 이미지형 고속도 빔 촬상관
 
255. 영상 오르시콘  (image orthicon)
 
  타깃의 감광면 쪽에 축적된 전하상을, 그와 반대쪽으로부터 주사하는 영상형 저속도 빔 촬상관
 
256. 영상 증강관  (image intensifier tube)
 
  형광면에 휘도가 증가된 상을 발생하도록 설계된 영상관
 
257. 영상관  (image tube)
 
  광학상을 입사시킨 광전면으로부터 나오는 광전자류를 전자 렌즈를 사용하여 형광면 위에 결상시킴으로써 가시상을 재생하는 전자 선관
 
258. 예열 시간  (preheating time)
 
  전자관을 동작시키기 전에 미리 규정의 전극에 규정의 전압을 가해 두는 시간
 
259. 오르시콘  (orthicon)
 
  전하상을 축적할 수 있는 모자이크상 감광면을 갖는 저속도 빔 촬상관
 
260. 오실로스코프관  (oscillograph tube, oscilloscope tube)
 
  주로 시간과 함께 변화하는 전기적 양의 그래프 표시를 가시상으로 주기 위하여 사용되는 음극 선관
 
 261. 옥탈 베이스  (octal base)
 
  핀 서클 지름 17.45㎜이고, 등간격의 8개의 핀을 가지며, 키가 있는 스피것을 갖춘 베이스
 
262. 외형 게이지  (outline gauge)
 
  전자관의 외형 치수 또는 모양을 검사하기 위한 게이지 
 
263. 웨이터 베이스  (wafer base)
 
  베이스가 엷은 원판 모양의 절연물 또는 이것과 다른 구조물의 조합으로 되어 있을 경우, 이 원판 모양의 베이스
 
264. 위상 속도  (phase velocity)
 
  전자 빔이 없을 때 저속파 회로를 전파하는 파의 위상 속도
 
265. 위치 게이지  (position alignment gauge)
 
  전자관의 베이지 핀 위치, 가이드 위치, 사이드 핀 위치 등을 검사하기 위한 게이지로서, 전자관과 소켓 등 사이의 들어맞는 정도를 조사하는데 사용한다.
 
266. 유리 스트레인 시험  (glass strain test)
 
  유리관이 터지는 정도를 조사하기 위하여 시험할 관을 끓는 물과 냉각수에 번갈아 담갔을 때, 공기 누설이나 크랙의 유무를 조사하는 시험
 
267. 음극 가열 시간  (cathode warm-up time)
 
  음극 가열 회로를 "온"으로 하고부터 음극 전류계의 진동이 최대로 되어 순간적으로 정지할 때까지의 시간
 
268. 음극 선관, 브라운관  (cathode-ray tube, CRT)
 
  전자 빔을 어떤 면상의 작은 스폿으로 집중시켜 그 스폿의 위치와 전류 밀도를 변화시킴으로써 가시 또는 다른 검출 가능한 패턴을 발생하는 전자 선관
 
269. 음극 예열 시간  (cathode warm-up time)
 
  다른 전극에 전압을 가하기에 앞서 미리 히터 전압을 가해 둘 필요가 있는 최소 시간
 
270. 음극 중간층 임피던스  (cathode interface impedance)
 
  산화물 피복 음극의 대금속과 피복 사이에 생성된 중간층의 임피던스
 271. 음극 효율  (cathode activity)
 
  전자관의 각 전극에 표준의 전압을 주었을 경우의 특성 값과 히터 전압 또는 필라멘트 전압을 지정값으로 떨어뜨릴 경우의 특성값과의 비
 
272. 음극 휘점  (cathode spot)
 
  음극 표면의 일부에 전류가 집중해서 발광하는 부분
 
273. 음극, 캐소드  (cathode)
 
  전자 방출을 하기 위한 전극
 
274. 음영 전극  (shadow electrode)
 
  형광 지시관에서 전자류를 편향 제어하여 광면 위의 음영을 변화시키기 위해서 둔 전극
 
275. 이계 전압, 컷오프 전압  (critical voltage, cut-off voltage)
 
  주어진 자속 밀도에서 음극으로부터 속도 영(0)으로 방출된 전자가 양극에 도달하지 않는 조건을 만족하는 최고의 양극 전압의 이론값
 
276. 이그나이터  (ignitor)
 
  수음 음극에 그 일부가 잠긴 고정 시동극
 
277. 이그나이터 인터액션  (primer interaction)
 
  삽입 손실 또는 무부하 시, Ｑ값 등의 스위칭 방전관의 마이크로파 특성이 이그나이터 전극의 점화에 의해서 변화하는 것.
 
278. 이그나이터 전극  (ignitor electrode)
 
  스위칭 방전관에서 마이크로파 방전의 방전 개시를 빠르게 하기 위하여 둔 전극 
 
279. 이그나이터 점화 시간  (primer ignition period)
 
  이그나이터 전극에 규정의 전압을 가한 후 이그나이터의 점화가 완료하기까지의 시간
 
280. 이그나이트론  (ignitron)
 
  고정된 이그나이터에 으하여 방전을 시동하는 단양극 수은 정류기
 
 281. 이미지형 촬상관  (image camera tube)
 
  타깃과 분리한 감광면을 가지며, 방전된 광전자 타깃상에 전자상을 결상하는 광전면형 촬상관
 
282. 이온 가열 음극  (ionic-heated cathode)
 
  전자 방출면이 주로 이온의 충돌에 의하여 방열되는 음극
 
283. 이온 연소  (ion burning)
 
  관 내에 생긴 이온이 형광면에 충돌하여 발광능력이 떨어지는 것.
 
284. 이온 전류, 가스 전류  (ionic current, gas current)
 
  관 내에 흐르는 전자와 전자와 잔류 기체 분자의 충돌에 의하여 생기는 양 이온의 흐름 또는 전극에 유입하는 전류
 
285. 이온 트랩  (ion trap)
 
  전자 빔으로부터 이온을 제거하여 형광면의 이온 손상을 방지하기 위한 것.
 
286. 이온화 시간  (ionization time)
 
  이온화에 의하여 도전적으로 되기 시작해서부터 그것이 정상적으로 되기까지의 기간
 
287. 인젤 효과  (island effect)
 
  그리드선 피치가 그리드 음극간의 간격보다 넓은 경우, 음극으로부터의 전자 방출이 음극상의 각 부분에 있어서 현저하게 불균일하게 되는 것.
 
288. 입력 공동  (input resonator)
 
  입력신호에 의하여 여진되어 전자류를 변조하는 공진 공동
 
289. 입력 용량  (input capacitance)
 
  입력 전극의 전극 용량
 
290. 입력 전극  (input electrode)
 
  입력 신호를 인가하는 전극
 291. 입력 회로  (input circuit)
 
  제어 전압을 공급하기 위한 입력 전극에 접속한 외부 회로
 
292. 자계 렌즈  (electromagnetic lens)
 
  자계에 의하여 목적을 달성하는 전자 렌즈
 
293. 자계 집속  (magnetic focusing)
 
  자계형 전자 렌즈의 작용에 의한 전자 빔의 집속
 
294. 자계 편항  (magnetic deflection)
 
  자계의 작용에 의한 전자 빔의 편향
 
295. 자계 편향 음극 선관의 편향 감도  (deflection sensitivity of a magnetic-delfection cathode-ray tube)
 
  휘점의 변위를 편향 자계의 변화분으로 나눈 값
 
296. 자기 바이어스  (self bias)
 
  외부 전원을 사용하여 그리드 전류 또는 음극 전류에 의한 저항 중의 전압 강화에 의하여 바이어스 전압을 얻는 것.
 
297. 작용 간극  (interaction gap)
 
  간극으로된 작용 공간
 
298. 작용 공간  (interaction space)
 
  마이크로파 전자관 내의 전자류와 고주파 전자계가 서로 작용을 미치는 부분
 
299. 잔광  (persistence, afterglow)
 
  형광면의 전자 충력을 감소하거나 제거한 후에 발광이 감쇠하면서 지속하는 현상
 
300. 잔광 특성  (persistence characteristic, decay characteristic)
 
  잔광의 세기와 경과 시간의 관계로서 일반적으로 그래프로 표시된다.
 
 301. 잔상  (lag)
 
  촬상관내의 입사광 강도를 규정값으로 부터 급히 영으로 했을 경우, 출력 신호의 크기가 즉시 영으로 되지 않고, 점차로 감소하는 것.
 
302. 재기 전압  (restriking voltage)
 
  충분히 이온을 제거하기에 앞서 인가 전압이 증대 하여 방전이 다시 개시하는 양극 전압
 
303. 저속도 빔 촬상관  (low-velocity beam camera tube)
 
  타깃의 평형 전위가 전자총 음극의 전위와 거의 같은 값으로 되는 저속도의 전자 빔으로 주사하는 촬상관
 
304. 저속파 회로, 지연파 회로  (slow-wave structure)
 
  전자류 통로에 따라 계속적으로 전자류와 고주파 전자계를 상호 작용시키므로 전자의 속도에 가까운 저위상 속도로 전자파를 전파시키는 주기 구조
 
305. 저지 기간  (blocking period)
 
  휴지 기간 중에서 그리드의 작용에 의하여 방전을 하지 않는기간
 
306. 전 기동 시간, 시동시 안정 시간  (total starting time)
 
  기동 시간과 음극 예열 시간의 합
 
307. 전 반사 전극 전류  (total reflector current)
 
  반사 전극 회로에 흐르는 전류로서, 누설 전류, 가스 전류, 반사 전극의 전자 충격에 의하여 생기는 전류를 포함한다.
 
308. 전계 렌즈  (electrostaic lens)
 
  정전계에 의하여 목적을 달성하는 전자 렌즈
 
309. 전계 집속  (electrostatic focusing)
 
  전계형 전자 렌즈의 작용에 의한 전자 빔의 집속
 
310. 전계 편항  (electrostatic deflection)
 
  전계의 작용에 의한 전자 빔의 편향
 311. 전계 편향 음극 선관의 편향 감도  (deflection sensitivity of an electrostatic-deflection cathode-ray tube)
 
  휘점의 변위를 편향 전압의 변화분으로 나눈 값
 
312. 전극  (electrode)
 
  전자 또는 이온의 방출, 포집 또는 전계에 의하여 그들의 운동을 제어하는 여러 작용 중에서 하나 또는 그 이상을 하는 도전성의 구성요소.
 
313. 전극 리액턴스  (electrode reactance)
 
  전극 임피던스의 허수 성분
 
314. 전극 방열판  (electrode radiator)
 
  전극에 발생하는 열의 방산을 쉽게 하기 위하여 전극에 부착한 금속편
 
315. 전극 서셉턴스  (electrode susceptance)
 
  전극 어드미턴스의 허수 성분
 
316. 전극 손실  (electrode dissipation)
 
  전자 또는 이온의 충격 및 다른 전극으로부터 열방사에 의하여 전극에서 열의 형태로 소비되는 전력
 
317. 전극 어드미턴스  (electrode admittance)
 
  전극 임피던스의 역수
 
318. 전극 연전류  (invers electrode current)
 
  설계된 전류 방향과 반대로 흐르는 전극 전류
 
319. 전극 용량  (electrode capacitance)
 
  하나의 전극과 다른 모든 전극을 한데 묶은 전극 및 금속 부분 사이의 정전 용량
 
320. 전극 임피던스  (electrode impedance)
 
  전극 전압의 사인파 성분을 그 전극에 외부로부터 유입한 전류의 사인파 성분으로 나눈 값. 다만 다른 전극 전압을 일정하게 유지했을 경우의 것.
321. 전극 저항  (electrode resistance)
 
  전극 임피던스의 실수 성분
 
322. 전극 전류  (electrode current)
 
  전극 사이 공간으로부터 전극을 통해서 회로에 유입 또는 유출하는 전류
 
323. 전극 전류 평균 시간  (electrode-current averaging time)
 
  전극의 허용 손실을 정의할 경우에 전류를 평균하는 시간
 
324. 전극 전압  (electrode voltage)
 
  어떤 전극과 음극 또는 필라멘트의 특정 단자 사이의 전압
 
325. 전극 지지체  (electrode support)
 
  전극을 적절한 위치로 지지하는 부품
 
326. 전극 컨덕턴스  (electrode conductance)
 
  전극 어드미턴스의 실수 성분
 
327. 전극 특성  (electrode characterisitic)
 
  어던 전극의 전류와 전압의 관계로서 일반적으로 그래프로 표시한다. 다만 다른 전극 전압을 일정하게 유지한다.
 
328. 전극간 용량  (interelctrode capacitance)
 
  임의의 두 전극간의 정전 용량으로서, 다른 모든 전극 및 금속 부분을 접지했을 경우의 것.
 
329. 전극계의 최대 절단면  (major cross-section of tube element)
 
  전극계의 축을 포함하고, 이면에서 전극계를 전단 했을 때 면적이 최대가 되는 면
 
330. 전극계의 축  (main axis of tube elements)
 
  음극 또는 필라멘트의 중심을 통해서 그리드 지주, 양극 지주 등에 평행인 축
 
 
331. 전기 신호 축적관  (electric-signal storage tube)
 
  입력 출력 모두 정보가 전기 신호의 형태를 취하는 축적관
 
332. 전류  (commutation)
 
  인접한 두 방전로 사이의 전류의 전의
 
333. 전압 변동 범위  (regulation)
 
  일정 범위의 양극 전류에 대응하는 최대 양극 전압과 최소 양극 전압의 차
 
334. 전위 기준점  (reference point of potential)
 
  전극에 전압을 가할 때 기준으로 하는 전위점으로서 원칙적으로 접지한다.
 
335. 전위 저감 컬렉터  (depressed collector)
 
  효율을 높일 목적으로 작용 공간의 직류 전위 보다 낮은 전위에서 동작하도록 설계된 컬렉터
 
336. 전위계관  (electrometer tube)
 
  대단히 큰 내부 저항을 갖는 신호원으로부터의 전압을 측정하기 위해서 입력 저항을 대단히 크게 한 진공관
 
337. 전자 동조  (electronic tuning)
 
  전자류의 속도, 전류 밀도 등을 변화시킴으로써 발진 주파수를 변화시키는 것
 
338. 전자 렌즈  (electron lens)
 
  전자 빔의 집속 또는 발산을 제어하도록 선계된 것.
 
339. 전자 반사경  (electron mirror)
 
  전자 빔을 전반사시키도록 설계된 것
 
340. 전자 방출  (electron emission)
 
  고체 또는 액체 내의 전자가 온도 상승이나 입사광 또는 전자와의 충돌에 의하여 그 에너지를 증가시켜 고체 또는 액체 표면에 있는 장벽을 넘어 외부에 방출되는 것.
 
341. 전자 방출 특성  (electron emission charateristic)
 
  전자 방출량과 방출 작용을 제어하는 히터 또는 필라멘트의 전류, 전압 등의 요인과의 관계를 나타내는 특성
 
342. 전자 빔 투과율  (electron beam transimmion efficiency)
 
  컬렉터에 포집된 빔 전류를 전 빔 전류로 나눈 값
 
343. 전자 빔, 전자선  (electron beam)
 
  국한된 영역 내의 괘도를 운동하는 전자 다발
 
344. 전자 주행 시간  (electron transit time)
 
  주어진 2점 사이를 전자가 주행하는데 필요한 시간
 
345. 전자 주행각  (electron transit angle)
 
  주어진 2점 사이를 전자가 주향하는 데 필요한 시간과 각 주파수와의 곱
 
346. 전자 증배관, 2차 전자관  (electron multiplier tube, secondary-emission tube)
 
  1개 또는 2개 이상의 다이오드 전극에 의하여 2차 전자 증배를 하는 것을 주목적으로 하는 전자관 
 
347. 전자 증배부  (electron multiplier)
 
  입사 전자류를 한 개 이상의 다이노드에 의하여 전류 증폭하는 부분
 
348. 전자 효율  (electronic efficiency)
 
  작용 공간에서 전자 빔으로부터 고주파 회로에 공급된 고주파 출력을 전자 빔에 가해지는 직류 입력으로 나눈 값
 
349. 전자관  (electron tube)
 
  밀폐된 용기 속에서 전자 또는 이온이 진공 또는 가스 속을 운동함으로써 전기 전도를 생기게 하는 전자 장치
 
350. 전자관 외형도  (tube outline drawing)
 
  서로 바꿀 수 있는 요구 치수가 포함된 완성 전자관의 외형의 도면
 
 351. 전자선관  (electron beam tube)
 
  전자선의 형성, 집속, 편향 및 전류 제어 등을 하는 여러 개의 전극을 갖는 전자관
 
352. 전자선관의 분해능  (resolving power of an electron beam tube)
 
  전자 선관에 도입 또는 이로부터 꺼낼 수 있는 정보량의 척도이며, 일반적으로 비트 수, 스폿 수, 주사선 수 또는 사이클 수로 표시한다.
 
353. 전자총  (electron gun)
 
  전자 빔의 생성 및 빔 전류값을 제어하는 전극 구성체
 
354. 전진파  (forward wave)
 
  위상 속도와 군속도가 같은 방향인 진행파
 
355. 전체 길이  (overall length)
 
  땜납 완성부를 포함한 전자관 전체의 길이. 다만 서브미니어처관과 같이 리드선이 구부러지기 쉬운 경우에는 리드선은 전체 길이에 포함하지 않는다.
 
356. 전하 잠상  (latent charge image)
 
  촬상관의 타깃면 위에 광학상에 대응하여 형성된 전화상
 
357. 전하 축적관  (charge storage tube, electrostatic memory tube)
 
  절연물 위에 정전하의 형태로 정보가 저장되는 축적관
 
358. 절대 최대 정격  (absolute maximum rating)
 
  개개의 전자관에 적용되는 동작 조건 및 주위 조건의 최고 제한 값으로서, 최악의 상태에서도 이것을 초과해서는 안되는 것.
 
359. 점화 시간  (firing time)
 
  고전력 마이크로파 펄스를 가한 순간으로부터 스위칭 방전관이 점호할 때까지 걸리는 시간
 
360. 접속핀  (contact pin)
 
  소켓의 속에 끼우는 금속 핀이며, 전자관의 구성 요소에 접속되어 있어 전극과 외부 회로의 전기적 접속을 완전히 하고, 동시에 관을 소켓에 기계적으로 고정시키기 위한 것.
 361. 정류  (rectification)
 
  교류 전압 또는 펄스 전압을 2극관의 비직선성을 이용하여 직류로 변환하는 것.
 
362. 정류 방전관  (gas-filled rectifier tube)
 
  정류의 기능을 갖는 방전관
 
363. 정전 기록관  (electrostatic recording tube)
 
  페이스 플레이트에 세운 한 줄 또는 몇 줄의 핀을 갖고, 화상 신호로 변조된 전자 빔으로, 이 핀열을 주사함으로써 페이스 플레이트에 접촉해서 이동하는 기록지상에 전하 잠상을 기록하는 전자 선관
 
364. 정전압 방전관  (voltage stabilizing tube)
 
  양극 전류의 어떤 범위에 걸쳐 방전 유지 전압이 거의 일정하게 되도록 설계된 글로 또는 코로나 방전관
 
365. 정지점  (quiescent point)
 
  바이어스 전압에 대응하는 특성 곡선상의 점
 
366. 정특성  (static characteristic)
 
  직류 또는 저주파에서 부하 임피던스가 영인 상태에서의 전자관의 특성
 
367. 제어 그리드  (control grid)
 
  일반적으로 음극과 양극사이에 둔 그리도로서, 전극 사이에 흐르는 전자류를 제어하기 위한 전압이 가해진다.
 
368. 제어 전극  (control electrode)
 
  전자류의 크기, 속도 또는 방향을 제어하기 위한 전극
 
369. 제어 특성  (control characteristic)
 
  방전 개시 그리드 전압과 양극 전압 사이의 관계로서, 일반적으로 그래프로 표시된다.
 
370. 제어비  (control ratio)
 
  주어진 동작 조건에서 양극 전압의 변화를 방전 개시 그리드 전압의 변화로 나눈 값

 371. 제n그리드  (grid number n)
 
  음극에 가장 가까운 그리드로부터 차례로 번호를 매겨 n번째의 그리드
 
372. 좌고  (seated heigth)
 
  베이스 밑면으로부터 관구의 정수리부까지의 거리
 
373. 주간극  (main gap)
 
  주양극과 음극 사이의 방전로
 
374. 주사  (scanning)
 
  화상을 그 화소의 시간 계열로 분해하는 것.
 
375. 주사선  (scanning line)
 
  주사점을 따라 가는 궤적
 
376. 주양극  (main anode)
 
  부하 전류를 취하는 양극을 보조 양극으로부터 구별하는 것.
 
377. 주파수 동조 범위, 가변 주파수 범위  (frequency tuning range)
 
  마이크로파관을 규정의 조건으로 동작시켜 정해진 최소값 이상의 출력 또는 이득을 얻으면서 변화시킬 수 있는 주파수 범위
 
378. 주파수 판변  (frequency discrimination)
 
  주파수 변조파로부터 원신호파를 진폭변화로 하여 검출해 내는 것.
 
379. 중첩각  (overlap angle)
 
  인접한 두 방전로에 동시에 전류가 흐르고 있는 시간을 전기작으로 표시한 것.
 
380. 증발 냉각관  (vapor cooled tube)
 
  물 등의 기화열에 의하여 냉각되는 전자관
 381. 증폭  (amplification)
 
  입력 신호를 확대해서 보다 큰 출력을 얻는 것. 취급하는 주파수, 요구되는 대역 폭에 따라 적절한 전자관 및 증폭 회로가 사용된다.
 
382. 증폭 상수, 증폭률*, 뮤  (amplification factor*, mu factor)
 
  양극 전류를 일정하게 유지했을 경우의 양극 전압의 변화를 제어 그리드 전압의 변화로 나눈 값.
 
383. 직류 그리드 바이어스  (DC grid bias)
 
  그리드 전압의 직류 성분으로서, 일반적으로 그리드 바이어스와 같다.
 
384. 직시형 축적관  (display storage tube)
 
  전기 신호로서 도입된 정보를 형광면상의 지속 가시상으로 표시할 수 있도록 설계된 축적관
 
385. 직열 음극, 필라멘트, 필라멘트 음극  (directly heated cathode, filament, filamentary cathode)
 
  음극 자신에 가열 전류를 흘리는 열음극으로서, 일반적으로 선 또는 리본 모양으로 되어 있다.
 
386. 직진형 클라이스트론  (linear beam klystron)
 
  전자총과 컬렉터 사이에 두개 이상의 작용 간극을 갖는 클라이스트론
 
387. 진공관  (vacuum tube)
 
  전기적 특성이 잔류 가스 또는 증기의 전리에 따라 실질상으로 영향을 받지 않을 정도로 배기된 전자관
 
388. 진폭 변조도  (amplitude response modulation)
 
  흑백 도형 도는 패턴을 세분해 갔을 때의 신호 전류와 기준 흑백 도형 또는 패턴에 대응한 신호 전류의 진폭 비
 
389. 진행파관  (travelling-wave tube)
 
  전자 빔이 저속파 회로상을 전파하는 연속적으로 상호 작용을 하는 O형 마이크로파관
 
390. 집속  (focusing)
 
  전자 빔의 퍼져 있는 것을 모아 그 단면적을 작게 하거나 또는 일정하게 유지하는 것.
 
 391. 집속 자석  (focusing magnet)
 
  전자 빔을 접속하기 위한 자계를 발생시키는 영구 자석 또는 전자석
 
392. 집속 전극  (focusing electrode)
 
  전자 빔을 접속하기 위한 전극
 
393. 집속 전극 접압  (electrostatic focusing potentials)
 
  전계 집속을 사용하는 전자관의 소정의 집속 전극에 가해지는 전압
 
394. 집속 코일  (focusing coil)
 
  전자 빔을 접속하기 위한 자계를 발생시키는 코일
 
395. 집중  (convergence)
 
  다빔 컬러 수상관에서 각 전자 빔이 한 점에 교차하는 것.
 
396. 집중 자석  (convergence magnet)
 
  집중을 제어하기 위한 자석
 
397. 집중 전극  (convergence electrode)
 
  집중을 제어하기 위한 전극
 
398. 집중면  (convergence surface)
 
  집중이 일어나는 면
 
399. 차폐  (shield)
 
  외부로부터의 정전적 및 자기적 유도, 열원으로부터의 열방사, 게터 등 뛰는 영향으로부터 전자 전체 또는 일부를 차폐할 목적으로 둔 것으로서, 각각의 역할에 따라 적절한 재료나 구조를 갖고 있다.
 
400. 차폐 그리드  (screen grid)
 
  양극과 제어 그리드를 정전적으로 차폐하기 위해서 양자 사이에 둔 그리드로서, 일반적으로 고정된 정전 위로 유지된다.
 
 401. 차폐 그리드  (shield grid)
 
  제어 전극을 양극 또는 음극으로부터의 열 방사, 스패터링 및 정전적 양향으로부터 보호하기 위한 그리드
 
402. 착색 유리 수상관  (tinted-glass gace-plate picture tube)
 
  외부 빛에 의한 화상의 콘트라스트 저하를 방지하기 위하여 관 투과율을 감소시키는 페이스 플레이트를 갖는 수상관
 
403. 참고 시험  (reference test)
 
  제조자가 설계 기준을 통일해서 호환성을 갖게 하고, 또 그 설계를 확인하기 윟여 필요에 따라 하는 시험
 
404. 첨두 부펄스 그리드 전압  (peak negative-puse grid voltage)
 
  그리드 회로에 발생하는 펄스 전압의 부의 최대값으로서, 양극 직류 전압도 포함한다.
 
405. 첨두 부펄스 양극 전압  (peak negative-pulse plate voltage)
 
  양극 회로에 발생하는 펄스 전압의 부의 최대값으로서, 양극 직류 전압도 포함한다.
 
406. 첨두 음극 서지 전류  (peak cathode current (surge))
 
  음극에 흐르는 전극 서지 전류의 최대 순서값
 
407. 첨두 음극 전류  (peak cathode current (stready state))
 
  주기적인 음극 전류의 최대 순시값
 
408. 첨두 전류  (peak current)
 
  맥동 전류의 최대치
 
409. 첨두 정펄스 양극 전압  (peak positive-pulse plate voltage)
 
  양극 회로에 발생하는 펄스 전압의 정의 최대값으로서, 양극 직류 전압도 포함한다.
 
410. 초속도 전류  (initial velocity current)
 
  방출전자가 갖는 초속도 때문에 음극 표면의 전계가 영 또는 부라고 하더라도 음극면으로부터 방출되는 전자류, 또는 음극보다 부전위의 전극에 유입하느 ㄴ전자류
 411. 초속도 전류 보상  (initial current compensation)
 
  전자의 초속도에 의하여 흐르는 전류가 측정에 영향을 줄 경우, 이것을 상쇄하는 전압을 걸어서 방향을 제거하는 것.
 
412. 촬상관  (camera tube, imagepick-up tube)
 
  광학상을 텔레비전 영상 신호로 변환하는 전자선관으로서 일반적으로는 전자 빔 주사를 사용하고 있다.
 
413. 촬상형 축적관  (storage camera tube)
 
  입력이 광학상이고, 출력이 전기 신호인 축적관
 
414. 최대 정격  (maximnm rating)
 
  전자관의 동작 및 사용 조건의 허용 최대 한계값
 
415. 최대 지름  (maximum diameter)
 
  전자관 단면의 지름이 최대인 부분의 지름 또는 장경
 
416. 최소 동작 전력  (minimum firing power)
 
  스위칭 방전관에서 규정의 이그나이터 전류를 흘린 상태에서 고주파 방전을 개시하는 데 필요한 최소의 고주파 전력
 
417. 축적 타깃  (storage target)
 
  절연체 또는 반도체의 층으로서, 그 면상에 전하 밀도형이 축적되어 그로부터 정보가 취해지는 것.
 
418. 출력 공동  (output resonator)
 
  밀도 변조된 전자류에 의하여 여진 되어 외부 부하에 출력을 공급하기 위한 공징 공동
 
419. 출력 용량  (output capactiance)
 
  출력 전극의 전극 용량
 
420. 출력 전극  (output electrode)
 
  출력 신호를 꺼내는 전극

 421. 출력 전력  (output power)
 
  전자관의 출력 전극으로부터 부하에 공급되는 전력
 
422. 출력 전류  (output current)
 
  신호 전극으로부터 얻은 전류
 
423. 출력 전류  (output current)
 
  전자관의 출력 쪽 부하에 흐르는 전류
 
424. 출력 전압  (output voltage)
 
  전자관 출력 쪽의 부하 양끝에 발생하는 전압
 
425. 출력 회로  (output circuit)
 
  부하 임피던스를 주기 위하여 출력 전극에 접속한 외부 회로
 
426. 측로, 바이패스  (by-pass)
 
  저항 등에 병령로 충분히 큰 값의 정전 용량을 접속함으로써 교류적으로 이것을 단락하는 것.
 
427. 측적관  (storage tube)
 
  정보의 기록, 유지, 읽기 및 소거 등의 작용을 하도록 설계돈 전자 선관
 
428. 캡  (cap)
 
  단독의 전극을 외부 회로에 접속하기 위하여 사용하는 엔벌로프상의 작은 모자 모양의 금속
 
429. 컬러 수상관  (color picture tube)
 
  화상을 형광면상에 휘도와 색도의 양쪽으로 재생하도록 설계된 수상관
 
430. 컬렉터  (electron collector)
 
  마이크로파관 내에서 이미 역할을 끝낸 전자를 포집하는 전극
 
 431. 컷오프 전압, 차단 전압  (cut-off voltage)
 
  음극으로부터의 전자류를 정해진 낮은 값으로 하기 위하여 가해지는 전극 전압
 
432. 코로나 방전관  (corona discharge tube)
 
  코로나 방전의 영역에서 동작하는 방전관
 
433. 콘, 퍼널  (cone, funnel)
 
  음극 선관 엔벌로프의 넓어진 부분
 
434. 크로마트론  (chromatron tube)
 
  3원색 형광첼의 선 가닥이 형광면에 번갈아 배열되어 있어 그 전면에 이것과 나란히 둔 2조의 도선군에 전환 전압을 가함으로써 한 줄의 전자 빔을 3원색 형광체로 전환하여 발광시키는 컬러 수상관
 
435. 크로스오버, 교차점  (crossover)
 
  전자총의 음극의 전면에 생기는 빔의 단면적 최소의 부분
 
436. 클라이스트론, 속도 변조관  (klystron, velocity modulation tube)
 
  전지 빔이 그 진행 중에 공진 회로의 고주파 전계와 2회 이상 상호 작용을 하여 최초이 상호 작용으로 생긴 속도 변조가 후의 상호 작용까지의 사이에 밀도 변조에 변화하는 것을 특색으로 하는 O형의 마이크로파관
 
437. 클릭 · 스크래치 잡음  (click scratch noise)
 
  전자관을 두들겼을 경우에 생기는 이상 잡음 및 마이크로포닉 잡음의 일종으로서, 비교적 짧은 시간 동안 단속 하는 잡음
 
438. 키  (key)
 
  위치 안내물의 일종으로서, 베이스 밑면의 중앙에 원기둥이 돌출해 있고, 그 원기둥 측면의 한 쪽에 튀어나온 것으로, 이것이 소켓 중앙 구멍의 모양에 적합하도록 위치를 결정하게 하는 돌기 부분
 
439. 타깃  (target)
 
  전자 빔을 조사하는 전극
 
440. 통호  (arc-through)
 
  방전을 정지하여야 할 기간 내에 제어 작용을 잃어 순방향으로 전류가 흐르는 것.
 
 441. 투사형 수상관  (projection picture tube)
 
  광학계를 사용하여 형광면 화상의 투사상을 얻기 위하여 특별히 고휘도로 설계된 수상관
 
442. 트랜스 어드미턴스  (transadmittance)
 
  어떤 전극으로부터 다른 하나의 전극에 대한 트랜스 어드미턴스란, 제2의 전극의 전류의 사인파 성분을 제1의 전극의 전압의 사인파 성분으로 나눈 값을 말한다. 다만 나머지 전극 전압을 일정하게 유지했을 경우의 것.
 
443. 트랜스 컨덕턴스  (transconductance)
 
  어떤 전극으로부터 다른 하나의 전극에 대한 트랜스 컨덕턴스란, 제2의 전극의 전류의 사인파 성분을 제1의 전극의 전압의 사인파 동상 성분으로 나눈 값을 말한다. 다만 나머지 전극 전압을 일정하게 유지했을 경우의 것.
 
444. 팁  (tip)
 
  밀폐 공작 때 생긴 엔벌로프상의 작은 돌기
 
445. 파이모드  (π-mode(of a magnetron))
 
  한 개의 공동으로부터 다음 공동까지의 사이에 위상이 π라디안만 변화하는 동작 모드
 
446. 판극판  (planar electrode tube)
 
  판 모양 전극이 평행으로 배치된 전자관
 
447. 퍼비언스  (perviance)
 
  2극관에서는 공간 전하 제한 영역에서의 음극 전류와 양극 전압의 3/2승의 비. 3극관 또는 다극관에서는 양극 전압 대신에 등가 2극관 전압을 사용한 것.
 
448. 펄스 마그네트론  (pulsed magnetron)
 
  펄스 양극 전원을 사용하여 동작시키도록 설계된 마그네크론
 
449. 페이스 플레이트, 면판  (face-plate)
 
  음극 선관 엔벌로프의 투명하고 큰 단면으로서, 이것을 통하여 상을 보거나 투사하는 것.
 
450. 편향  (deflection)
 
  전계 또는 자계의 작용에 의하여 전자 빔의 방향을 변화시키는 것.
 
451. 편향 요크  (deflecting yoke)
 
  편향 자계를 발생하기 위하여 전자 선관에 부착한 것으로서 1조 또는 그 이상의 코일을 자심의 둘레에 부착한 것.
 
452. 편향 요크를 단 자계 편향 음극 선관의 편향 감도  (deflection sensitivity of a magnetic-deflection cathode-ray tube with yoke assembly)
 
  휘점의 변위를 편향 코일 전류의 변화분으로 나눈 값
 
453. 편향 전극  (deflection electrode)
 
  전자 빔을 편향하기 위한 전극
 
454. 편향 전류  (deflecting current)
 
  전자 빔을 편향시키기 위하여 편향 코일에 흘리는 전류
 
455. 편향 전압  (deflecting voltage)
 
  편향 전계를 발생시키기 위하여 편향판 사이에 가하는 전압
 
456. 편향 초점 이탈  (deflection defocusing)
 
  전자 빔을 편향시키면 휘점의 크기가 변하는 것.
 
457. 편향각  (deflection angle)
 
  편향에 의하여 전자 빔이 구부러지는 각도
 
458. 편향률  (deflection coefficient )
 
  편향 감도의 역수
 
459. 편향판  (deflector plates)
 
  2장 1조의 판 모양의 편향 전극
 
460. 평균 수명  (mean life)
 
  개개의 전자관의 수명 평균값
 
461. 평균 전극 전압  (mean electrode voltage)
 
  외부 회로의 직류 전압 강하 및 검파 작용으로 영향을 고려한 동적 동작 상태에서의 평균 전극 전압
 
462. 평탄부 누설 전력  (flat leakage power)
 
  고전력 마이크로파 펄스가 가해졌을 때, 스위칭 방전관이 점호되어 있는 시간 내에 수신기 쪽에 누설되는 소량의 마이크로파 전력
 
463. 포화 이득  (saturation gain)
 
  포화 출력 영역에서의 이득
 
464. 포화 출력  (saturation power)
 
  마이크로파관을 규정한 조건에서 동작시켜 고주파 입력을 점차로 증가시켜 갔을 때, 관측되는 출력의 포화값
 
465. 폭축  (implosion)
 
  관구의 엔벌로프가 외부 압력에 의하여 격렬하게 파손되는 것.
 
466. 폴링 계수  (pulling figure)
 
  부하의 반사 계수의 절대값을 주어진 값으로 유지하고, 위상 360˚ 변화시키는 동안에 일어나는 발진 주파수의 최대값과 최소값의 차
 
467. 표시 방전관  (cold cathode character-display discharge tube, Nixie tube)
 
  분할된 몇 개의 음극편과 양극 사이에 글로 방전을 발생시켜 음극의 모양에 따라 문자, 숫자 등을 발광 표시 하는 방전관
 
468. 표준구  (bogey tube)
 
  공표된 표준값의 특성을 갖는 전자관. 실용상 표준구는 그 용도에 직접 관계가 있는 특성만 고려하면 된다.
 
469. 푸싱 계수  (pushing figure)
 
  전극 전류의 변화에 따라 생기는 발진 주파수의 변화량을 전류 변화량으로 나눈 값
 
470. 플라스마 표시관  (plasma display panel)
 
  마주보는 2장의 유리판상에 직교하는 2조의 선상 또는 면상 전극군을 두어, 각각의 전극 중 특정한 것에만 전압을 인가함으로써 그들 교점에 플라스마를 발생시켜, 문자, 숫자 등을 발광 표시하는 패널
 
 471. 플리커 잡음  (flicker noise)
 
  산화물 피복 음극으로 부터의 전자 방출이 불규칙적으로 변하기 때문에 출력 주에 포함된 잡음으로서, 그값이 주파수에 반비례하는 것.
 
472. 핀  (pin)
 
  전극과 외부 회로의 전기적 접속을 하기 위한 금속제의 가는 막대
 
473. 핀 번호  (pin numbering)
 
  베이스 핀의 위치를 구별하기 위하여 일정한 방식에 따라 핀에 붙인 번호
 
474. 핀 서클  (pin circle)
 
  베이스의 핀이 어떤 원둘레상에 배열되어 있을 때, 이원의 명칭
 
475. 필드 메시 전극  (field mesh electrode)
 
  타깃 앞면에 둔 망상 전극
 
476. 필라멘트 전류  (filament current)
 
  필라멘트에 공급되는 전류
 
477. 필라멘트 전압  (filament voltage)
 
  필라멘트 단자 사이에 가해지는 전압
 
478. 해상도  (resolution)
 
  형광면상에서 구별할 수 있는 수평 방향 주사선 또는 수직 방향 주사선의 최대 본수로서, 각각 수평 행상도 또는 수직 해상도라고 한다.
 
479. 해상도  (resolution)
 
  백지 화면을 촬영하면서 주사선 본수를 증가시켜 가다가 주사선이 적을 때의 포화 출력의 일정 비율로 신호 출력이 감소했을 때의 본수
 
480. 헐레이션  (halation)
 
  휘점으로부터 빗이 페이스 플레이트의 전면 및 배면에서 반사하여 휘점의 주위에 둥근 바퀴 모양의 발광이 나타나는 것.
 
481. 험  (hum)
 
  전원의 상용 주파수 및 그 고조파분을 포함한 잡음
 
482. 형광 지시관  (electron-ray indicator tube)
 
  수신관으로의 입력 신호의 대소에 따라 관 내에 설치된 형광면에 입사하는 전자 빔의 펄쳐짐이 변화하고, 따라서 발광 면적이 변화함으로써 입력 신호의 대소를 지시 할 수 있는 전자 선관이며, 주로 동조 지시에 사용된다.
 
483. 형광 지시관의 패턴  (pattern of an electron-ray indicator tube)
 
  형광 지시관의 형광면에 나타나는 발광부 빛 음영부의 모양
 
484. 형광 표시관  (fluorescent character display tube)
 
  형광체를 도포한 몇 개의 양극편의 발광을 교체함으로써 문자, 숫자 등을 선택적으로 표시하는 전자 선관
 
485. 형광면  (phosphor screen)
 
  페이스 플레이트상에 도포된 형광체의 면으로서, 전자 빔의 충격을 받아 발광하는 것.
 
486. 형식 시험  (type approval test)
 
  전자관이 그 설계에 따라 결정된 형식대로 만들어져 있는지를 확인하기 위한 시험
 
487. 회복 시간  (recovery time)
 
  양극 전류 정지 후 그리드가 제어 능력을 회복하는데 필요한 시간
 
488. 회복 시간  (recovery time)
 
  스위칭 방전관에서 송신 펄스 전력이 영으로 되면서부터 규정의 한계까지 이온이 소멸하는데 걸리는 시간
 
489. 효율  (efficiency)
 
  고주파 출력을 음극 가열 전력 및 고주파 입력을 제외한 모든 입력으로 나눈 값
 
490. 후단 가속 전극  (post-deflection accelerating electrode)
 
  후단 가속을 하기 위한 전극
 
 491. 후단 가속 전극  (post-deflection acceleration)
 
  전자 빔을 편향시킨 후 가속하는 것.
 
492. 후진파  (backward wave)
 
  위상 속도와 군속도가 역방향인 진행파
 
493. 휘선  (luminescent line)
 
  휘점의 움직임으로 그려지는 궤적
 
494. 휘선폭  (line width)
 
  형광면 위의 휘선의 폭
 
495. 휘점  (luminescent spot )
 
  전자 빔의 충격에 의하여 발광하고 있는 형광면상의 작은 면적 부분
 
496. 휘점 소거 전압  (spot cut-off voltage)
 
  전자총의 제1 그리드에 가하는 부전압 또는 음극에 가하는 정전압의 절대값을 증가시켰을 때, 휘점이 소실되는 전압
 
497. 휘점 왜곡  (sopt distortion)
 
  완전한 원으로 되지 않는 휘점의 왜곡
 
498. 휴지 기간  (idle period)
 
  교류 전압의 1사이클 동안에서 어떤 방전로에 전류가 흐르지 않는 시간.
 
499. 흑백 수상관  (black-and-white picture tube)
 
  화상으로 형광면상에 휘도만으로 재생하도록 설계된 수상관
 
500. 히스 잡음  (hiss noise)
 
  진공관의 히터를 직류로 점화하여 외부로부터 어떠한 기계적 진동을 주지 않을 때에도 생기는 규정된 가청 주파수대의 잡음으로서, 잡음 전력으로 나타난다. 충격 잡음은 포함하지 않는다.
 501. 히터  (heater)
 
  방열 음극을 가열하기 위한 전열 소자
 
502. 히터 사이클링  (heater cycling life test)
 
  히터의 기계적, 전기적 강도가 충분한지를 히터에 규정된 전압을 인가하고 단속해서 강제적으로 조사하는 시험
 
503. 히터 웜업 시간  (heater warm-up time)
 
  히터에 거의 정격치의 전류를 흘렸을 때, 히터 단자 전압이 규격치의 80%에 도달하기까지의 시간
 
504. 히터 전류  (heater current)
 
  히터에 공급되는 전류
 
505. 히터 전압  (heater voltage)
 
  히터 단자 사이에 가해지는 전압
 
506. 히터의 최고 번호 핀  (highest-numbered pin of heater)
 
  히터 전원을 접속하는 히터 핀 중에서 최고 번호인 것.
 
507. A급 증폭  (class "A"amplification)
 
  입력 교류 신호의 전 주기에 걸쳐 증폭관의 양극 전류가 흐르도록 그리드 바이어스 전압을 선택한 경우의 증폭 작용
 
508. AB급 증폭  (class "AB" amplification)
 
  증폭관의 양극 전류가 흐르고 있는 주기가 입력 신호의 전 주기보다 적으나 반주기보다는 많게 되도록 그리드 바이어스 전압을 선택했을 경우의 증폭 작용
 
509. ATR관  (ATR-tube)
 
  분기형 송수 전환 회로의 송수신 분기에 삽입된 수신감도 저하 방지용의 방전관
 
510. B급 증폭  (class "B" amplification)
 
  그리드 바이어스를 거의 컷오프값으로 선택했을 경우의 증폭 작용으로서, 교류 그리드 전압이 가해지지 않을때 양극 전류는 거의 영이다. 그리드에 교류 전압이 가해졌을 경우에는 거의 반주기 동안 양극 전류가 흐른다.

 511. C급 증폭  (class "C" amplification)
 
  그리드 바이어스를 컷오프 전압보다도 낮게 선택했을 경우의 증폭 작용으로서, 그리드에 교류 전압이 인가되지 않는 상태에서는 양극 전류는 영이다. 그리드에 교류 전압이 가해졌을 경우에는 반주기보다 짧은 기간 동안 양극 전류가 흐른다.
 
512. G관  ("G" tube)
 
  GT관보다도 더욱 큰 벌브 및 옥탈 베이스를 사용한 전자관의 일반적 명칭
 
513. GT관  ("GT" tube)
 
  지름 약 29㎜의 관 모양의 벌브 및 옥탈 베이스를 사용한 전자관의 일반적 명칭
 
514. M형 전진파 증폭관  (M-type forward-wave amplifier tube)
 
  전자류와 저속파 회로상의 전자파의 상호 작용에 의하여 증폭을 하는 M형 마이크로파관
 
515. M형 후진파 발진관  (M-type backward-wave oscillator tube)
 
  전자 빔이 저속파 회로상을 전파하는 후진파와 연속적으로 상호 작용을 하여 광대역 전자 동조 발진관으로 동작하는 M형 마이크로파관
 
516. M형 후진파 증폭관  (M-type backward-wave amplifier tube)
 
  전자류와 저속파 회로상의 후진파의 상호 작용에 의하여 증폭을 하는 M형 마이크로파관
 
517. O형 마이크로파관  (O-type microwave tube)
 
  전자 빔이 공간을 직진하는 동안에 저속파 회로 또는 공진 회로이 고주파 전계와 상호 작용을 하여 전자의 온도 에너지를 고주파 에너지로 변환함으로써 마이크로파의 증폭 또는 발진을 하는 전자관
 
518. O형 후진파관  (O-type backward-wave tube)
 
  전자 빔이 저속파 회로상을 전파하는 후진파와 연속적으로 상호 작용을 하는 O형 마이크파관
 
519. S형 왜곡  (S-distortion)
 
  자계 렌즈를 사용했을 경우, 재생상에 나타나는 S자형 또는 역 S자형의 도형 왜곡
 
520. TR관  (TR-tube)
 
  분기형 송수 전환 회로의 수신기 분기에 삽입된 수신기 보호용의 방전관